【产品】采用SOT-23F封装的硅晶体管SBT5551F、SBT5401F，非常适合应用在高温高压场合

时间： 2019-02-15 来源：KODENSHI

技术问答

AUK作为KODENSHI（可天士）集团旗下品牌，专注于硅半导体，化合物半导体，光传感器领域，向全球提供国际水准的核心器件，广泛应用于家用电器，工业设备，IT产品等尖端数码技术产品。

SBT5551F、SBT5401F是KODENSHI AUK公司推出的硅晶体管，SBT5551F是NPN型，SBT5401F是PNP型，具有高耐压、低饱和电压的特点，可做通用型放大器，实现高压工作。T_a为25℃时，其特征频率f_T范围为100~400MHz，功耗P_C最大值为200mW，结温T_j为150℃，存储温度T_stg为-55~150℃，可以满足工业级温度要求，适用于高低温工作环境中。具体电气参数如下表：

型号

集电极-基极电压

V_CBO（V）

集电极-发射极电压

V_CEO（V）

发射极-基极电压

V_EBO（V）

集电极-发射极饱和电压

V_CE(sat)（V）

集电极电流

I_C（mA）

SBT5551F

180

160

0.5

600

SBT5401F

-160

-5

-0.5

-600

SBT5551F、SBT5401F硅晶体管封装尺寸相同同，均采用SOT-23F封装，具体封装尺寸如下图（单位：mm），其中引脚连接分布为1-基极，2-发射极，3-集电极

图1 SBT5551F封装尺寸示意图

图2 SBT5401F封装尺寸示意图

SBT5551F、SBT5401F硅晶体管的产品特点：

• 集电极击穿电压高：SBT5551F的V_CBO=180V，V_CEO=160V；SBT5401F的V_CBO=-160V，V_CEO=-160V

• 集电极饱和电压低：SBT5551F的V_CE(sat) =0.5V(MAX.)，SBT5401F的V_CE(sat) =-0.5V(MAX.)

• SBT5551F与SBT5401F互补配对

SBT5551F、SBT5401F硅晶体管的产品应用：

• 通用型放大器

• 高压应用

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