【产品】650V的N沟道MOSFET SLD65R420S2系列，采用Maplesemi超级结技术
SLD65R420S2/SLU65R420S2是美浦森推出的N沟道MOSFET，漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流最大额定值为11A（Tc = 25℃条件下），采用D-PAK或I-PAK封装，符合RoHS标准，可在开关模式下高效率运行，非常适合AC/DC功率转换等应用。
这两款产品采用Maple semi超级结技术，该技术专门为最小化传导损耗，提供优越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲而量身定制。
图1 产品图及内部电路图
最大额定值方面，脉冲漏极电流为44A，单脉冲雪崩能量为250mJ，安全性较好。在Tc=25℃条件下的耗散功率为87W。工作温度和存储温度范围为-55℃~+150℃，可应用于极端的温度环境。结壳热阻为1.44℃/W，散热较好。此外，MOSFET的静态漏源导通电阻的典型值为0.33Ω，最大值为0.4Ω(@VGS=10V，ID=5.5A)，导通损耗较低。
特点
11A，650V，RDS(on)=0.33Ω @VGS=10V
低栅极电荷（典型值23nC）
高耐用性
快速开关特性
100%雪崩测试
增强的dV/dt能力
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