【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40DF，采用DFN5X6-8L封装
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。
RM40N40DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于多种应用。
在TC=25°C时，RM40N40DF可以承受的漏源电压最大额定值为40V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为40A，漏极脉冲电流最大额定值为190A，最大功率耗散为30W，结温和储存温度范围为-55~175℃，结壳热阻典型值为5.3℃/W 。
产品特性
•VDS =40V,ID =40A
RDS(ON) <10mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) <15mΩ @ VGS=4.5V
•高密度单元设计，可实现超低导通电阻RDS(ON)
•完全表征雪崩电压和电流
•高EAS时具有良好的稳定性和一致性
•优良的封装，具有良好散热性
•特殊工艺技术可实现高ESD能力
•无卤素
•P/N后缀V表示通过AEC-Q101认证，例如：RM40N40DFV
应用领域
l 负载开关
l 硬开关和高频电路
l 不间断电源
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