【产品】高频MOSFET驱动器，可在同步降压转换器拓扑中优化驱动两个N沟道功率MOSFET

时间： 2018-07-19 来源：INTERSIL（RENESAS收购）

Intersil（RENESAS收购）推出的HIP2105和HIP2106A是高频MOSFET驱动器，可在同步降压转换器拓扑中优化驱动两个N沟道功率MOSFET。HIP2105具有HI/LI输入，而HIP2106A具有单个PWM输入。这两款驱动器与瑞萨多相降压PWM控制器相结合，可构成完整的单级核心电压调节器解决方案，在高开关频率下具有高效性能，适用于先进的微处理器。

高频MOSFET驱动器HIP2105和HIP2106A采用单个低压电源（5V）进行偏置，最大限度地降低了高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。每个驱动器都能够以小于15ns的上升/下降时间驱动3nF的负载。使用内部低正向压降二极管实现上栅极驱动器的自举，降低了实现成本、复杂性，并允许使用更高性能、更具成本效益的N沟道MOSFET。HIP2106A集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。

高频MOSFET驱动器HIP2105和HIP2106A为较低栅极驱动器提供典型的4A灌电流，在PHASE节点上升沿期间增强了较低MOSFET的栅极抑制能力，防止由于开关节点的高dV/dt引起的低MOSFET自导通导致的功率损耗。

高频MOSFET驱动器HIP2106A还具有可识别高阻抗状态的输入，与瑞萨多相3.3V或5V PWM控制器配合使用，在操作暂停时可防止受控输出电压出现负瞬态。此功能消除了对可用于电源系统的肖特基二极管的需求，以保护负载不受负输出电压损坏。

图1 HIP2105和HIP2106A的实物图

图2 典型电路图

高频MOSFET驱动器HIP2105和HIP2106A主要特点：

·自适应直通保护（仅限HIP2106A）

·HI和LI输入（仅限HIP2105）

·0.4Ω导通电阻和4A灌电流能力

·低三态延迟时间（20ns）（仅限HIP2106A）

·支持3.3V和5V HI/LI或PWM输入

·上电复位（POR）

·双扁平无引线（DFN）封装

-符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN-Quad扁平无引线-产品概述

-近芯片级封装尺寸，提高PCB效率，外形更薄

高频MOSFET驱动器HIP2105和HIP2106A典型应用：

·无线充电器

·高频低剖面高效DC/DC转换器

·高电流低压DC/DC转换器

·电子烟

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