必易微携高频氮化镓快充方案亮相2021 (春季) USB PD & Type-C 亚洲展
必易微电子携快充新品亮相2021 (春季) USB PD & Type-C 亚洲展,高频氮化镓快充方案小巧可靠,独具匠心,款式丰富,覆盖主流快充功率段。持续出新的快充方案助力各大品牌快充新品实现量产上市。
优势:
1、采用高可靠氮化镓直驱技术;
2、成熟稳定的高压工艺设计;
3、高压 120V LDO 集成设计;
4、QR 噪声抑制技术;
5、精准的过流保护技术;
6、高频高效同步整流控制技术。
集成高压 LDO、高频率氮化镓电源驱动芯片方案 KP2202/KP2206+KP4060
图1. KP2202SSGA/KP2206SSGA
主要优势:
● 更加强壮的 ESD 能力:all pin >2kV
● 集成高压 LDO:节省外部分离器件,优化 EMC、温升、待机
● 低输出纹波、低噪音:专利的轻载打嗝控制,抖频随负载可变
● 集成精准的输出过流保护,轻松满足 LPS 要求
● KP2206 具有安全可靠的 GaN 直驱:基准的 6V GaN 驱动电平+负压 CS 采样
全功率范围成套快充芯片方案(18W/20W/25W/30W/45W/65W)
图2. KP22035WGA+KP40512SGA
主要优势:
● 内置 650V MOSFET
● 超宽 VDD 工作范围:10V-70V, 满足 20V 输出 30W 快充要求,最高工作频率 65kHz
● 专利的 EMC 抖频设计,EMC Easy Pass
● 降频谷底导通,轻载静音工作
● 内置斜率补偿、过流点补偿
● 内部集成完备的保护方式:
▲ 过载保护 (OLP)
▲ 短路保护 (SCP)
▲ 前沿消隐 (LEB)
▲ 过热保护 (OTP)
▲ 输出过压保护 (DEM OVP)
▲ 输出欠压保护 (DEM UVP)
30W 以下全集成快充电源芯片方案(ASOP-6 独特封装)
图3. KP22315WGA+KP40562SGA
主要优势:
● 内置 650V 高压 MOSFET
● 集成输入欠压 (BOP)、过压保护 (OVP)
● 超宽 VDD 工作范围:8V-40V,满足 24W 快充要求
● 高压启动,专利轻载模式实现超低待机:<30mW
● 准谐振控制、最高工作频率 80kHz
● 专利的 EMC 抖频设计,EMC Easy Pass
● 谷底锁定功能,轻载静音工作
● 输出过流点自适应调节
● 内部集成完备的保护方式:
▲ 过载保护 (OLP)
▲ 短路保护 (SCP)
▲ 前沿消隐 (LEB)
▲ 过热保护 (OTP)
▲ 输出过压保护 (DEM OVP)
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提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
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