【产品】国产N沟道650V增强型HEMT功率管,具备极地导通电阻与输入/出电容,已成功应用于PD快充

2022-03-18 时代速信
N沟道650V增强型HEMT功率管,硅基氮化镓HEMT,GHHS065200AD,GHHS065400AD N沟道650V增强型HEMT功率管,硅基氮化镓HEMT,GHHS065200AD,GHHS065400AD N沟道650V增强型HEMT功率管,硅基氮化镓HEMT,GHHS065200AD,GHHS065400AD N沟道650V增强型HEMT功率管,硅基氮化镓HEMT,GHHS065200AD,GHHS065400AD

时代速信作为一家致力于发展化合物半导体的民营公司,紧跟国家的发展战略,努力深耕于第三代半导体产业,并形成了以碳化硅基氮化镓和硅基氮化镓为核心的产品布局。近期,时代速信推出系列硅基氮化镓HEMT产品。该系列产品特别适用于高功率密度、超高开关频率和高效率的电源类应用场景,并且已完全应用于快充领域。由于工艺材料上的天然优势,硅基氮化镓器件与硅功率器件相比,开关频率可提升10倍,同时与其匹配的无源器件尺寸可大幅缩小,相应的最终电源产品,以PD快充为例,尺寸可缩小1/3。

 

时代速信此次推出的产品:GHHS065200ADGHHS065400AD,均是N沟道650V增强型HEMT功率管,具有极低的导通电阻,极低的输入和输出电容,零反向恢复电荷。目前,市场对电源产品的效率要求越来越高,而GHHS065200AD在对应不同输入电压和输出规格的条件下与友商进行比较,其效率全方位均有提升。同时GHH065200AD已经完全通过可靠性测试认证。


使用GHHS065200AD的准谐振(QR)PD 65W Demo,方案成熟,性能优异实测效率可达92%。通过传导、辐射测试及3C认证,可完全商用。

基于OR模式的30W PD产品亦同时面市。

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本文由董慧转载自时代速信,原文标题为:紧跟国家发展战略,时代速信挑战“芯”高度,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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  • AI时代 Lv7. 资深专家 2022-03-25
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型号- GHHS065400AD,GHLS006010AQ,GHHD065400AQ,GHLS010036AD,GHHS065200AD,GHHD065200AQ,GHHD065080AT,GHHS065400CD,GHHS065200BD,GHHS065400BD,GHHS065200CD,GHHD065040AT,GHHS065080AQ,GHHS065040AQ,GHLS010036AQ

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产品型号
品类
Operational Frequency Range(MHz、GHz)
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NF(dB)
Vcc(V)
Id(mA)
TC5985
低噪声放大器
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