【产品】ROHM 750V/26mΩ N沟道SiC功率MOSFET SCT4026DE,脉冲漏极电流达91A

2022-05-31 ROHM
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ROHM(罗姆)半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一,其推出的SCT4026DE是一款N沟道SiC功率MOSFET,该器件具有导通电阻低、开关速度快、反向恢复快等特点。SCT4026DE是一款有助于应用小型化和低功耗的SiC MOSFET,属于第4代产品,可在不牺牲短路耐受时间的情况下实现行业领先的低导通电阻。与传统产品相比,其导通电阻降低约40%,开关损耗降低约50%,15V的栅源电压使应用设计更容易。该器件可用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热、马达驱动领域,其实物及内部电路如下图所示。


特点:                                                                       

● 导通电阻低
● 开关速度快
● 反向恢复快
● 易于并联
● 驱动简单
● 采用TO-247N封装,符合RoHS规范

 

应用:

● 太阳能逆变器

● DC/DC转换器

● 开关电源

● 感应加热

● 马达驱动

 

绝对最大额定值 (Tc=25°C)

*1 受限于最大Tvj 和 Max. RthJC

*2 PW≤10μs,占空比≤1%

*3 仅适用于体二极管,重复脉冲,PW≤500ns,占空比≤5%

*4 用作保护功能时,PW≤10μs

*5 可接受的VGS波形示例

*6 请注意不要使用VGS低于10V的SiC-MOSFET,否则可能会导致热失控。


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