【产品】高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ1315E/DMX1315E，漏源击穿电压130V

时间： 2022-05-31 来源：方丹微

技术问答

DMZ1315E/DMX1315E是方舟微(ARK)推出的一款耗尽型功率MOSFET，这种新型耗尽型MOSFET由方舟微使用专有的UltraVt®技术开发和制造。它有很高的阈值电压。通过使用亚阈值特性，耗尽型MOSFET（DMZ1315E/DMX1315E）可以为负载提供稳定的供电，并且输出电压可由内部钳位，无需齐纳二极管，还降低了电路消耗。漏源击穿电压130V（测试条件V_GS=-30V, I_D=250μA），栅源截止电压-17V至-27V（V_DS=9V, I_D=8μA），饱和漏源电流最小为100mA（测试条件V_GS=0V, V_DS=25V）。

封装及原理图：

产品特点：

改进的ESD能力

耗尽型（常开型）

专有的高级平面技术

专有的先进超高阈值电压技术

符合RoHS标准

无卤素

产品应用：

快充

电流源

电压源

Type C/PD型充电器

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方舟微耗尽型MOSFET选型表

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产品型号	品类	BVDSS (V)	RDSON(Ω) Typ.	ID (A)	VGS (V)	Package
DMZ1511NE	耗尽型MOSFET	150	10~25	0.1	-3.3~-1.5	SOT-23

选型表 - 方舟微立即选型

关于ARK（方舟微）产品在充电器上应用的说明

方舟微用于工控、汽车电子、物联网等领域的DMX(S)1072、DMX(S)4022E、DMZ1511E、DMD4523E等系列产品，以更优的特性代替传统电路中的JFET器件，特别适合对高电压、大电流电路的瞬态浪涌抑制、过压过流保护应用。产品满足宽温度范围、高防护等级、高抗振动性等要求，符合AEC-Q101标准，性能完全达到甚至超过国外同类产品.

应用方案发布时间 : 2024-10-30

CX1015/Ultrahigh Threshold Voltage Depletion- Mode Power MOSFET

型号- CX1015

数据手册 - 诚芯微 - 2022/5/24 PDF 英文下载

带ESD保护功能的耗尽型MOSFET：提升电子设计与制造的可靠性

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ARK Microelectronics Co., Ltd. Product Manual

型号- DMZ1315E,FTD06N70CG,DMW17002A,DMD4527,AKM120N080T3A,DMD4523E,DMP10003A,DMU4523D,DMB10080,DMZ6022E,DMX0602,FTP150N12,DMX1015E,FTD04N60AG,FTE10C35G,DMS1072,DMB17001A,DMX2023,DMX1315EL,FTP85N26L,AKF30N5P0SX,FTS10N15G,DMZ1521E,DMS6014E,DMX15C40EA,DMW10010A,DMU4527,FTZ30P35G,DMB16C20A,DMZ6005E,DMG2016A,FTU4N65CG,DMX5003,FTZ15N35G,AKM120N020T4A,FTB200N11,DMX1315E,DMX6022E,DMX4030,FTG08C20G,FTE02P15G,AKM120N040T3A,FTB80N3P5,DMZ1015E,DMZ1520E,DMB10003A,AKP10M60R,DMW1016A,DMZ1315EL,DMZ8502E,AKF20P45D,DMZ8510E,DMX1514E,DMZ20C15E-A,DMZ6012E,DMZ8530E,FTP60N16L,FTF100N7P5GX,FTP02P15G,DMX1072,AKM120N020T3A,FTE15C35G,AESD05V08ZS,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMA4523D,DMS2023,DMR1514E,DMZ1511E,FTE08C20G,FTF100N10GX,AKM120N080T4A,DMX5530E,FTS01N15G,DMZ8523E,FTF15C35G,AKC20N30DX,DMP5006A,DMB4523E,FTX15N35G,AESD12V04ZS,FTP40N1P5L,DMP4523D,FTX30P35G,DME6010D,DMB12008A,DMS4030,DMS4022E,DMB2014,DMS6013E,DMP10080

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