【产品】高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ1315E/DMX1315E，漏源击穿电压130V

时间： 2022-05-31 来源：方丹微

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DMZ1315E/DMX1315E是方舟微(ARK)推出的一款耗尽型功率MOSFET，这种新型耗尽型MOSFET由方舟微使用专有的UltraVt®技术开发和制造。它有很高的阈值电压。通过使用亚阈值特性，耗尽型MOSFET（DMZ1315E/DMX1315E）可以为负载提供稳定的供电，并且输出电压可由内部钳位，无需齐纳二极管，还降低了电路消耗。漏源击穿电压130V（测试条件V_GS=-30V, I_D=250μA），栅源截止电压-17V至-27V（V_DS=9V, I_D=8μA），饱和漏源电流最小为100mA（测试条件V_GS=0V, V_DS=25V）。

封装及原理图：

产品特点：

改进的ESD能力

耗尽型（常开型）

专有的高级平面技术

专有的先进超高阈值电压技术

符合RoHS标准

无卤素

产品应用：

快充

电流源

电压源

Type C/PD型充电器

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DMD21R120A 1200V N沟道耗尽型功率MOSFET临时数据手册

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型号- DMD21R120A

Jun. 2024 - 方舟微 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货

CX1015/超高阈值电压耗尽型功率MOSFET

描述- 该资料介绍了深圳市诚芯微科技股份有限公司生产的CX1015型超高压阈值电压耗尽模式功率MOSFET。该器件采用自主研发的超高阈值电压技术和平面技术，具有改进的电荷敏感能力、低导通电阻和良好的热特性。适用于快速充电器电流源和电压源等应用。

型号- CX1015

2022/5/24 - 诚芯微 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

方舟微耗尽型MOSFET选型表

方舟微提供以下耗尽型MOSFET选型：BVDSS (V)：60-1200，ID (A)：0.01-16，RDSON(Ω) Max.：0.064-1000，提供SOT-223/SOT-89/SOP-8等多种封装，带ESD防护功能。

产品型号	品类	BVDSS (V)	RDSON(Ω) Typ.	ID (A)	VGS (V)	Package
DMZ1511NE	耗尽型MOSFET	150	10~25	0.1	-3.3~-1.5	SOT-23

选型表 - 方舟微立即选型

DMP21R120A\DMB21R120A 1200V N沟道耗尽型功率MOSFET临时数据表

描述- 本资料为1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET的型录，介绍了该产品的特性、电气参数、封装尺寸和应用领域。产品具有快速开关速度、高输入阻抗等特点，适用于音频放大器、启动电路、保护电路等领域。

型号- DMB21R120A,DMP21R120A

Jun. 2024 - 方舟微 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货

解析耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

耗尽型MOSFET在电路设计中具有独特的优势，包括高输入阻抗、低漏电流、可调性和高速性。在稳压应用中，耗尽型MOSFET具有简化电路设计和宽泛的直流工作电压范围等优势；在过压保护应用中表现出色，既能实现PWM IC在宽电压范围输入下的供电需求，又能有效抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。

2024-08-31 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

DMD4523E耗尽型功率MOSFET

描述- 本资料介绍了DMD4523E型增强型耗尽模式MOSFET的特性及应用。该器件采用先进的平面技术，具有耐用的多晶硅栅极单元结构，符合RoHS标准且可提供无卤素版本。主要应用于瞬态保护、启动电路、转换器、常通开关、LED驱动电路、电源、电流源和电压源等领域。

型号- DMD4523E

May. 2022 - 方舟微 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

DMP80R120A\DMD80R120A 1200V N沟道耗尽型功率MOSFET临时数据表

描述- 本资料为1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET的预览数据手册，详细介绍了DMP80R120A和DMD80R120A两款产品的特性、电气参数、封装尺寸和应用领域。

型号- DMP80R120A,DMD80R120A

Jun. 2024 - 方舟微 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货

方舟微电子有限公司产品手册

描述- ARK Microelectronics Co., Ltd.是一家总部位于中国成都的半导体公司，成立于2008年。专注于功率半导体器件的研发、设计、制造和营销，提供电源管理和电路保护解决方案。公司专注于耗尽型MOSFET的设计，并提供定制开发和生产服务。产品广泛应用于充电器、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网等领域。

型号- DMZ1315E,FTD06N70CG,DMW17002A,DMD4527,AKM120N080T3A,DMD4523E,DMP10003A,DMU4523D,DMB10080,DMZ6022E,DMX0602,FTP150N12,DMX1015E,FTD04N60AG,FTE10C35G,DMS1072,DMB17001A,DMX2023,DMX1315EL,FTP85N26L,AKF30N5P0SX,FTS10N15G,DMZ1521E,DMS6014E,DMX15C40EA,DMW10010A,DMU4527,FTZ30P35G,DMB16C20A,DMZ6005E,DMG2016A,FTU4N65CG,DMX5003,FTZ15N35G,AKM120N020T4A,FTB200N11,DMX1315E,DMX6022E,DMX4030,FTG08C20G,FTE02P15G,AKM120N040T3A,FTB80N3P5,DMZ1015E,DMZ1520E,DMB10003A,AKP10M60R,DMW1016A,DMZ1315EL,DMZ8502E,AKF20P45D,DMZ8510E,DMX1514E,DMZ20C15E-A,DMZ6012E,DMZ8530E,FTP60N16L,FTF100N7P5GX,FTP02P15G,DMX1072,AKM120N020T3A,FTE15C35G,AESD05V08ZS,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMA4523D,DMS2023,DMR1514E,DMZ1511E,FTE08C20G,FTF100N10GX,AKM120N080T4A,DMX5530E,FTS01N15G,DMZ8523E,FTF15C35G,AKC20N30DX,DMP5006A,DMB4523E,FTX15N35G,AESD12V04ZS,FTP40N1P5L,DMP4523D,FTX30P35G,DME6010D,DMB12008A,DMS4030,DMS4022E,DMB2014,DMS6013E,DMP10080

2023/5/17 - 方舟微 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

关于ARK（方舟微）产品在充电器上应用的说明

方舟微用于工控、汽车电子、物联网等领域的DMX(S)1072、DMX(S)4022E、DMZ1511E、DMD4523E等系列产品，以更优的特性代替传统电路中的JFET器件，特别适合对高电压、大电流电路的瞬态浪涌抑制、过压过流保护应用。产品满足宽温度范围、高防护等级、高抗振动性等要求，符合AEC-Q101标准，性能完全达到甚至超过国外同类产品.

2024-10-30 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

DMW03R120A 1200V N沟道耗尽型功率MOSFET临时数据表

描述- 本资料为DMW03R120A型1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET的初步数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、电气参数、热特性、开关特性、二极管特性等，适用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流稳压器和有源负载等应用。

型号- DMW03R120A

Jun. 2024 - 方舟微 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货

带ESD保护功能的耗尽型MOSFET：提升电子设计与制造的可靠性

ARK（方舟微）系列产品 DMX1072（DMS1072）/DMS4022E （DMX4022E）均带ESD保护功能。其ESD保护测试采用通用的美国电子工业协会 JEDEC EIA/JESD22-A114（HBM）标准，人体放电模式的ESDVESD（G-S）分别达到1700/3500V，可以对各种环境下的静电干扰起到很好防护作用，大大增加了系统的安全性和稳定性。本文分别就ESD保护进行分析比较。

2024-10-09 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货