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【产品】漏源电压-20V的P沟道MOSFET晶体管KI2305，连续漏极电流-4.2@25℃
科信（KEXIN）推出一款P沟道MOSFET晶体管KI2305。Ta=25℃条件下，该产品漏源电压为-20V，连续漏极电流为-4.2A，栅源电压为±12V。
产品 发布时间 : 2022-12-04
【产品】采用PDFN表贴封装的P沟道MOSFET 2KJ7118DFN，最大漏源电压达-30V
科信推出产品型号为2KJ7118DFN的P沟道MOSFET，最大漏源电压高达-30V，漏极直流电流最大-36.1A，导通内阻低于12mΩ@VGS=-10V，采用PDFN表贴封装，适用于大电流开关电路设计需求。
产品 发布时间 : 2022-08-10
【产品】采用SOT-23封装的P沟道MOSFET NTR4101P，连续漏极电流ID为-3.2A
科信（KEXIN）推出一款采用SOT-23封装的P沟道MOSFET——NTR4101P（KTR4101P）。Ta=25℃条件下，漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±8V。VGS=-4.5V时，漏源导通电阻RDS(ON)＜85mΩ。
产品 发布时间 : 2022-09-20
【产品】采用SOP-8封装的P沟道MOSFET AO4407A（KO4407A），连续漏极电流为-12A
科信（KEXIN）推出一款采用SOP-8封装的P沟道MOSFET——AO4407A（KO4407A）。Ta=25℃条件下，漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±25V。连续漏极电流为-12A，耗散功率为3.1W。
产品 发布时间 : 2022-09-18
【产品】P沟道MOSFET KI5P02DV，具有低输入/输出泄漏的特点，结温可达150℃
科信（KEXIN）推出P沟道MOSFET KI5P02DV具有低输入/输出泄漏的特点，Ta=25℃时，绝对最大额定值方面，漏源电压为-20V，栅源电压为±12V，连续漏极电流为-4.6A，结温可达150℃。
产品 发布时间 : 2023-03-01
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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