【经验】关于驱动芯片Si8233BD-D-ISR的电流驱动设计方法及注意事项

时间： 2020-07-04 来源：世强

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目前SILICON LABS的驱动芯片 Si8233BD-D-ISR运用在不同拓扑的电源设计方案，主要是针对MOS管的设计，由于本身具有一定电流驱动设计能力，所以在驱动电路设计上需要注意峰值电流的设计，避免造成驱动能力不够或者芯片损坏问题。

如下是典型的Si8233BD-D-ISR的半桥驱动电路设计，由于Si8233BD-D-ISR属于双路驱动，每一路都是独立，驱动电流都可以满足4A的峰值电流输出能力，但是这个电流实际是灌电流才可以满足，同样条件下芯片内部的sink电阻是1Ω，source电阻是2.7A，所以灌电流能力比拉电流能力要强。

图 1 Si8233BD-D-ISR 典型半桥设计电路

作为驱动电路的设计，外接驱动电阻R时，需要考虑驱动MOS管的能力同时，需要注意实际芯片电流输出能力，如果外接驱动电阻R太小时，可能导致芯片实际电流输出能力不够，导致芯片最后出现损坏问题。在选择外接驱动电阻时，需要考虑驱动MOS管的驱动能力时，也需要考虑芯片的实际能够输出能力，所以驱动电阻选择要合适，保证芯片的实际输出电流能力在芯片的峰值电流范围之内，不易造成芯片损坏。

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