【产品】表面贴装的N沟道增强型MOSFET 3426，采用先进的沟槽工艺技术，具有低栅极电荷特性
诚芯微推出N沟道增强型MOSFET 3426，采用先进的沟槽工艺技术制造，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
器件特征
RDS(ON)<13mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)<10mΩ@VGS=10V
器件具有高功率和高电流处理能力
无铅认证器件
表面贴装器件
器件应用领域
PWM应用
负载开关
电源管理应用
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有标注）
电气参数（TA=25℃，除非另有标注）
注：
1.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
2.Tj=25℃, VDD=20V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω
3.RθJA是结到外壳和外壳到环境热阻的总和，其中外壳热基准定义为漏极引脚的焊料贴装表面；RθJC由设计保证，而RθJA由PCB板设计决定；此处最大额定值是基于贴装在1平方英寸、2oz厚度铜（2oz Copper，双倍铜）的PCB区域。
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