【产品】高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ1315E/DMX1315E,漏源击穿电压130V

2022-05-31 方丹微
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DMZ1315E/DMX1315E方舟微(ARK)推出的一款耗尽型功率MOSFET,这种新型耗尽型MOSFET由方舟微使用专有的UltraVt®技术开发和制造。它有很高的阈值电压。通过使用亚阈值特性,耗尽型MOSFET(DMZ1315E/DMX1315E)可以为负载提供稳定的供电,并且输出电压可由内部钳位,无需齐纳二极管,还降低了电路消耗。漏源击穿电压130V(测试条件VGS=-30V, ID=250μA),栅源截止电压-17V至-27V(VDS=9V, ID=8μA),饱和漏源电流最小为100mA(测试条件VGS=0V, VDS=25V)。


封装及原理图:


产品特点:

改进的ESD能力

耗尽型(常开型)

专有的高级平面技术

专有的先进超高阈值电压技术

符合RoHS标准

无卤素


产品应用:

快充

电流源

电压源

Type C/PD型充电器


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方舟微提供以下耗尽型MOSFET选型:BVDSS (V):60-1200,ID (A):0.01-17,RDSON(Ω) Max.:0.064-1000,提供SOT-223/SOT-89/SOP-8等多种封装,带ESD防护功能。

产品型号
品类
VTH (V)
ID (A)
RDSON(Ω) Typ.
Package
BVDSS (V)
RDSON(Ω) Max.
DMZ6005E
耗尽型MOSFET
-3.3~- 1.5
0.02
500
SOT-23
600
700

选型表  -  方舟微 立即选型

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方舟微(ARK)耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南

描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案,ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新,是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发,以技术发展引导应用升级,是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。

型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E

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耗尽型MOSFET与JFET的比较

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