UMS与法国国防局将合作开发欧洲GaN-on-SiC技术，使其尖端性能达到Ka波段

时间： 2021-05-12 来源：UMS

技术问答

选型帮助

研发客服

商务客服

UMS很荣幸地接受到了法国国防局（DGA）的委托，进行NIGAMIL项目的开发。

UMS很荣幸地接受到了法国国防局（DGA）的委托，进行NIGAMIL项目的开发。“毫米级应用GaN”项目的目标是开发欧洲GaN-on-SiC技术，使其尖端性能达到Ka波段，并能确保欧洲的技术所有权。

这个项目是要成功地开发最先进的Ku和Ka波段MMIC高性能放大器。GH15工艺现已发布，可在UMS的铸造模式下使用。

氮化镓也是创新保护局（IDA）支持的另一个项目的课题：CNRS与UMS合作的GREAT研究项目。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 3
| 转发至：

本文由Batman翻译自UMS，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（3）

zwjiang Lv9. 科学家 2023-02-17

学习
terrydl Lv9. 科学家 2022-09-08

看看
好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-08-30

学习

没有更多评论了

UMS GaN GH15-10 technology has successfully been space evaluated

UMS is proud to announce that the GH15-10 MMIC GaN HEMT technology has successfully been space evaluated and is now part of the European Preferred Part List (EPPL) established by the European Space Agency (ESA).

原厂动态发布时间 : 2022-01-31

UMS Proposes New Version of the ADS PPH15X Design Kit

UMS proposes a new version of the ADS PPH15X Design Kit with an increased number of useful features to support their foundry customers.

原厂动态发布时间 : 2022-03-31

UMS Enlarges its Telecom Power Amplifier Offer, Boosting your radio with UMS Power Amplifiers

UMS enlarges its telecom power amplifier offer, and this article will introduces 3 state of the art products within this family.

原厂动态发布时间 : 2023-11-15

QUALIFICATION REPORT UMS PCN_2023_003 : GelPak Manufacturer move (PCN_2023_003)

产品变更通知及停产信息 - UMS - Versions 1.0 - 19/02/2024 PDF 英文下载

【技术】UMS推出三种GaAs PHEMT工艺流程，助力MMIC设计，提供代工服务

UMS（United Monolithic Semiconductors）是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商，法国公司Thales＆EADS的子公司。主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。此外，UMS还是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商，拥有GaN、GaAs、GeSi的工艺，可为客户提供Foundry service。PH10、PH15、PH25是UMS推

新技术发布时间 : 2018-10-20

Try GaN GH25 MPW With UMS EUROPEAN LEADER in RF MMIC products and foundry services

型号- GH25

商品及供应商介绍 - UMS - March 22, 2024 PDF 英文下载查看更多版本

【经验】UMS QFN模压塑料封装GaAs微波芯片的设计注意事项

在QFN封装上，UMS基于CHA3666-QAG器件，详细描述了芯片的引脚分布、通孔分布以及几何尺寸、焊料掩膜技术、模板焊盘尺寸设计原则，以及封装在PCB板上时遵循的SMT流程，能够有效帮助应用设计工程师在使用QFN模压塑料封装上的便利性。

设计经验发布时间 : 2019-10-17

UMS 射频开关选型表

UMS 射频开关选型：RF Bandwidth (GHz)min：6-23，RF Bandwidth (GHz)max：4-26，Loss(dB)：0.5-2.9，P-1dB IN(dBm)：20-42.

产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Loss(dB)	Isolation(dB)	Type
CHS2412-QDG/20	射频开关	23	26	2.9	35	Reflective

选型表 - UMS 立即选型

FOUNDRY INNOVATION BY UMS

型号- PH25-20,PH10-20

商品及供应商介绍 - UMS - 2024/6/14 PDF 英文下载

Any UMS products delivered in QFN plastic packages Process or Product Change Notice (PCN) (PCN_2023_002)

产品变更通知及停产信息 - UMS - 05/06/2023 PDF 英文下载

UMS射频移相器选型表

UMS射频移相器选型：RF Bandwidth (GHz)-min：1.2-8.5，RF Bandwidth (GHz)-max：1.4-18，Number of Bits：4-6，Insertion Loss(dB)：-10~13，P-1dB IN(dBm)：3-26.

产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)-min	RF Bandwidth (GHz)-max	Number of Bits	Phase range(°)	Insertion Loss(dB)	Phase Error(°p-p)	P-1dB IN(dBm)	Control voltage(V)	Case
CHP3010-QFG	射频移相器	1.2	1.4	6	360	7	-1/+3	24	0/3.3 or 5	QFN

选型表 - UMS 立即选型

UMS Releases CHC6094-QKB, 2W RF Front-End Operating in 37-41 GHz

The CHC6094-QKB from UMS is a multi-function monolithic packaged front-end operating in 37-41GHz band with a low noise high linearity amplifier, input/output switches and a linear efficient High Power Amplifier.

产品发布时间 : 2024-08-24

UMS Announced A New Version of GH15 Gan Technology with Bcb Mechanical Protection and A High-density Mim Capacitor

UMS proposes a new version of its GH15 GaN technology， GH15 is UMS‘s state-of-the-art 0.15µm GaN technology. With this new version, you will be able to realize very compact BCB-protected designs encapsulated in an industrial low-cost plastic package.

新技术发布时间 : 2022-09-22

UMS压控振荡器选型表

UMS压控振荡器选型:Central Output Freq(GHz):12.7-38.2,RTuning(MHz):-108~5,Output Power(dBm):9-233,Bias(mA):3-120.

产品型号	品类	Central Output Freq(GHz)	Resonator Freq	Tuning(MHz)	Noise @ 100KHz(dBc/Hz)	Output Power(dBm)	Bias(mA)	Case
CHV2270-98F/00	压控振荡器	12.7	1.2	-100	14	150	4.5	Die