【产品】EPC新推尺寸仅13.9mm²的抗辐射eGaN FET EPC7019，满足高要求卫星航天应用

时间： 2022-03-23 来源：EPC

技术问答

EPC宣布推出尺寸仅为13.9mm²的抗辐射eGaN FET——EPC7019，该器件的主要参数为40V、1.5mΩ、530APulsed，总剂量等级大于1Mrad，SEE LET水平为85MeV/(mg/cm² )。这些器件采用与商用eGaN FET和IC系列相同的芯片级封装，具体的封装版本号见EPC Space。

与基于硅的抗辐射产品相比，GaN器件的品质因数 (R_DS(on) x Q_G) 要高20倍，并且尺寸要小20倍，总辐射水平和SEE LET水平也更高。凭借更高的击穿强度、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更好的导热性和更低的导通电阻，基于GaN的功率器件性能显著优于基于硅的器件，并且能够提供更高的开关频率，从而实现更高的功率密度和更高的效率，为关键的星载任务提供紧凑且重量更轻的电路。

得益于EPC7019的性能和快速部署能力，其应用包括用于卫星和航天任务设备的电源以及用于机器人和仪器仪表的电机驱动器。

“EPC的GaN技术促使新一代功率转换器和电机驱动器能够在太空中以更高的频率、更高的效率和更高的功率密度运行，”EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说。“EPC7019为设计人员提供了一种解决方案，其品质因数比同类最佳的硅抗辐射器件要高20倍，最低导通电阻在当今市场上的抗辐射晶体管产品中也是最小的，而且，EPC7019体积更小，成本更低。”

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全部评论（5）

zwjiang Lv9. 科学家 2022-03-31

学习学习
AI时代 Lv7. 资深专家 2022-03-26

不错
用户_4987 Lv3 2022-03-26

学到了
AI时代 Lv7. 资深专家 2022-03-25

学习了
阿尼古 Lv8. 研究员 2022-03-25

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