【选型】直流充电桩用SIC MOS推荐罗姆SCT2120AF,漏极电流29A,导通电阻低至120mΩ
随着新能源技术的发展,充电桩的市场需求在逐步的扩大,直流充电桩凭借着效率高,充电速度快的特点,比交流充电桩更具市场竞争力。充电桩通常由功率单元,主控单元,计量单元,人机交互,输入输出端口等几大部分构成,其中功率单元作为充电桩重要的功率调配和功率控制单元,很大程度上决定了充电桩的性能好坏。
有客户在设计一款直流充电桩时,在全桥逆变电路中需要采用650V,30A左右SIC MOS,要求小封装,耐温150摄氏度以上。本文给客户推荐一款ROHM(罗姆)的N沟道碳化硅MOS管SCT2120AF,其最大漏源电压为650V,持续漏极电流为29A,其结温热阻典型值为0.7℃/W,功耗最大为165W,非常适合用于大功率,对温度要求较高的场合。
图1 . SCT2120AF在直流充电桩中的应用
SCT2120AF在直流充电桩中的优势:
1. 120mΩ低导通电阻以及快恢复时间,使得效率更高,开关损耗小;
2. 650V耐压,工作电流29A,峰值电流72A,具备较大的电流承载能力,可避免器件受浪涌造成的冲击损坏;
3. 工作温度-55~175℃,能够承受大功率下发热问题,可适应极端环境工作。
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ROHM停产及即将停产料号表
型号- RBR2LAM30ATFTR,BR93G76-3B,RBR15BM30AFHTL,R6520KNZC8,VDZT2R20B,BD7F200HFN-LBTR,R6576ENZ1C9,SCS220KE2HRC,R6035ENZ1C9,DAP222MT2L,SCS230KE2HRC11,BP5045A5,RBS1LAM40ATR,RBR10NS30ATL,BR24G512-3A,SCS210AGCZ,RBQ15BM65AFHTL,BM6244FS-E2,RBR20BM40AFHTL,RBR5L30ADDTE25,RBR3L40CDDTE25,SCT2080KEHRC11,RBR2MM30ATFTR,LA-301VL,VDZFHT2R13B,VDZT2R5.1B,R6030ENZ1C9,RBR5LAM40ATFTR,BR93L86-W,RBR40NS30AFHTL,RBE07V20ATE-17,LA-301VB,SH8K10SGZETB,DAP222MFHT2L,BR93G76-3A,BA3308F-E2,BD8316GWL-E2,BM2P163W-Z,BD2052AFJ-E2,VDZT2R30B,RBR40NS30ATL,VDZFHT2R36B,VDZT2R4.3B,BM6240FS-E2,VDZFHT2R24B,VDZT2R3.6B,SML-D13FWT86,RBR3LAM40ATFTR,BP5222A,BA78M18CP-E2,RBQ30T45AHZC9,RB521S-30TE61,RBE1KA20ATR,BR24G32-3A,BR24T02-W,BR24G64QUZ-3ATR,RBE05SM20AT2R,SCT2120AFCU,BU21028FV-ME2,RBQ20NS65AFHTL,RBR3LAM40CTR,RBQ20BM65ATL,BP5039A,RBR3MM30ATR,SCS240AE2GC11,BP5221A,SCT2450KEC,RBR20NS30AFHTL,R6035KNZC8,SCT2280KEC,RBR1VWM60ATR,RBQ20T65AHZC9,RBQ30T65AHZC9,RBR20T40ANZC9,BR93G66-3B,BR93G66-3A,BA12004BF-E2,VDZT2R5.6B,RBR3LAM60ATR,BP5728,RBQ10NS45ATL,RBR3LAM60BTFTR,BR24T01-W,RBR3MM40BTR,RBS1MM40ATR,BM6248FS-E2,VDZFHT2R33B,VDZT2R6.2B,BA7810CP-E2,RBE05VM20ATE-17,RBR30NS40AFHTL,RBR2MM30ATR,R6524KNZC8,LM4559F-GE2,SCS210KE2GC11,RB520AS-40T2R,RBR40NS60AFHTL,SCS240KE2GC11,BR24G32-3,BR24T128-W,BP5048-15,R6015KNZC8,RBR15BM30ATL,R6515KNZC8,R6020ENZ1C9,RBQ15BM45ATL,RB520G-40FHT2R,VDZT2R4.7B,BU4094BC,RBR30T60AHZC9,BM6247FS-E2,BSS64T116,RBR3LAM60BTR,RGTV00TK65DGC11,RBQ10BM65AFHTL,SCS230AE2CZ,BR24G64-3A,BM92A35MWV-ZE2,RBE05AS20AT2R,RBR3MM40ATR,RBR3L60ADDTE25,BU90RT102-E2,DA221MFHT2L,BU4069UB,RBR3LAM40BTFTR,RBR20T30AHZC9,RB886GT2R,RBR1L40ADDTE25,BP5048-24,SCS220AECZ,R6020KNZ1C9,VDZT2R3.9B,SCS240AE2CZ,1SS390FHTE61,BU64980AGWZ-TR,RBR5LAM60ATFTR,RBR20BM60ATL,BR24G08-3A,BD90C0AFP2-CE2,RBR3LAM30BTR,RBS5LAM40ATR,RBR1MM30ATFTR,BM92T50MWV-ZE2,RBS3LAM40CTR,SCS220KE2CZ,SCS240AE2HRC11,RBR3L60BDDTE25,VDZFHT2R9.1B,R6524ENZC8,SCS230KE2GC11,RBQ30TB45BNZC9,RBQ30NS100AFHTL,RBR30T30ANZC9,RBR15BM60AFHTL,R6047MNZC8,RBR10T30AHZC9,1SS400TE61,BR93G56-3B,BR93G56-3A,RBR5LAM30BTFTR,KA2003-BE51A,BP5063-5,RBR5L40ADDTE25,SCS212AGCZ,BR25G256-3,SCS240KE2HRC11,RBR3L40ADDTE25,RSB6.8GFHT2R,RBR2VWM40ATFTR,RBR20BM30ATL,R6020KNZC8,R6535KNZC8,RBR20T60ANZC9,BM2P01B-Z,BP5038A1,BM6226FS-E2,BM28723AMUV-DE2,RN262GT2R,RB520ZS8A30TE61,RBR3MM40ATFTR,R6047MNZ1C9,RBR2MM40ATR,RBR15BM40ATL,RBR3LAM30ATR,RBR2L40ADDTE25,VDZFHT2R6.8B,BM6224FS-E2,BD6517F-E2,RBQ20T45ANZC9,BR93G46-3,BD37215MUV-E2,SCT2120AFC,RBR3MM30ATFTR,BR24T32-W,RBR20NS40AFHTL,BP5039-15,BR24G1M-3A,RBR3MM60BTFTR,BA78M07FP-E2,RBR2L60BDDTE25,RBR10BM60AFHTL,BD3811K1,RBR3LAM40CTFTR,RBR1L60ADDTE25,BR24G04-3,BD8668GW-E2,BSS4130T116,RBR30NS60AFHTL,BM2P01A-Z,RBR2MM30BTR,SCS230KE2CZ,RN142ZS12ATE61,BU9795BGUW-ZE2,RN142GT2R,BM92A70MWV-ZE2,BR24G16-3,BR24G04-3A,BP5053-12,RBR3L40BDDTE25,BM6249FS-E2,RBR10NS40ATL,SCT2080KEC,RBQ20BM45ATL,BD80C0AWFP2-CE2,VMZ6.8NT2L,RBR20NS60AFHTL,RBQ15BM100AFHTL,BU4051BC,RN141GT2R,BH7881EFV-E2,R6030KNZC8,RBR3MM60BTR,BR24G256-3A,RBR2LAM60BTR,BD37210MUV-E2,RBR20BM40ATL,R6024ENZ1C9,RBR10NS30AFHTL,R6020JNZC8,SCS210KE2CZ,RBS3MM40ATR,BR24G01-3,RBR20BM30AFHTL,RBR3LAM40BTR,BP5324A,BR93G56-3,SML013WBDW1,RBR10T40AHZC9,RBR10NS60AFHTL,RBR10BM60ATL,SML-D12FWT86,R6076ENZ1C9,RBR2MM40CTR,RBR20BM60AFHTL,BM2P11A-Z,BM81028AMWV-ZE2,VDZFHT2R16B,BR24G16-3A,RBR3MM60ATFTR,BU4551B,BD80C0AFP2-CE2,RBR20NS30ATL,RBQ10BM65ATL,BM92A31MWV-ZE2,RB521ZS8A30TE61,BU4052BC,SCS210KGCZ,RBR3MM60ATR,RBR2LAM60ATR,RBQ20NS45ATL,BD3021HFP-TR,RN141STE61,RBQ30T100ANZC9,RBS3MM40BTR,BD8317GWL-E2,SCH2080KECZ,RBR10T60AHZC9,RBQ10T65AHZC9,BD00C0AWFP2-CE2,RBQ15BM65ATL,R6547KNZ1C9,BR24G02-3,BD91411GW-E2,RBR10BM30AFHTL,RBQ10NS65ATL,RBR3LAM40ATR,BD3020HFP-TR,RBR1MM30ATR,R6524ENZ1C9,RBR10NS40AFHTL,RBR2MM40BTR,RBR1VWM30ATFTR,BR24G256-3,RBQ30T45ANZC9,RBR30T60ANZC9,RBQ30NS45ATL,R6024ENZC8,BP5122,VDZFHT2R6.2B,R6030JNZC8,DAN222MT2L,SCS205KGCZ,BR24G128-3A,RB520G-30FHT2R,BR93G66-3,BD26503GUL-E2,BM6213FS-E2,SH2002-DC90A,R6024KNZ1C9,R6530ENZ1C9,BD7F100HFN-LBTR,RBQ20T65ANZC9,RBR20T30ANZC9,RBQ10T45AHZC9,VDZFHT2R5.6B,SLA-360MT3FXG,RBR1MM60ATFTR,RB751G-40FHT2R,R6025JNZC8,RBR2LAM40ATR,BA3308FV-E2,RBR10BM40AFHTL,BP5047B15,RBR2MM60CTFTR,KD2004-DEFW00A,BR24G02-3A,BR24T64-W,RBQ20NS65ATL,BP5055-12,KMX62-1031-FR,RBR3LAM30ATFTR,BM533Q11-Z,R6524KNX1C10,BM6246FS-E2,SCS220KE2GC11,BU4030B,BP5067-12,RZ2L18CGNC11,RBS2LAM40CTR,RBR20NS40ATL,BP5067-15,RBR2MM40ATFTR,FDZT27R6.2,SCS240KE2CZ,BR24G08-3,SCS215AECZ,BP5720-5,RBR10BM40ATL,R6520KNX1C10,FDZT27R6.8,R6530KNZC8,RBR2MM60ATR,BD2045AFJ-E2,R6047ENZ1C9,1SS400GT2R,RBR1LAM60ATR,BR93G46-3B,BR93G46-3A,RBR15BM60ATL,RBS2MM40ATR,BU4066BC,BD8665GW-E2,RBR5LAM40ATR,RBQ10NS45AFHTL,RB520G-40T2R,BR24G16QUZ-3TR,BR93G76-3,RBR5LAM30ATFTR,RBQ10NS100ATL,RBR10NS60ATL,BA12003BF-E2,RX1G08CGNC10,RBR1MM40ATR,BA6247FP-YE2,RB521AS-40T2R,RBR2LAM30ATR,RBR5L30BDDTE25,BD90C0AWFP2-CE2,SCS220AE2CZ,RBR3MM40BTFTR,BSS63HZGT116,BA78M07CP-E2,SCT2160KEC,BH7884EFV-E2,RBR2L30ADDTE25,BP5048,BD33C0AFP2-CE2,RBS3LAM40ATR,RBR1VWM30ATR,RBQ10NS65AFHTL,RBR30NS30ATL,RBR40NS40AFHTL,VDZFHT2R5.1B,BP5033-12,RBR2MM60BTR,SCH2080KEC,RBS2MM40BTR,RBR
先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能
逆变器技术正在突飞猛进地发展,并已成为包括工业应用在内的各种能源设备不可或缺的组成部分。利用这项技术,可以通过将直流电转换为交流电并根据需要优化供电,来减少能源浪费并延长设施和设备的使用寿命。另外,通过使用符合应用需求和目的的理想半导体解决方案,可以进一步提高逆变器的功率转换效率。罗姆通过推动先进功率元器件和模拟IC在逆变器中的应用,来促进各种设备的节能,从而为实现可持续发展社会贡献力量。
应用方案 发布时间 : 2024-05-17
【经验】以SIC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略
在SiC MOS应用中,通常在mos关断过程中存在较大的Vds尖峰,主要原因在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中,并与开关元件的寄生电容共振所产生的。本文将以ROHM SiC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略。
设计经验 发布时间 : 2019-11-28
【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%
新能源汽车的快速发展,带来充电的需求,为了满足电动汽车的快速充电,充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用,本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%。
应用方案 发布时间 : 2022-03-05
成都蓉矽半导体有限公司
型号- NE1D120C40GTD,NCD20S30SRD,NCD20S30TTD,NCD30S30TTD,NE1M120C40HT,NE1D120C20KT,NC1D120C30W,NCD30S20TTD,NC1D120C10W,NCD15S15W,NCD30S15W,NCD30S40TTD,NCD20S10DR,NC1M120C75GT,NC1M120C75W,NCD30S20TTDL,NE1D120C20GTD,NCD15S20TTDL,NE1M120C40W,NCD20S15W,NC1M120C75RR,NE1D120C60GTD,NC1D200C25W,NE1D120C10W,NCD30S20W,NE1D120C30W,NC1D120C60GTD,NE1M120C40GT,NE1M120C12W,NC1D120C20KT,NE1M120C12HT,NE1M120C75HT,NC1D120C20GTD,NE1M120C75W,NCD15S30TTD,NC1D120C20W,NCD15S20FTD,NC1M120C40HT,NE1D120C20AT,NC1D120C10AT,NCD20S20TTDL,NC1D120C30KT,NCD30S20DR,NE1M120C75GT,NC1D120C40GTD,NE1D120C30KT,NC1D200C25KT,NE1M120C75RR,NC1M120C75HT,NC1M120C40GT,NE1D120C10AT,NE1D120C20W,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NCD30S10W,NC1M120C40W,NC1D120C20AT
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
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