【产品】高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ1315E/DMX1315E,漏源击穿电压130V
![耗尽型功率MOSFET,DMZ1315E,DMX1315E,方舟微](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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DMZ1315E/DMX1315E是方舟微(ARK)推出的一款耗尽型功率MOSFET,这种新型耗尽型MOSFET由方舟微使用专有的UltraVt®技术开发和制造。它有很高的阈值电压。通过使用亚阈值特性,耗尽型MOSFET(DMZ1315E/DMX1315E)可以为负载提供稳定的供电,并且输出电压可由内部钳位,无需齐纳二极管,还降低了电路消耗。漏源击穿电压130V(测试条件VGS=-30V, ID=250μA),栅源截止电压-17V至-27V(VDS=9V, ID=8μA),饱和漏源电流最小为100mA(测试条件VGS=0V, VDS=25V)。
封装及原理图:
产品特点:
改进的ESD能力
耗尽型(常开型)
专有的高级平面技术
专有的先进超高阈值电压技术
符合RoHS标准
无卤素
产品应用:
快充
电流源
电压源
Type C/PD型充电器
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方舟微耗尽型MOSFET选型表
方舟微提供以下耗尽型MOSFET选型:BVDSS (V):60-1200,ID (A):0.01-17,RDSON(Ω) Max.:0.064-1000,提供SOT-223/SOT-89/SOP-8等多种封装,带ESD防护功能。
产品型号
|
品类
|
VTH (V)
|
ID (A)
|
RDSON(Ω) Typ.
|
Package
|
BVDSS (V)
|
RDSON(Ω) Max.
|
DMZ6005E
|
耗尽型MOSFET
|
-3.3~- 1.5
|
0.02
|
500
|
SOT-23
|
600
|
700
|
选型表 - 方舟微 立即选型
DMP03R120A\DMB03R120A 1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET Provisional Datasheet
型号- DMP80R120A,DMD80R120A,DMP03R120A,DMB03R120A
方舟微(ARK)耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南
描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案,ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新,是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发,以技术发展引导应用升级,是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
DMD01R120A\DMB01R120A 1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET Provisional Datasheet
型号- DMD01R120A,DMB01R120A
耗尽型MOSFET与JFET的比较
JFET的全称分为结型场效应晶体管,MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管(FET),场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率。应用场景包括RF技术、电路开关、功率控制以及放大电路。
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![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2023/07/985baefb090fe24c415786b209748786.png)
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2022/08/20afd0384d0f8bf7046fcc4f273a702c.png)
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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