【产品】高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ1315E/DMX1315E，漏源击穿电压130V

时间： 2022-05-31 来源：方丹微

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DMZ1315E/DMX1315E是方舟微(ARK)推出的一款耗尽型功率MOSFET，这种新型耗尽型MOSFET由方舟微使用专有的UltraVt®技术开发和制造。它有很高的阈值电压。通过使用亚阈值特性，耗尽型MOSFET（DMZ1315E/DMX1315E）可以为负载提供稳定的供电，并且输出电压可由内部钳位，无需齐纳二极管，还降低了电路消耗。漏源击穿电压130V（测试条件V_GS=-30V, I_D=250μA），栅源截止电压-17V至-27V（V_DS=9V, I_D=8μA），饱和漏源电流最小为100mA（测试条件V_GS=0V, V_DS=25V）。

封装及原理图：

产品特点：

改进的ESD能力

耗尽型（常开型）

专有的高级平面技术

专有的先进超高阈值电压技术

符合RoHS标准

无卤素

产品应用：

快充

电流源

电压源

Type C/PD型充电器

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