【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40DF，采用DFN5X6-8L封装
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。
RM40N40DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于多种应用。
在TC=25°C时，RM40N40DF可以承受的漏源电压最大额定值为40V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为40A，漏极脉冲电流最大额定值为190A，最大功率耗散为30W，结温和储存温度范围为-55~175℃，结壳热阻典型值为5.3℃/W 。
产品特性
•VDS =40V,ID =40A
RDS(ON) <10mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) <15mΩ @ VGS=4.5V
•高密度单元设计，可实现超低导通电阻RDS(ON)
•完全表征雪崩电压和电流
•高EAS时具有良好的稳定性和一致性
•优良的封装，具有良好散热性
•特殊工艺技术可实现高ESD能力
•无卤素
•P/N后缀V表示通过AEC-Q101认证，例如：RM40N40DFV
应用领域
l 负载开关
l 硬开关和高频电路
l 不间断电源
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（3）
-
![]()
![]()
lcch81 Lv7. 资深专家 2019-11-12学习 -
![]()
![]()
星河 Lv5. 技术专家 2019-11-12学习，下载 -
![]()
![]()
sxy4517 Lv5. 技术专家 2019-11-12学习一下
相关推荐
【产品】60V/20A N沟道增强型功率MOSFET RM20N60LD，采用TO-252-2L封装
丽正国际推出N沟道增强型功率MOSFET，型号为RM20N60LD，采用先进的沟槽技术，采用TO-252-2L封装，具有低导通电阻和低栅极电荷，该产品应用范围较广。参数最大额定值如下：漏极-源极电压为60V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流分别为20A（TC=25℃）和14A（Tc=100℃），漏极脉冲电流为60A，最大耗散功率为45W，单次脉冲雪崩能量为72mJ。
【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF，采用DFN5X6-8L封装
RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。
【产品】TO252-2封装、30V/50A的N沟道增强型功率MOSFET AM4102
AiT公司的N沟道增强型功率MOSFET AM4102，提供TO252-2封装，优异的散热包装，漏源极电压30V，栅源极电压±20V，连续漏极电流为50A。AM4102采用了先进的沟槽技术和设计，以提供极好的RDS(ON)和较低的门电荷，它可以用于各种各样的应用。
RM100N40DFV N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM100N40DFV是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET，具有低栅极电荷和优异的RDS(ON)特性。适用于多种应用，包括负载切换、硬切换和高频电路以及不间断电源。
型号- RM100N40DFV
RMD50N40DF N沟道增强型功率MOSFET\n
描述- 该资料介绍了RMD50N40DF型号的N沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的槽技术设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
型号- RMD50N40DF
RM3416 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM3416是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电压（低至1.8V）的特点。该器件适用于负载开关或PWM应用，具有高功率和电流处理能力，采用无铅表面贴装封装。
型号- RM3416
【产品】30V，N沟道增强型功率MOSFET AM3400A，适合高效率、高开关频率的应用
AiT推出的AM3400A是N沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽DMOS技术，在25°C的环境温度下，AM3400A可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±12V，极限漏极连续电流为6.2A，非常适合高效率、高开关频率的应用。
【产品】30V/5.8A N沟道增强型功率MOSFET RM3400A，采用SOT-23-3L封装
丽正国际推出的RM3400A是一款N沟道增强型功率MOSFET，使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）以及极低栅极的电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作电池保护或其他开关应用。在环境温度为25°C时，RM3400A漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为5.8A。
RM3404 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM3404是一款采用先进沟槽技术的N-通道增强型功率MOSFET，具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关和PWM应用。
型号- RM3404
RMD2060S6 N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了RMD2060S6这款N-Channel增强型功率MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并可在最低2.5V栅极电压下工作。适用于电池保护和其他开关应用。
型号- RMD2060S6
【产品】采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M，漏源电压为30V
锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M，漏源电压为30V，TC=25℃时，连续漏极电流为90A（VGS=10V）。该器件无铅和绿色环保，适用于DC/DC转换器、负载开关和同步整流。
RM3400 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM3400是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷和2.5V低栅极电压下的运行能力。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
型号- RM3400V,RM3400
【产品】N沟道增强型功率MOSFET AM6594，栅极阈值电压典型值为1.6V，导通电阻可低至4.5mΩ
AiT推出的AM6594是N沟道增强型功率MOSFET，它采用沟槽DMOS技术，可以最大限度地降低导通电阻，可用于无线充电、DC / DC变换器以及负载开关的应用设计中。
【产品】采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET RM100N60DFV，可提供优良的低导通电阻
RM100N60DFV是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，该产品适用于多种应用。
RM2312 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM2312是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电压（低至2.5V）的特点。该器件适用于电池保护和其他开关应用，具有高功率和电流处理能力。
型号- RM2312V,RM2312
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论