【产品】国产N沟道650V增强型HEMT功率管,具备极地导通电阻与输入/出电容,已成功应用于PD快充
时代速信作为一家致力于发展化合物半导体的民营公司,紧跟国家的发展战略,努力深耕于第三代半导体产业,并形成了以碳化硅基氮化镓和硅基氮化镓为核心的产品布局。近期,时代速信推出系列硅基氮化镓HEMT产品。该系列产品特别适用于高功率密度、超高开关频率和高效率的电源类应用场景,并且已完全应用于快充领域。由于工艺材料上的天然优势,硅基氮化镓器件与硅功率器件相比,开关频率可提升10倍,同时与其匹配的无源器件尺寸可大幅缩小,相应的最终电源产品,以PD快充为例,尺寸可缩小1/3。
时代速信此次推出的产品:GHHS065200AD,GHHS065400AD,均是N沟道650V增强型HEMT功率管,具有极低的导通电阻,极低的输入和输出电容,零反向恢复电荷。目前,市场对电源产品的效率要求越来越高,而GHHS065200AD在对应不同输入电压和输出规格的条件下与友商进行比较,其效率全方位均有提升。同时GHH065200AD已经完全通过可靠性测试认证。
使用GHHS065200AD的准谐振(QR)PD 65W Demo,方案成熟,性能优异实测效率可达92%。通过传导、辐射测试及3C认证,可完全商用。
基于OR模式的30W PD产品亦同时面市。
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型号- GSL805,GSL809AD,TC5985,GSP2P204AL,GSL805AD,GSL802,GHHS065400AD,GSP3P604AL,GSP2P404AL,GSL809,GHHS065200AD,GSP1P904AL
GHHS065400AD 650V,340MΩ功率晶体管
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型号- GHHS065400AD
时代速信电力电子解决方案
描述- 时代速信成立于2017年,致力于打造第二代半导体GaAs、第三代半导体GaN,SiC的射频芯片/多功能芯片/电力电子产品及应用方案。截至目前,时代速信的产品广泛应用于5G基站、新能源汽车、PD快充、非通用型通信、白色家电等领域。
型号- GHHS065400AD,GHLS006010AQ,GHHD065400AQ,GHLS010036AD,GHHS065200AD,GHHD065200AQ,GHHD065080AT,GHHS065400CD,GHHS065200BD,GHHS065400BD,GHHS065200CD,GHHD065040AT,GHHS065080AQ,GHHS065040AQ,GHLS010036AQ
GHHS065200AD 650V,175mΩ功率晶体管
描述- 本资料介绍了GHHS065200AD这款650V增强型氮化镓高电子迁移率功率晶体管。该器件采用硅基氮化镓技术,具备低导通电阻、低输入电容和零反向恢复电荷等特点,适用于高功率密度、超高开关频率和高效率的应用场景。
型号- GHHS065200AD
GHHS065200AD初步数据手册
描述- 该资料介绍了GHHS065200AD这款基于E-mode GaN-on-silicon技术的650V N-channel Power GaNHEMT器件。产品具有极低的导通电阻、非常低的输入电容和零反向恢复电荷,适用于高功率密度、超高频切换和高效率的应用。
型号- GHHS065200AD
时代速信射频芯片选型表
提供时代速信低噪声放大器、功率放大器、射频芯片的选型,工作频率范围:30MHz-38GHz,P1dB:0.5dBm-27dBm,Pout:8W-1500W/40dBm-47dBm,增益:11.5dB-36.5dB,NF:1.1dB-5.5dB,Eff:0.25%-0.79%,Vcc:5V-50V,Id:16mA-560mA
产品型号
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品类
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Operational Frequency Range(MHz、GHz)
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P1dB(dBm)
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Gain(dB)
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NF(dB)
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Vcc(V)
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Id(mA)
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TC5985
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低噪声放大器
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5.9GHz-8.5GHz
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15dBm
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16dB
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1.1dB
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5V
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16mA
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选型表 - 时代速信 立即选型
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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