新洁能沟槽式场效应管双芯封装的20V产品，具有低导通电阻和极低的栅极电荷，提供高效的移动电源解决方案
随着生活的进步，手机、电脑、ipad等现已成为人人都有的一种电子产品，可是长期的使用，耗电量会很大，移动电源也成了我们必不可少的产品。与此同时，移动电源的安全性也日益突出，由于过充过放，电池高温，端口短路等导致的移动电源起火爆炸的报道层出不穷，严重威胁着人们的人身财产安全。
新洁能推出了一系列专用于该应用领域的Normal Trench MOSFET（普通沟槽式场效应管）双芯封装的20V产品。具有更低的导通电阻，降低了器件本身的发热，从而确保锂电池工作温度不会过高；极低的栅极电荷（Qg），易于直接驱动；同时，具有高雪崩耐量、高浪涌能力等特点，极大程度提高应用的可靠性也更能保证整个电池管理系统的正常运行。
图 1
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NCE（新洁能）MOSFET选型表
目录- MOSFET
型号- 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
功率器件——MOSFET的雪崩耐量机理与扩展
新洁能是国内为数很少的、拥有自主半导体器件工艺设计能力的功率集成电路设计公司，显著区别于只能采用晶圆厂标准工艺制程的一般设计公司。本文介绍MOSFET的雪崩耐量机理与扩展。
功率器件-MOSFET 的雪崩耐量机理与扩展技术资讯
描述- 本文介绍了功率器件MOSFET的雪崩耐量机理。首先阐述了雪崩耐量的概念及其对终端产品安全性和可靠性的影响。随后，详细解析了雪崩击穿的原理、单脉冲与重复雪崩的测试原理，以及雪崩击穿的失效机理。最后，探讨了如何在应用中提升器件的雪崩能力，并以开关电源为例，说明了RCD吸收回路在提高系统雪崩能力方面的作用。
MOSFET-零温度系数点ZTC（Zero Temperature Coefficient）
开关电源应用中，功率MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通的饱和区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损耗。本文着重介绍MOSFET开关在线性区的微观动态过程中，容易忽视的一个概念-零温度系数点ZTC，围绕ZTC展开的相关状态讨论。
【应用】采用先进TOLL封装的MOSFET NCE40H32LL有助于节省大功率化成电源占位面积，漏源电流高达320A
无锡新洁能（NCE）推出的NCE40H32LL是一款低压、大电流MOS，其漏源电压（Vds）为40V，漏源电流（Ids）为320A，在栅源电压（Vgs）为10V时，其导通电阻（Rds_on）仅1.3mR，非常适合电焊机、电驱、化成电源等大功率应用。
PT3404 30V/5.8A N沟道增强型MOSFET
描述- PT3404是一款30V/5.8A N-Channel Enhancement Mode MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，具有超低导通电阻。适用于便携式产品的电源管理应用，如航模、移动电源、无刷电机等。
型号- PT3404
【选型】可用于移动电源的MOSFET选型推荐
MOSFET在移动电源中，关注耐压，耐流值，除了电池管理电路那部分还需要额外关注导通电阻，本文主要主要介绍移动电源工作原理以及推荐锐骏半导体的MOSFET，具体的产品可以根据客户需求来进行选择。
全面解析MOSFET产业链
MOSFET是一种广泛应用于模拟电路与数字电路的场效晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化，可实现开关和信号放大等功能，具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等特性，应用于包括通信、消费电子、汽车电子、工业控制在内的众多领域，本文将解析MOSFET产业链。
PT3409-30V P沟道增强型MOSFET
描述- PT3409是一款采用先进沟槽工艺技术的-30V P-Channel增强型MOSFET，具有超低导通电阻，适用于便携式产品的电源管理应用，如航模、移动电源、无刷电机、主板等。
型号- PT3409
NCE4614 N和P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE4614N和P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET的特性。这些MOSFET采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。它们适用于高功率和高电流处理能力，并且是无铅产品。
型号- NCE4614
NCEP01ND35AG NCE N沟道超级沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP01ND35AG这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，提供高效的高频开关性能，具有低导通和切换功率损耗的特点。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP01ND35AG
PT3402 30V/4A N沟道增强型MOSFET
描述- PT3402是一款30V/4A N-Channel Enhancement Mode MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，具有超低导通电阻，适用于低边负载开关和电池开关等应用。该产品优化用于便携式产品的电源管理应用，如航模、移动电源、无刷电机、主板等。
型号- PT3402
【技术】MOSFET雪崩特性参数解析
EAS单脉冲雪崩击穿能量，EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。以低于Tj(max)为极限。如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。
NCEP025F90T NCE N沟道超级沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP025F90T型N沟道超深槽功率MOSFET的特性。这款器件采用独特的Super Trench技术，优化了高频开关性能，具有极低的导通和切换损耗。其主要特点是低RDS(ON)、高电流承载能力、宽工作温度范围和无铅镀层。
型号- NCEP025F90T
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
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