C2M1000170D SIC MOSFET缺货，Littelfuse的LSIC1MO170E1000可低成本替代

时间： 2018-12-22 来源：世强

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

SIC MOSFET,LSIC1M0170E1000,C2M1000170D,Littelfuse

规格为1700V/1Ω的SIC MOSFET，主要应用于高压供电的反激电源（图1）的电路回路设计。主要应用是高频开关电源、光伏逆变器、UPS、高压直流DC/DC、马达驱动器、充电器和感应加热等市场领域。

图1：反激电源拓扑图

基于市场需求的变化和SIC MOSFET产品的交期加长等因数变化，当使用C2M1000170D出现缺货状态时，推荐LITTELFUSE的LSIC1M0170E1000（图2）作为备选方案。

图2：LSIC1M0170E1000的封装和规格信息

器件主要参数：

参数对比：

漏源极击穿电压越高，器件的耐压冲击性能就越好。C2M1000170D和LSIC1M0170E1000均是至少1700V的耐压规格，比常用的1500V的MOSFET性能更佳。

· C2M1000170D和LSIC1M0170E1000的导通电阻均是1000mΩ，导通能力强，导通损耗低。

· C2M1000170D和LSIC1M0170E1000的导通电流规格在TC =25℃时为5A，在TC=100℃时依旧有3.5A。

· C2M1000170D和LSIC1M0170E1000的Tj温度范围均是-55℃～+150℃。两者均是满足高温应用环境，能承受更高的环境温度。

· C2M1000170D和LSIC1M0170E1000均是TO-247-3封装，为市场兼容性封装，替换时无需改动安装和PCB的工艺。

· LSIC1M0170E1000对比C2M1000170D价格低5%-10%，可在达成同等性能的同时降低采购成本。

因此，当C2M1000170D缺货时，基于设计应用和成本考虑，Littelfuse的LSIC1M0170E1000将是备选方案的最佳SIC MOSFET。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Joshua提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持现货查询批量订货

世强可为30~80kW组串式光伏逆变器供应功率转换单元和辅助电源模块

针对光伏发电系统逆变器，世强元件电商推荐Vincotech的IGBT模块、Renesas的IGBT单管、Wolfspeed的MOSFET、Wolfspeed的SiC二极管、Littelfuse的Sic MOSFET、PI或Silicon Labs的驱动IC、Renesas的驱动光耦、WIMA的滤波电容、Melexis的电流传感器等产品。

2018-06-02 - 器件选型

【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - 优选器件方案 - V2.1

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【方案】125kW（1500VDC系统）光伏逆变器优选器件方案

描述- 本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。

型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS - 优选器件方案 - V1.1

【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，高频开关、低损耗，助力高效高密电源设计

为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。

2024-11-26 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

IV1Q12750O3 – 1200V 750mΩ SiC MOSFET

型号- IV1Q12750O3

Oct. 2021 - 瞻芯电子 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持现货查询批量订货查看更多版本

IV1Q12080T4 – 1200V 80mΩ SiC MOSFET

型号- IV1Q12080T4

Jul. 2020 - 瞻芯电子 - 数据手册 - Rev0.5 代理服务技术支持现货查询批量订货查看更多版本

B2M012120N SiC MOSFET

型号- B2M012120N

2024-07-26 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持现货查询批量订货

【经验】Littelfuse SiC MOS管让光伏逆变器峰值效率高达99%

以10kW三相光伏逆变器为例，在逆变电路中采用littelfuse 1200V/80mΩ的SiC MOS管（LSIC1MO120E0080）和650V/40A的IGBT单管相结合，开关频率由16kHz提高至50kHz。在输出三相交流400V时，其最大输出电流可达18A，峰值效率高达99%，功率密度达到1Kw/L，有效的提高了整机效率和功率密度。