【产品】高频MOSFET驱动器,可在同步降压转换器拓扑中优化驱动两个N沟道功率MOSFET

2018-07-19 INTERSIL(RENESAS收购)
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IntersilRENESAS收购)推出的HIP2105HIP2106A高频MOSFET驱动器,可在同步降压转换器拓扑中优化驱动两个N沟道功率MOSFET。HIP2105具有HI/LI输入,而HIP2106A具有单个PWM输入。这两款驱动器与瑞萨多相降压PWM控制器相结合,可构成完整的单级核心电压调节器解决方案,在高开关频率下具有高效性能,适用于先进的微处理器。

 

高频MOSFET驱动器HIP2105和HIP2106A采用单个低压电源(5V)进行偏置,最大限度地降低了高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。每个驱动器都能够以小于15ns的上升/下降时间驱动3nF的负载。使用内部低正向压降二极管实现上栅极驱动器的自举,降低了实现成本、复杂性,并允许使用更高性能、更具成本效益的N沟道MOSFET。HIP2106A集成了自适应直通保护功能,可防止两个MOSFET同时导通。

 

高频MOSFET驱动器HIP2105和HIP2106A为较低栅极驱动器提供典型的4A灌电流,在PHASE节点上升沿期间增强了较低MOSFET的栅极抑制能力,防止由于开关节点的高dV/dt引起的低MOSFET自导通导致的功率损耗。

 

高频MOSFET驱动器HIP2106A还具有可识别高阻抗状态的输入,与瑞萨多相3.3V或5V PWM控制器配合使用,在操作暂停时可防止受控输出电压出现负瞬态。此功能消除了对可用于电源系统的肖特基二极管的需求,以保护负载不受负输出电压损坏。


图1 HIP2105和HIP2106A的实物图


图2 典型电路图


高频MOSFET驱动器HIP2105和HIP2106A主要特点:

·自适应直通保护(仅限HIP2106A)

·HI和LI输入(仅限HIP2105)

·0.4Ω导通电阻和4A灌电流能力

·低三态延迟时间(20ns)(仅限HIP2106A)

·支持3.3V和5V HI/LI或PWM输入

·上电复位(POR)

·双扁平无引线(DFN)封装

 -符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN-Quad扁平无引线-产品概述

 -近芯片级封装尺寸,提高PCB效率,外形更薄

 

高频MOSFET驱动器HIP2105和HIP2106A典型应用:

·无线充电器

·高频低剖面高效DC/DC转换器

·高电流低压DC/DC转换器

·电子烟


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  • 万用表短接 Lv3. 高级工程师 2018-11-12
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品类:栅极驱动器

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品牌:RENESAS

品类:栅极驱动器

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品牌:RENESAS

品类:栅极驱动器

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车规级变压器定制

可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。

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PCB快板打样定制

可加工PCB层数:1-30层;板材类型:FR4板/铝基板/铜基板/刚扰结合板/FPC板/高精密板/Rogers高频板;成品尺寸:5*5mm~53*84cm;板厚:0.1~5.0mm。

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