ROHM分享搭载世界首款耐压高节能内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC的整体电源设计方案
7月23日，世强硬创电商将举办今年来第2场电源管理专场新产品研讨会。全球知名半导体品牌ROHM已确认参会，其高级经理顾伟俊将出席会议，并围绕SiC MOSFET在电源设计上的应用展开一次长达40分钟的深度技术分享与交流。
以ROHM推出的世界首款耐压且高节能内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC为例，顾经理将分享SiC MOSFET准谐振电源方案从设计到评估的完整说明。据悉，该产品的散热板与12种产品采用一体化封装，部件数量减少、部件故障风险降低，有助于工业设备实现小型化、高可靠性和节能化。同时产品也配备了过负载保护、电源电压引脚的过电压保护、过电流保护、二次侧电压的过电压保护功能，内置的SiC MOSFET还可实现高精度过热保护功能。
更多ROHM电源设计方案的信息可参会了解。会议中，用户还可在线对话ROHM技术专家，快速解决相关研发问题。另外，Renesas、圣邦微、Ricoh、必易微、富满电子、思瑞浦等品牌旗下AC-DC、LDO、电池管理IC、充电芯片、开关IC、GaN快充、整流桥、PD协议芯片的诸多新产品也将亮相此次研讨会。
世强硬创新产品研讨会电源管理专场 时间：2021.7.23（周五） 09:30-11:30
会议议程（具体以当天安排为主）
| 高耐压高效率SiC MOSFET准谐振电源方案 ROHM（罗姆）介绍 |
| 新一代氮化镓快充解决方案，高频高效同步整流控制、多重保护 必易微电子（KIWI）介绍 |
| 带有防触摸保护的750V、32A电源级联、免剥线连接器 PhoenixContact（菲尼克斯电气）介绍 |
| 40V60V80V升降压DC-DC控制器，为工业控制提供稳定电源解决方案 Renesas（瑞萨电子）介绍 |
| 10V高纹波500mArms、长寿命5000Hrs的铝电解电容，适用各类电源控制 |
| 全新电源电流低至32µA的电压稳压器和精度0.5％的4路电压监测芯片 Ricoh（理光微电子）介绍 |
| 待机低于1uA的LDO、转换效率达95%的DC/DC以及开关型快速充电IC |
| 基于快响应架构、CMOS工艺的0.8uA超低静态功耗LDO |
| 国内首颗合封氮化镓的电源管理芯片，外围器件减少40%，替代原3芯片的功能 |
| 功耗低至30mW、最高支持500k频率的QR模式反激控制芯片，在PD 65W氮化镓快充方案的应用 |
| 数字隔离产品在电源产品中的应用 |
| 新一代贴片整流桥堆，内置集成超快恢复续流二极管（600V） |
| 高负载电流3A、低待机电流10uA、带输入反接保护的-20V至+26V LDO产品介绍 |
| 低至300nA轨到轨输出，适用于电池供电产品的超低功耗运算放大器 思瑞浦（3PEAK）介绍 |
| 输入电压最大可达30V，输出功率高可达百瓦的低功耗电源管理电路 |
| 电源管理一站式解决方案（包含DCDC/LDO/MOSFET/二级管/稳压IC/电感/保险丝） |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 55
本文由世小强提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（55）
-
![]()
![]()
电气农民工 Lv7. 资深专家 2021-07-17不错的会议 -
![]()
![]()
Timm Lv9. 科学家 2023-04-24学习 -
![]()
![]()
妞妞 Lv6. 高级专家 2023-01-31学习 -
![]()
![]()
用户74317992 Lv7. 资深专家 2022-12-25学习 -
![]()
![]()
角落 Lv5. 技术专家 2022-12-16学习 -
![]()
![]()
用户新 Lv7. 资深专家 2022-12-13学习 -
![]()
![]()
ml2310470 Lv4. 资深工程师 2022-12-04学习 -
![]()
![]()
小乐 Lv7. 资深专家 2022-12-01了解 -
![]()
![]()
小乐 Lv7. 资深专家 2022-12-01了解 -
![]()
![]()
lxmgday Lv7. 资深专家 2022-11-28学习
正在努力加载……相关推荐
【IC】推荐昂赛微低压LDO AS9113和高压LDO AS9131用在电流设计中，满足不同的选型需求
在几乎任何一个电路设计中，都可能会使用LDO（低压差线性稳压器）这个器件，它的工作原理简单点说，就是通过运放调节P-MOS输出。而评估一款高性能LDO芯片主要有3个标准，一是电源对噪声的抑制比，二是LDO自身输出噪声及对负载变化的瞬态响应能力，三是在高精密度传感器应用中，温度漂移是否足够小。基于昂赛微低静态功耗的工艺技术，推出了可供您选择的满足不同要求的LDO芯片。
ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）
目录- SiC MOSFETs
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，高频开关、低损耗，助力高效高密电源设计
为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。
【应用】国产LDO SGM2211-ADJXN5G/T助力数据采集器设计，宽压1.2V-19V输出
国内一厂商在设计数据采集器的电源部分时，需要高压运算放大器和模拟开关的+8V供电的LDO，考虑到宽压输入特性与后级负载数量，所以选择了SGMICRO（圣邦微）推出的宽压输入，且宽压1.2V-19V输出的LDO SGM2211-ADJXN5G/TR。
【产品】采用TO263-7L封装的AC/DC转换器IC适用于通用逆变器， 内置1700V耐压的SiC MOSFET
ROHM推出的BM2SC12xFP2-LBZ是业内先进的AC/DC转换器IC，采用一体化封装， 内置1700V耐压SiC MOSFET，使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易。
SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文的关键要点：可以在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，并使用示例公式进行损耗的近似计算；MOSFET开关工作时的总功率损耗是开关损耗和导通损耗之和。
【应用】国产LDO SGM2202助力智能电表设计，电源抑制比最高为55dB
本文推荐国产圣邦微SGMICRO的LDO SGM2202助力智能电表，其电源抑制比最高为55dB（f=217Hz），提高了信号的抗干扰能力；当EN脚为0V时，静态电流为1.5μA，偏置电流最低为0.01μA，便于实现低功耗的设计。
【选型】国产低功耗LDO SGM2040助力无线麦克风电源设计，静态电流1μA，采用小尺寸封装
无线麦克风通过Sub-1GHz频率收发信号，广泛用于大型会议、演唱会现场，采用锂电池供电，其Sub-1GHz无线收发芯片需要低功耗、小尺寸的电源方案。推荐圣邦微电子的LDO SGM2040，输入电压为1.7-7.5V，输出电压1.2V-5.2V可调。
BM2P039-Z AC/DC驱动器PWM型DC/DC转换器IC包括650V MOSFET数据手册
描述- 该资料介绍了ROHM公司生产的BM2P039-Z型PWM类型AC/DC转换器IC。该产品适用于包含电源插座的所有产品，支持隔离和非隔离设备，简化了各种低功率电转换器的设计。内置650V高压启动电路，有助于降低功耗。具有电流检测电阻作为外部器件，提高了设计的灵活性。采用固定系统开关频率，利用电流模式控制，在每个周期内限制电流，表现出优异的带宽和瞬态响应性能。
型号- BM2P039-Z
SiC MOSFET 栅极-源极电压的浪涌抑制方法 Application Note
描述- 本应用手册主要探讨了SiC MOSFET在开关动作过程中栅极-源极电压浪涌的产生原因及抑制方法。详细分析了桥式电路中开关动作产生的栅极-源极电压浪涌现象，并提出了浪涌抑制电路的设计方案，包括正向和负向浪涌的抑制措施。同时，对浪涌抑制电路的布线设计进行了说明，以确保电路的稳定性和效率。
型号- SCT3040KR,SCT3040KR 4L
【产品】100G光模块电源设计关键：选择合适DC/DC及LDO
整个电源的设计关键是选择合适的DC/DC电源芯片和线性度好、精度较高的LDO进行设计。圣邦微公司的DC/DC 转换器和LDO有着非常广泛的应用，其性能优良、线性度较高、非常适合光模块应用设计。
BM2P0363F AC/DC转换器集成开关MOSFET的PWM型DC/DC转换器IC数据手册
描述- 该资料介绍了ROHM公司生产的BM2P0363F型PWM类型AC/DC转换器IC。该芯片适用于各种低功耗电转换器的简化设计，支持隔离和非隔离设备。内置650V启动电路有助于降低功耗，并可通过外部连接电流检测电阻来灵活设计电源。采用固定频率25kHz和内置跳频功能以减少EMI。
型号- BM2P0363F-E2,BM2P0363F
【选型】国产LDO用于户外储能设备MCU电源设计，采用CMOS半导体工艺，静态电流2.5μA
针对户外储能产品中主控MCU的电源设计应用，推荐润石科技的低压差线性稳压器LDO RS3002，采用CMOS半导体工艺，输入电压为2.5-36V，输出固定电压1.8/3.0/3.3/3.6/5.0V，输出电流150mA。
【选型】国产低压差线性稳压器LDO SGM2040助力定位工牌电源设计，静态电流1μA，带使能控制功能
定位工牌采用锂电池供电，需要低功耗、小尺寸的电源设计方案。推荐SGMICRO的LDO SGM2040，输入电压1.7-7.5V，输出电压1.2V-5.2V可调，输出电流250mA，静态工作电流1μA。
BM1P10CFJ AC/DC转换器IC用于AC/DC转换器的PWM控制器IC规格书
描述- 该资料介绍了ROHM公司生产的BM1P10CFJ型PWM控制器IC，适用于AC/DC电源设计。该IC具有高灵活性，支持外部开关MOSFET和电流检测电阻，具备多种保护功能，如AC低压保护、X电容放电、频率降低和轻载爆冲操作等，以实现高效能。
型号- BM1P10CFJ-E2,BM1P10CFJ
电子商城
现货市场
服务
配备E5071C网络分析仪及软件工具，支持20 GHz 的带宽和 22.3ps上升时间，进行眼图测试、时域测量，通过时域反射给用户完成电缆、连接器、高速 PCB 走线和高速封装的设计与查错工作。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务，与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接，将IC设计高度抽象化，并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线，自动生成代码。点击预约，支持到场/视频直播使用，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论