C2M1000170D SIC MOSFET缺货，Littelfuse的LSIC1MO170E1000可低成本替代
规格为1700V/1Ω的SIC MOSFET，主要应用于高压供电的反激电源（图1）的电路回路设计。主要应用是高频开关电源、光伏逆变器、UPS、高压直流DC/DC、马达驱动器、充电器和感应加热等市场领域。
图1：反激电源拓扑图
基于市场需求的变化和SIC MOSFET产品的交期加长等因数变化，当使用C2M1000170D出现缺货状态时，推荐LITTELFUSE的LSIC1M0170E1000（图2）作为备选方案。
图2：LSIC1M0170E1000的封装和规格信息
器件主要参数：
参数对比：
漏源极击穿电压越高，器件的耐压冲击性能就越好。C2M1000170D和LSIC1M0170E1000均是至少1700V的耐压规格，比常用的1500V的MOSFET性能更佳。
· C2M1000170D和LSIC1M0170E1000的导通电阻均是1000mΩ，导通能力强，导通损耗低。
· C2M1000170D和LSIC1M0170E1000的导通电流规格在TC =25℃时为5A，在TC=100℃时依旧有3.5A。
· C2M1000170D和LSIC1M0170E1000的Tj温度范围均是-55℃～+150℃。两者均是满足高温应用环境，能承受更高的环境温度。
· C2M1000170D和LSIC1M0170E1000均是TO-247-3封装，为市场兼容性封装，替换时无需改动安装和PCB的工艺。
· LSIC1M0170E1000对比C2M1000170D价格低5%-10%，可在达成同等性能的同时降低采购成本。
因此，当C2M1000170D缺货时，基于设计应用和成本考虑，Littelfuse的LSIC1M0170E1000将是备选方案的最佳SIC MOSFET。
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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
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型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K
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