【应用】国产SIC二极管G5S12040BM用于储能双向变流器，有效提高系统功率密度
储能变流器（Power Control System——PCS）可控制蓄电池的充电和放电过程，进行交直流的变换，在无电网情况下可以直接为交流负荷供电。PCS由DC/AC双向变流器、控制单元等构成。某客户在储能双向变流器项目中需求一款1200V/40A，TO-247封装的SiC二极管来提高系统功率密度，本文推荐国产泰科天润碳SIC肖特基功率二极管G5S12040BM。
如下图一为储能双向变流器主功率电路框图。
图一 储能双向变流器主功率电路框图
储能双向变流器主功率电路框图由直流EMI滤波器、逆变电路、交流逆变器、三相变压器等部分构成。主电路采用三相全桥电路，交流侧可通过隔离变压器接入低压或中压配电网，直流侧连接多组电池组。G5S12040BM，反向重复峰值电压 VRRM 1200V，在测试条件TC=153°C，单只脚正向平均电流 IF为20A。采用TO-247AB的封装形式，并联器件中没有热崩溃，可以降低系统对散热片的依赖。国产碳SIC肖特基功率二极管G5S12040BM用于储能逆变器，有效地提高系统的功率密度。
如下图二为SiC二极管G5S12040BM典型正反向性能曲线图。
图二 G5S12040BM性能曲线图
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泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型，覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等，覆盖常规功率段，晶圆尺寸：4寸/6寸，VRRM(V)：650V-3300V。
|
产品型号
|
品类
|
晶圆尺寸
|
Package
|
Config.
|
VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
|
IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
|
|
G51XT
|
碳化硅肖特基功率二极管
|
4寸
|
SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
【选型】泰科天润SiC二极管满足Boost/PFC、高频输出整流等多种电路设计需求
泰科天润作为一家国产厂牌，针对不同应用需求专门匹配了不同的型号，以10A/650V的参数为例，G5S06510AT的VF典型值只有1.28V，较适合在高频输出整流电路的应用； G4S06510AT的价格优势明显，主打性价比系列，可以针对成本要求较高的应用选型；G3S06510A的IFSM值比较高且价格比较适中，适合Boost/PFC电路的应用。
器件选型 发布时间 : 2020-06-30
【视频】2023年1月12日碳化硅＆氮化镓新技术研讨会
EPC、英诺赛科、西南集成等顶尖厂商带来SiC MOS、GaN FET、车规级SiC二极管等全新产品和技术。
活动 发布时间 : 2023-11-30
【产品】DFN8*8紧凑表贴封装的650V SiC二极管，高度仅1mm，帮助实现更紧凑、高能效设计
为了帮助工程师设计密度更高，效率更高的功率转换级，泰科天润（GPT）推出了DFN8*8的紧凑型表面贴装型号，涵盖650V 4A/6A/8A/10A/15A的产品可供选择。产品包括G5S06504QT，G5S06506QT，G5S06508QT，G5S06510QT，G4S06515QT。
新产品 发布时间 : 2020-02-27
砥砺前行！一同回顾泰科天润的2023年新品发布、大事盘点、展会会议和荣誉奖项
本文中将为大家回顾2023年泰科天润大事记。2023年泰科天润自产自研SiC Mosfet抗冲击鲁棒性特点鲜明、经受市场考验；启动了北京总部基地6/8英寸生产线建设；助力消费类快充、PC电源性能提升；赢得《中国半导体企业创新榜 2023》“化合物半导体科技创新企业榜”上榜企业、2023行家极光奖“中国SiC器件IDM十强企业奖”等荣誉。
原厂动态 发布时间 : 2024-01-10
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