【产品】饱和压降低至0.1V的增强型表面贴装互补硅晶体管
CMBT3904E（NPN）和CMBT3906E（PNP）是CENTRAL半导体公司推出的两款增强型表面贴装互补硅晶体管，他们具有低饱和压降、低功耗、尺寸小等特点。CMBT3904E和CMBT3906E互补硅晶体管采用了FEMTOmini™SOT-923封装，并对尺寸有要求的应用提供了较好的性能特性。因此，CMBT3904E和CMBT3906E互补硅晶体管非常适合于超小尺寸和功耗为主要要求的应用。
CENTRAL推出的CMBT3904E和CMBT3906E互补硅晶体管具有较低的饱和压降，当IC=50mA，IB=5.0mA时，他们的饱和压降典型值均为0.1V，最大值也只有0.2V，具有极小的导通损耗。其具有较高的击穿电压，当发射极开路时，集电极与基极间击穿电压典型值分别为115V，90V，高电压可防止器件被损坏。另外，CMBT3906E PNP硅晶体管的td,tr,ts,tf分别为35ns，35ns，200ns，50ns，有着较快的开关速度。
CENTRAL推出的CMBT3904E和CMBT3906E互补硅晶体管的工作和存储结温均为-65℃~+150℃，可适应较为恶劣的工作环境。其还具有较低的功耗，最大值仅为100mW，可满足低功耗产品的设计要求。CMBT3904E和CMBT3906E互补硅晶体管可用于DC/DC转换器，电压钳位，保护电路，电池供电的应用领域。
图1 CMBT3904E、CMBT3906E互补硅晶体管产品图
CMBT3904E、CMBT3906E互补硅晶体管的产品特性：
• 小尺寸
• 集电极电流为200mA
• 低VCE(SAT)（典型值为0.1V@50mA）
• 低功耗（100mW）
CMBT3904E、CMBT3906E互补硅晶体管的应用领域：
• DC/DC转换器
• 电压钳位
• 保护电路
• 电池供电的应用，包括：手机，数码相机，寻呼机，PDA，笔记本电脑等
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品类：SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
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可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数，插拔寿命达100万次以上。
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