【产品】漏源电压600V的N沟道超结MOSFET PJMF580N60E1，最大漏源导通电阻为580mΩ

时间： 2022-03-25 来源：PANJIT

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强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超结MOSFET——PJMF580N60E1，在T_A=25℃的条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为8A（T_C=25℃），最大漏源导通电阻为580mΩ（V_GS=10V，I_D=2.5A）。具有高速开关和低导通电阻、100%雪崩测试和100%Rg测试等特点，适用于TV电源、PD充电器和适配器。

产品外观和示意图

特点：

漏源导通电阻R_DS(ON)最大值为580mΩ（V_GS=10V）

易于使用和驱动

高速开关，低导通电阻R_DS(ON)

100%雪崩测试

100%Rg测试

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

机械数据：

外壳：ITO-220AB-F 封装

端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.068 盎司，2 克

应用：

TV电源、PD充电器、适配器

最大额定参数(T_A=25℃，除非特别说明)：

热特性：

电气特性(T_A=25℃，除非特别说明)：

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