【产品】30V/5mΩ的N沟道增强型功率MOSFET RMN3N5R0DN，采用PMPAK 3x3 封装

时间： 2020-06-01 来源：丽正国际

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丽正国际一款N沟道增强型功率MOSFET RMN3N5R0DN，采用先进的功率创新设计以及硅工艺技术，从而实现了尽可能低的开启电阻和快速开关的性能。它为设计者提供了一种极为高效的器件，可广泛用于电源应用。

RMN3N5R0DN的漏源电压为30V，漏源通态电阻仅为5mΩ，采用PMPAK 3x3 封装，该封装适用于电压转换应用，背面带有散热片，可通过标准的红外回流焊技术进行装配，具备散热良好的特点。

图1 产品实物图

产品特点：

·简单的驱动要求

·小尺寸以及极低的通态电阻

·符合 RoHS 且无卤素

最大额定值：

热阻参数：

电气特性：

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