【选型】用于充电桩产品的SiC MOSFET/SBD器件推荐,实现高效化和小型化

2020-01-18 世强
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随着新能源汽车的日益普及,充电桩开始遍及人们日常生活的各个角落,由此对充电桩的充电效率和整体体积的要求越来越高,ROHM针对这一需求,推出新一代的SiC器件,在充电桩上的应用,可以提高整机的充电效率,减少原有的器件应用数量,减小充电桩体积。


目前市场上充电桩主流的原理拓扑图如图1所示,输入交流电经过整流PFC电路后,再LLC功率隔离转换电路,最后二次整流电路输出。初期电路多采用Coolmos加FRD的功率器件来做,为了提高充电桩的整体工作效率,以上三个电路中均可以采用SiC器件,工作频率得以提升,从而也提高了充电桩的充电工作效率。

图1 充电桩主流的原理拓扑示意图


如图2所示,是采用两种不同功率器件的电路拓扑对比图,左边是采用了Coolmos加FRD的功率器件,采用了8只门极隔离驱动芯片,8只650V的Coolmos和8只650V的FRD;而右边仅采用了4只门极隔离驱动芯片,4只1200V的SiC MOSFET和4只1200V的SiC-SBD或者FRD。可以看出,采用SiC功率器件,整体电路器件减少,同时由于采用SiC器件,工作的开关频率得以提高,其电路中的磁性器件体积也可以减小,总的来说,充电的整体体积可以减小。

图2 采用普通Si功率器件和SiC功率器件的充电桩电路拓扑对比图


针对充电桩的SiC器件需求,ROHM推出了新一代的SiC器件,如图3所示,是ROHM的SiC MOSFET和SiC-SBD器件产品选型示意图,其中SiC MOSFET涵盖了耐压650V/1200V/1700V,导通电阻17mΩ到1150mΩ,封装有TO-220AB、TO-247、TO-3PFM插件封装和TO-268贴片封装。SiC-SBD涵盖了耐压650V/1200V,电流从2A到40A,封装有TO-220ACP/FM、TO-247、TO-3PFM插件封装和TO-263贴片封装。

图3 ROHM SiC功率器件产品选型示意图


以目前市场主流的充电桩来说,多以15-20KW的充电模块并联构成,单个15-20KW的充电模块,其LLC一般推荐选取ROHM 1200V的SCT3XXXKL系列SiC MOSFET替代传统的Coolmos,根据功率推荐40mΩ或者80mΩ的管子,只需要4只,而用传统650V的Coolmos则需要8只,因此可以有效减少整体电路器件,提高效率。除此之外ROHM有专属配套的SiC驱动方案,应用设计更方便。同样输出整流可以采用SCS2XXKE系列1200V的SiC-SBD,做高频交流的二次整流,由于ROHM的SiC-SBD具有低压降VF和低漏电流IR的优点,可以提高充电效率。


综上所述,采用ROHM SIC器件虽然单体成本偏高,但整体器件数量减半,同时磁芯器件的成本也可以降低,这样确保整体成本几乎不增加的前提下,充电效率得以提高,同时体积可以减小。



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ROHM(罗姆)SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(英文)

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