【选型】用于充电桩产品的SiC MOSFET/SBD器件推荐,实现高效化和小型化
随着新能源汽车的日益普及,充电桩开始遍及人们日常生活的各个角落,由此对充电桩的充电效率和整体体积的要求越来越高,ROHM针对这一需求,推出新一代的SiC器件,在充电桩上的应用,可以提高整机的充电效率,减少原有的器件应用数量,减小充电桩体积。
目前市场上充电桩主流的原理拓扑图如图1所示,输入交流电经过整流PFC电路后,再LLC功率隔离转换电路,最后二次整流电路输出。初期电路多采用Coolmos加FRD的功率器件来做,为了提高充电桩的整体工作效率,以上三个电路中均可以采用SiC器件,工作频率得以提升,从而也提高了充电桩的充电工作效率。
图1 充电桩主流的原理拓扑示意图
如图2所示,是采用两种不同功率器件的电路拓扑对比图,左边是采用了Coolmos加FRD的功率器件,采用了8只门极隔离驱动芯片,8只650V的Coolmos和8只650V的FRD;而右边仅采用了4只门极隔离驱动芯片,4只1200V的SiC MOSFET和4只1200V的SiC-SBD或者FRD。可以看出,采用SiC功率器件,整体电路器件减少,同时由于采用SiC器件,工作的开关频率得以提高,其电路中的磁性器件体积也可以减小,总的来说,充电的整体体积可以减小。
图2 采用普通Si功率器件和SiC功率器件的充电桩电路拓扑对比图
针对充电桩的SiC器件需求,ROHM推出了新一代的SiC器件,如图3所示,是ROHM的SiC MOSFET和SiC-SBD器件产品选型示意图,其中SiC MOSFET涵盖了耐压650V/1200V/1700V,导通电阻17mΩ到1150mΩ,封装有TO-220AB、TO-247、TO-3PFM插件封装和TO-268贴片封装。SiC-SBD涵盖了耐压650V/1200V,电流从2A到40A,封装有TO-220ACP/FM、TO-247、TO-3PFM插件封装和TO-263贴片封装。
图3 ROHM SiC功率器件产品选型示意图
以目前市场主流的充电桩来说,多以15-20KW的充电模块并联构成,单个15-20KW的充电模块,其LLC一般推荐选取ROHM 1200V的SCT3XXXKL系列SiC MOSFET替代传统的Coolmos,根据功率推荐40mΩ或者80mΩ的管子,只需要4只,而用传统650V的Coolmos则需要8只,因此可以有效减少整体电路器件,提高效率。除此之外ROHM有专属配套的SiC驱动方案,应用设计更方便。同样输出整流可以采用SCS2XXKE系列1200V的SiC-SBD,做高频交流的二次整流,由于ROHM的SiC-SBD具有低压降VF和低漏电流IR的优点,可以提高充电效率。
综上所述,采用ROHM SIC器件虽然单体成本偏高,但整体器件数量减半,同时磁芯器件的成本也可以降低,这样确保整体成本几乎不增加的前提下,充电效率得以提高,同时体积可以减小。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Bob提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【选型】充电桩DC-DC转换电路拓扑结构该如何选择?
在充电桩应用中,DC-DC转换电路拓扑结构到底应该采用三电平LLC串联谐振全桥?还是采用二电平LLC串联谐振全桥?本文带你探秘。用于DC-DC转换的功率开关器件主要有IGBT,Cool MOS和SIC MOSFET等,它们各有优缺点。Vincotech公司目前推出了基于INFINEON第五代高速H5的IGBT功率模块,其比基于INFINEON第三代高速H3的IGBT功率模块,性能有明显的提高。
【选型】国产SIC MOSFET ASC100N650MT4用于直流充电桩,导通电阻低至16毫欧
某客户在直流充电桩项目上需求一款低导通电阻(30毫欧内)的SIC MOSFET:650V/75A,宽电压输入85~264VAC,用来提高整机系统的充电效率,要求在94%以上推荐爱仕特型号:ASC100N650MT4。
【选型】20KW充电桩碳化硅MOS管的选型考量
改善的MOS管沿用了TO-247封装的简易安装技术,同时还增加了漏、源引脚之间的爬电距离,提高了电压隔离的安全性。
瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商,瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案,覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。
蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩,减少50%器件用量,助力800V高压快充充电桩行业发展
基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便,可简化系统拓扑,减少50%的器件用量,助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,最大可持续电流达75A。
派恩杰首推2000V SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核!
产品不停迭代、技术不断升级,派恩杰在2024年第三季度首次推出2000V 45m2 SiC MOSFET产品。本次首推2000V 45mΩ SiC MOSFET已经成功通过HV-H3TRB考核,且经历HV-H3TRB考核后器件各项电性参数均无显著变化,充分证明其在极端运行环境下的优良耐受能力,确保在实际应用中的稳定性和安全性。
ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(中文)
描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
【应用】采用开环LLC+电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计
国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%,揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。
【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET,采用开尔文接触,工作温度175℃
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品,产品均采用开尔文接触,明显减少了开关时间,降低了开关损耗,支持更高频率的应用与动态响应;同时相比插脚器件降低了电路板空间,增加了电路板的集成化,非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
ROHM(罗姆)SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(英文)
目录- SiC MOSFETs
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
SiC MOSFET损耗计算方法:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章(《SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法》)中测得的开关波形,使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
派恩杰首推2000V/45mΩ SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核
派恩杰首推2000V SiC MOSFET,成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核,适用于耐压1500V以上的应用,在不增加电流的情况下显著提高了功率,同时又减少了系统成本。
【元件】新动向 | 爱仕特内绝缘型SiC MOSFET,内置陶瓷片优化绝缘和导热性能,为高效能应用提供新选项
爱仕特始终秉承创新理念,近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸,通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能,背面散热器做了悬浮电位设计,减少了外部绝缘材料依赖,降低了材料老化导致的长期运行故障风险,增强了产品可靠性和耐用性。
【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%
新能源汽车的快速发展,带来充电的需求,为了满足电动汽车的快速充电,充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用,本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%。
瑶芯SiC MOSFET荣获第十九届“中国芯”优秀技术创新产品奖
2024年11月7日,国内集成电路行业最受瞩目的年度评选—“中国芯”优秀产品征集结果在珠海正式揭晓,瑶芯微SiC MOSFET/AK1CK2M040WAM以技术创新性和优异的产品性能表现,在众多参评产品中脱颖而出,荣获2024年第十九届“中国芯”优秀技术创新产品奖。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论