【产品】N沟道增强型MOSFET CXDM6053N、CZDM8502N，导通电阻低至33mΩ
Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，推出的CXDM6053N、CZDM8502N是两款N沟道增强型MOSFET，分别采用小型SOT-89、SOT-223表面贴装。CXDM6053N具有高电流、低阈值电压和低漏电流的特点，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计；而CZDM8502N是一款2A的850V增强型N沟道MOSFET，专为LED照明和开关模式电源而设计。
图1 CXDM6053N N沟道增强型MOSFET实物图
图2 CZDM8502N N沟道增强型MOSFET实物图
在TA=25°C的标准下，CXDM6053N、CZDM8502N两款N沟道场效应管漏源电压电压分别为60V、850V，连续漏极电流（稳态）为5.3A、2.0A，最大脉冲漏极电流分别为30A（tp=10μs）和8A；CXDM6053N的产品功耗仅为1.2W，功耗较低，可提升产品的能源利用效率，同时也满足低功耗的设计要求；门极总电荷典型值分别为8.8nC和9.7nC，充放电时间短，能够应对较高的信号频率；除此之外，两款产品均具有较低的通态电阻（漏极-源极），CXDM6053N通态电阻典型值仅为33mΩ，CZDM8502N通态电阻典型值仅为6.3Ω，均具有较低的通态损耗。
CXDM6053N、CZDM8502N两款N沟道增强型场效应管操作和储存结温范围是-55℃~150℃，满足军品级器件的温度要求，具有极高的稳定性；CXDM6053N的热阻为104℃/W，热传递性能较好，有较好的散热能力。且其开通时间/关闭时间典型值为33ns和42ns（VDD=30V, VGS=4.5V, ID=4.4A，RG=1.0Ω, RL=6.8Ω），开关损耗低，速度快。
CXDM6053N、CZDM8502N两款N沟道场效应晶体管产品特点：
•操作和储存结温范围是-55℃~150℃（CXDM6053N）
•采用小型SOT-89表面贴装（CXDM6053N）
•开关速度快（CXDM6053N，CZDM8502N）
•热阻为104℃/W（CXDM6053N）
•功耗仅为1.2W（CXDM6053N）
•采用小型SOT-223表面贴装（CZDM8502N）
CXDM6053N、CZDM8502N两款N沟道场效应晶体管应用领域：
·负载/电源开关（CXDM6053N）
•电源转换器电路（CXDM6053N）
•电池供电的便携式设备（CXDM6053N）
•LED照明（CZDM8502N）
•开关电源（CZDM8502N）
•功率因数校正（CZDM8502N）
图3 CXDM6053N场效应晶体管机械尺寸图
图4 CZDM8502N场效应晶体管机械尺寸图
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yuyu Lv8. 研究员 2018-09-10学习了！
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