【产品】20V，650mA小封装双通道N沟道/P沟道互补节能MOSFET

时间： 2017-10-27 来源：Central（世强编辑整理）

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Central半导体公司推出的CMLDM7005（双通道，N沟道），CMLDM8005（双通道，P沟道）和CMLDM7585（N＆P通道）均为20V，650mA MOSFET，具有极低的R_DS（ON）和阈值电压规范。这些器件采用微型SOT-563封装，最大功耗仅为350mW，拥有较高的能量效率，是设计工程师在非常小的封装中寻求节能MOSFET的理想解决方案。

CMLDM7005系列器件拥有较低的R_DS（ON）：0.14Ω（N沟道）/0.25Ω（P沟道）@ V_GS = 4.5V，使得其拥有较小的开关损耗。存储温度范围在-65℃~150℃，操作结温为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。栅源电压V_GS 为0.5V，连续漏极电流I_D 均为 650mA，拥有集成的瞬态保护。栅极电荷Q_gs 为0.17nC（N沟道）/0.24nC（P沟道），有着较好的开关性能。其典型输出特性如图一所示。

图一：器件典型输出特性

主要特征：

o高ESD保护：2kV

o低R_DS（ON）：0.14Ω（N沟道）/0.25Ω（P沟道）@ V_GS = 4.5V

o低阈值电压：0.5V（MIN）

o逻辑电平兼容

o低栅极电荷：0.17nC（N沟道）/0.24nC（P沟道）

o每个MOSFET的漏极电流为650mA

主要应用：

o高速脉冲放大器

o负载/电源开关

o电源转换器电路

o能源管理

o电机驱动

图二：样品示意图

图三：内部结构图

技术顾问：drwyh

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全部评论（7）

Homer Lv4. 资深工程师 2018-05-08

不错不错
Tiger Lv7. 资深专家 2018-01-21

看着不错，不知道用起来怎么样
Tiger Lv7. 资深专家 2018-01-21

看着不错
钟小荣 Lv4. 资深工程师 2017-12-27

好
terrydl Lv9. 科学家 2017-11-28

不错

Tiger.Hu Lv7. 资深专家 2017-11-20

好！
luosai Lv8. 研究员 2017-11-03

很不错

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