【选型】用于充电桩产品的SiC MOSFET/SBD器件推荐，实现高效化和小型化

时间： 2020-01-18 来源：世强

技术问答

随着新能源汽车的日益普及，充电桩开始遍及人们日常生活的各个角落，由此对充电桩的充电效率和整体体积的要求越来越高，ROHM针对这一需求，推出新一代的SiC器件，在充电桩上的应用，可以提高整机的充电效率，减少原有的器件应用数量，减小充电桩体积。

目前市场上充电桩主流的原理拓扑图如图1所示，输入交流电经过整流PFC电路后，再LLC功率隔离转换电路，最后二次整流电路输出。初期电路多采用Coolmos加FRD的功率器件来做，为了提高充电桩的整体工作效率，以上三个电路中均可以采用SiC器件，工作频率得以提升，从而也提高了充电桩的充电工作效率。

图1 充电桩主流的原理拓扑示意图

如图2所示，是采用两种不同功率器件的电路拓扑对比图，左边是采用了Coolmos加FRD的功率器件，采用了8只门极隔离驱动芯片，8只650V的Coolmos和8只650V的FRD；而右边仅采用了4只门极隔离驱动芯片，4只1200V的SiC MOSFET和4只1200V的SiC-SBD或者FRD。可以看出，采用SiC功率器件，整体电路器件减少，同时由于采用SiC器件，工作的开关频率得以提高，其电路中的磁性器件体积也可以减小，总的来说，充电的整体体积可以减小。

图2 采用普通Si功率器件和SiC功率器件的充电桩电路拓扑对比图

针对充电桩的SiC器件需求，ROHM推出了新一代的SiC器件，如图3所示，是ROHM的SiC MOSFET和SiC-SBD器件产品选型示意图，其中SiC MOSFET涵盖了耐压650V/1200V/1700V，导通电阻17mΩ到1150mΩ，封装有TO-220AB、TO-247、TO-3PFM插件封装和TO-268贴片封装。SiC-SBD涵盖了耐压650V/1200V，电流从2A到40A，封装有TO-220ACP/FM、TO-247、TO-3PFM插件封装和TO-263贴片封装。

图3 ROHM SiC功率器件产品选型示意图

以目前市场主流的充电桩来说，多以15-20KW的充电模块并联构成，单个15-20KW的充电模块，其LLC一般推荐选取ROHM 1200V的SCT3XXXKL系列SiC MOSFET替代传统的Coolmos，根据功率推荐40mΩ或者80mΩ的管子，只需要4只，而用传统650V的Coolmos则需要8只，因此可以有效减少整体电路器件，提高效率。除此之外ROHM有专属配套的SiC驱动方案，应用设计更方便。同样输出整流可以采用SCS2XXKE系列1200V的SiC-SBD，做高频交流的二次整流，由于ROHM的SiC-SBD具有低压降VF和低漏电流IR的优点，可以提高充电效率。

综上所述，采用ROHM SIC器件虽然单体成本偏高，但整体器件数量减半，同时磁芯器件的成本也可以降低，这样确保整体成本几乎不增加的前提下，充电效率得以提高，同时体积可以减小。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Bob提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【选型】国产SIC MOSFET ASC100N650MT4用于直流充电桩，导通电阻低至16毫欧

某客户在直流充电桩项目上需求一款低导通电阻（30毫欧内）的SIC MOSFET：650V/75A，宽电压输入85~264VAC，用来提高整机系统的充电效率，要求在94%以上推荐爱仕特型号：ASC100N650MT4。

器件选型发布时间 : 2022-01-06

【选型】20KW充电桩碳化硅MOS管的选型考量

改善的MOS管沿用了TO-247封装的简易安装技术，同时还增加了漏、源引脚之间的爬电距离，提高了电压隔离的安全性。

器件选型发布时间 : 2017-05-19

【选型】不同功率的充电桩设计方案全攻略

CREE 1200V的SIC MOSFET C2M系列，在低导通电阻下具有高阻断电压，便于并联使用，非常容易驱动。

器件选型发布时间 : 2017-01-16

瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案

作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。

产品发布时间 : 2024-08-06

澜芯半导体车规级SiC MOSFET/ IGBT等功率器件授权世强硬创代理

1200V 40mΩ SiC MOSFET和基于第二代工艺平台开发的1200V 12mΩ SiC MOSFET单芯片流片取得巨大成功，平均良率达到90%以上。

签约新闻发布时间 : 2023-10-18

ROHM提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件，轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能，并能进一步推动功率元器件的使用。

产品发布时间 : 2024-09-15

鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务

鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。

厂牌及品类发布时间 : 2024-01-09

ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）

描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR

选型指南 - ROHM - 2024/2/27 PDF 中文下载

内置SiC-SBD的SiC-MOSFET产品规格表中记载的二极管规格是体二极管的还是SiC-SBD的？

连接于内部，不能从外部分离出特性。但是SiC-SBD的VF小，通常使用范围内只在SiC-SBD流过正向电流，因此If-Vf特性、反向恢复特性基本上是SiC-SBD的特性。

技术问答发布时间 : 2024-08-30

【元件】扬杰科技推出TOLL封装的SiC MOSFET产品，非常适合大功率、大电流、高可靠性等应用场景

随着新能源市场进入高速发展期，功率器件也需要提供更高的效能，功率分立器件的封装技术也需持续进步。随着下游市场的多样化需求增长，功率分立器件封装产品也逐渐向定制化和专业化方向发展，扬杰科技推出了一系列TOLL封装的SiC MOSFET产品,非常适合大功率、大电流、高可靠性等应用场景的需求。

产品发布时间 : 2024-06-13

【应用】采用开环LLC＋电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计

国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%，揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。

应用方案发布时间 : 2020-12-29

TOLL Package SiC MOSFET New Product Announcement

型号- YJD212080TLG1,YJD206520TLGH,YJD212060TLGH

商品及供应商介绍 - 扬杰科技 - 2024/6/18 PDF 英文下载

ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）

目录- SiC MOSFETs

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR

选型指南 - ROHM - Edition 2022 - 2022/8/3 PDF 英文下载查看更多版本