【产品】国产N沟道650V增强型HEMT功率管，具备极地导通电阻与输入/出电容，已成功应用于PD快充

时间： 2022-03-18 来源：时代速信

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N沟道650V增强型HEMT功率管,硅基氮化镓HEMT,GHHS065200AD,GHHS065400AD

时代速信作为一家致力于发展化合物半导体的民营公司，紧跟国家的发展战略，努力深耕于第三代半导体产业，并形成了以碳化硅基氮化镓和硅基氮化镓为核心的产品布局。近期，时代速信推出系列硅基氮化镓HEMT产品。该系列产品特别适用于高功率密度、超高开关频率和高效率的电源类应用场景，并且已完全应用于快充领域。由于工艺材料上的天然优势，硅基氮化镓器件与硅功率器件相比，开关频率可提升10倍，同时与其匹配的无源器件尺寸可大幅缩小，相应的最终电源产品，以PD快充为例，尺寸可缩小1/3。

时代速信此次推出的产品：GHHS065200AD，GHHS065400AD，均是N沟道650V增强型HEMT功率管，具有极低的导通电阻，极低的输入和输出电容，零反向恢复电荷。目前，市场对电源产品的效率要求越来越高，而GHHS065200AD在对应不同输入电压和输出规格的条件下与友商进行比较，其效率全方位均有提升。同时GHH065200AD已经完全通过可靠性测试认证。

使用GHHS065200AD的准谐振（QR）PD 65W Demo，方案成熟，性能优异实测效率可达92%。通过传导、辐射测试及3C认证，可完全商用。

基于OR模式的30W PD产品亦同时面市。

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本文由董慧转载自时代速信，原文标题为:紧跟国家发展战略，时代速信挑战“芯”高度，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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AI时代 Lv7. 资深专家 2022-03-25

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型号- GSL805,TC5985,GSL809AD,GSP2P204AL,GSL805AD,GSL802,GHHS065400AD,GSP3P604AL,GSP2P404AL,GSL809,GHHS065200AD,GSP1P904AL

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型号- GHHS065400AD,GHLS006010AQ,GHHD065400AQ,GHLS010036AD,GHHS065200AD,GHHD065200AQ,GHHD065080AT,GHHS065400CD,GHHS065200BD,GHHS065400BD,GHHS065200CD,GHHD065040AT,GHHS065080AQ,GHHS065040AQ,GHLS010036AQ

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射频芯片 GaN PA GaAs PA GaAs LNA Wi-Fi 6 IC

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时代速信射频芯片选型表

提供时代速信低噪声放大器、功率放大器、射频芯片的选型，工作频率范围:30MHz-38GHz，P1dB:0.5dBm-27dBm，Pout:8W-1500W/40dBm-47dBm，增益:11.5dB-36.5dB，NF:1.1dB-5.5dB，Eff:0.25%-0.79%，Vcc:5V-50V，Id:16mA-560mA

产品型号	品类	Operational Frequency Range(MHz、GHz)	P1dB(dBm)	Gain(dB)	NF(dB)	Vcc(V)	Id(mA)
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