【经验】关于驱动芯片Si8233BD-D-ISR的电流驱动设计方法及注意事项

时间： 2020-07-04 来源：世强

技术问答

目前SILICON LABS的驱动芯片 Si8233BD-D-ISR运用在不同拓扑的电源设计方案，主要是针对MOS管的设计，由于本身具有一定电流驱动设计能力，所以在驱动电路设计上需要注意峰值电流的设计，避免造成驱动能力不够或者芯片损坏问题。

如下是典型的Si8233BD-D-ISR的半桥驱动电路设计，由于Si8233BD-D-ISR属于双路驱动，每一路都是独立，驱动电流都可以满足4A的峰值电流输出能力，但是这个电流实际是灌电流才可以满足，同样条件下芯片内部的sink电阻是1Ω，source电阻是2.7A，所以灌电流能力比拉电流能力要强。

图 1 Si8233BD-D-ISR 典型半桥设计电路

作为驱动电路的设计，外接驱动电阻R时，需要考虑驱动MOS管的能力同时，需要注意实际芯片电流输出能力，如果外接驱动电阻R太小时，可能导致芯片实际电流输出能力不够，导致芯片最后出现损坏问题。在选择外接驱动电阻时，需要考虑驱动MOS管的驱动能力时，也需要考虑芯片的实际能够输出能力，所以驱动电阻选择要合适，保证芯片的实际输出电流能力在芯片的峰值电流范围之内，不易造成芯片损坏。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由明提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【经验】一文教你分析MOS管的驱动波形是否异常

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。在MOS的G,S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单，很容易造成驱动波形异常。大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后,再经过隔离驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。推荐使用专用的MOSFET驱动芯片来驱动MOS管，Siliconlabs针对MOS管驱动推出了半桥MOS驱动芯片SI823X

设计经验发布时间 : 2019-04-22

【经验】浅谈SI8233与SI835双路隔离驱动芯片设计区别

目前Silicon Labs推出的具有双路隔离驱动芯片SI8233和SI8235，目前也是主流用在车载DC-DC，及OBC及各种电源拓扑中比较常见的两种驱动芯片，本文针对这两种驱动芯片在设计上的不同点做个简答的描述，设计者可以根据自身的设计需求去进行选择。

设计经验发布时间 : 2019-02-03

【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项

目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动，由于具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。

设计经验发布时间 : 2019-05-06

Silicon Labs（芯科科技） EFM32/EFR32芯片外设驱动参考代码

开发代码 - SILICON LABS - April 2024 ZIP 英文下载

【应用】适合SIC MOS管的驱动芯片,驱动能力高达4A

普通的驱动芯片无法满足SIC MOS高频率的开关速度，Silicon Labs推出的隔离栅极驱动器SI8273,最大输出4A的驱动能力，能满足高频率的驱动且损耗非常小。

新应用发布时间 : 2017-10-21

【经验】如何解决芯科科技USB-to-UART桥接器芯片CP2102无法安装驱动的问题

很多设备都需要提供一个USB接口和PC机对接，用于设备与PC软件直接的数据交互传输，USB软件协议与开发相应的Windows下设备驱动难度较大；所以在设计中选用无需编程的接口芯片CP2102N，从而简化USB设备设计。

设计经验发布时间 : 2022-12-02

【经验】SI823X系列驱动芯片死区时间的设置

目前Silicon Labs的SI283X驱动芯片大量的运用在PFC,半桥，全桥及LLC等拓扑电源运用中，作为设计者来说，希望选到合适SI823X系列驱动芯片，此次针对SI283X系列驱动中带死区的设置做个运用说明。图1 为SI823X系列涉及到死区时间（DT）设置引脚中的驱动芯片SI8230,SI8233，

设计经验发布时间 : 2020-04-03

【选型】如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片？

Silicon labs SI827x隔离栅极驱动器高达4A峰值驱动电流，业界最高的抗扰性能（200kV/μs）和闩锁免疫能力（400kV/μs）。最大60ns传输延迟，非常低的抖动200ps p-p。

器件选型发布时间 : 2018-01-31

【经验】多颗隔离驱动芯片SI8238共用Disable信号的设计建议，避免单颗失效时影响正常运行

多颗SI8238共用一个信号控制Disable时，但若Disable直接连接在一起，其中一个IC失效后，disable管脚出现异常对地短路时，另外正常的IC无法被关闭。所以Disable管脚间需要做隔离，防止单颗异常影响其他IC工作，建议如下

设计经验发布时间 : 2021-06-12

【应用】低成本SI8621光耦驱动芯片实现IGBT上下桥驱动互锁的一种方法

目前的一些工业逆变电源设计上可能会用到IGBT上下桥互锁的方式，由于目前光耦价格不是很便宜，而产品会有成本压力，这种实现互锁的方法可以通过Silicon Labs推出的SI8621驱动芯片相对低成本方案来实现。

应用方案发布时间 : 2018-12-22

【经验】加强版的双驱动芯片Si823H3BD-IS3更完美的做MOS管或SIC MOS管驱动

针对目前电源行业用到上下桥拓扑的设计会用到MOS管或SIC，目前这块的设计处于弱电侧需要供电能够与MCU的供电共用，另外原边的输入可以有上下桥互锁功能，开关频率可以支持到几百KHz，驱动电流可以到4A，针对该运用Slilicon Labs推出的SI823H3BD-IS3副边可以支持到3V的供电电压，4A的拉电流和灌电流，双路独立的驱动，125KV/us的CMTI值，满足AEC—Q100的认证。

设计经验发布时间 : 2019-08-01