【产品】30V/5mΩ的N沟道增强型功率MOSFET RMN3N5R0DN，采用PMPAK 3x3 封装
丽正国际一款N沟道增强型功率MOSFET RMN3N5R0DN，采用先进的功率创新设计以及硅工艺技术，从而实现了尽可能低的开启电阻和快速开关的性能。它为设计者提供了一种极为高效的器件，可广泛用于电源应用。
RMN3N5R0DN的漏源电压为30V，漏源通态电阻仅为5mΩ，采用PMPAK 3x3 封装，该封装适用于电压转换应用，背面带有散热片，可通过标准的红外回流焊技术进行装配，具备散热良好的特点。
图1 产品实物图
产品特点：
·简单的驱动要求
·小尺寸以及极低的通态电阻
·符合 RoHS 且无卤素
最大额定值：
热阻参数：
电气特性：
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