【选型】直流充电桩用SIC MOS推荐罗姆SCT2120AF，漏极电流29A，导通电阻低至120mΩ

时间： 2022-08-11 来源：世强

技术问答

随着新能源技术的发展，充电桩的市场需求在逐步的扩大，直流充电桩凭借着效率高，充电速度快的特点，比交流充电桩更具市场竞争力。充电桩通常由功率单元，主控单元，计量单元，人机交互，输入输出端口等几大部分构成，其中功率单元作为充电桩重要的功率调配和功率控制单元，很大程度上决定了充电桩的性能好坏。

有客户在设计一款直流充电桩时，在全桥逆变电路中需要采用650V，30A左右SIC MOS，要求小封装，耐温150摄氏度以上。本文给客户推荐一款ROHM（罗姆）的N沟道碳化硅MOS管 SCT2120AF，其最大漏源电压为650V，持续漏极电流为29A，其结温热阻典型值为0.7℃/W，功耗最大为165W，非常适合用于大功率，对温度要求较高的场合。

图1 . SCT2120AF在直流充电桩中的应用

SCT2120AF在直流充电桩中的优势：

1. 120mΩ低导通电阻以及快恢复时间，使得效率更高，开关损耗小；

2. 650V耐压，工作电流29A，峰值电流72A，具备较大的电流承载能力，可避免器件受浪涌造成的冲击损坏；

3. 工作温度-55~175℃，能够承受大功率下发热问题，可适应极端环境工作。

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ROHM停产及即将停产料号表

型号- 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

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【经验】以SIC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略

在SiC MOS应用中，通常在mos关断过程中存在较大的Vds尖峰，主要原因在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中，并与开关元件的寄生电容共振所产生的。本文将以ROHM SiC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略。

设计经验发布时间 : 2019-11-28

先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

逆变器技术正在突飞猛进地发展，并已成为包括工业应用在内的各种能源设备不可或缺的组成部分。利用这项技术，可以通过将直流电转换为交流电并根据需要优化供电，来减少能源浪费并延长设施和设备的使用寿命。另外，通过使用符合应用需求和目的的理想半导体解决方案，可以进一步提高逆变器的功率转换效率。罗姆通过推动先进功率元器件和模拟IC在逆变器中的应用，来促进各种设备的节能，从而为实现可持续发展社会贡献力量。

应用方案发布时间 : 2024-05-17

【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%

新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。

应用方案发布时间 : 2022-03-05

成都蓉矽半导体有限公司

型号- NE1D120C40GTD,NCD20S30SRD,NCD20S30TTD,NCD30S30TTD,NE1M120C40HT,NE1D120C20KT,NC1D120C30W,NCD30S20TTD,NC1D120C10W,NCD15S15W,NCD30S15W,NCD30S40TTD,NCD20S10DR,NC1M120C75GT,NC1M120C75W,NCD30S20TTDL,NE1D120C20GTD,NCD15S20TTDL,NE1M120C40W,NCD20S15W,NC1M120C75RR,NE1D120C60GTD,NC1D200C25W,NE1D120C10W,NCD30S20W,NE1D120C30W,NC1D120C60GTD,NE1M120C40GT,NE1M120C12W,NC1D120C20KT,NE1M120C12HT,NE1M120C75HT,NC1D120C20GTD,NE1M120C75W,NCD15S30TTD,NC1D120C20W,NCD15S20FTD,NC1M120C40HT,NE1D120C20AT,NC1D120C10AT,NCD20S20TTDL,NC1D120C30KT,NCD30S20DR,NE1M120C75GT,NC1D120C40GTD,NE1D120C30KT,NC1D200C25KT,NE1M120C75RR,NC1M120C75HT,NC1M120C40GT,NE1D120C10AT,NE1D120C20W,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NCD30S10W,NC1M120C40W,NC1D120C20AT

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