【产品】符合ROHS标准的SiC MOS芯片ASC30N900MT4，易于并行和简单驱动

时间： 2022-02-26 来源：爱仕特

技术问答

SiC MOS芯片 ASC30N900MT4是爱仕特推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括系统效率最高，工作频率更快，功率密度增加，电磁干扰能力降低，以及减少系统体积大小。

产品外观和内部电路图

特点：

低电容高速开关

高耐压，低导通电阻R_DS_(on)

带有独立驱动引脚的优化封装

易于并行和简单驱动

符合ROHS标准，无卤素

应用：

电动汽车充电

DC/DC转换器

开关电源

功率因数校正模块

太阳能光伏逆变器

最大额定参数(Tc=25℃)：

主要电气特性(Tj=25℃，除非特别说明)：

热特性：

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SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

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型号- ADS070N12MT8

数据手册 - 阿基米德半导体 - Rev. A 1 - Mar, 2024 PDF 中英文下载

爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货，兼具超低导通和超快开关特性

爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户，填补了国内该系列产品研发及应用的空白，引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

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森国科多款SiC MOSFET可用在开关电源、逆变器、充电桩等领域，开关速度快

针对不同功率的应用场合，森国科1200V、1700V的SiC MOSFET都可以满足，也可以满足满足不同功率充电器中不同电路位置的要求。

应用方案发布时间 : 2024-03-01

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型号- ADS070N12AT9

数据手册 - 阿基米德半导体 - Rev. Preliminary 1 - Feb, 2024 PDF 中英文下载

IV2Q12017T4 – 1200V 17mΩ SiC MOSFET

型号- IV2Q12017T4

数据手册 - 瞻芯电子 - 版本 0.5 - 2021 年 8 月 PDF 中文下载

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型号- IV1Q12017T4G

数据手册 - 瞻芯电子 - 版本 1.0 - 2021 年 11 月 PDF 中文下载查看更多版本

配备DIF120SIC053的直流快速充电站，是电动汽车在最短时间内实现最大续航里程的理想解决方案

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在开关电源中，如何充分利用SiC器件的性能优势？

碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，表现出了更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求，越来越多用于通信电源、服务器电源和快速增长的电动汽车电池充电器市场等领域。国内领先的第三代宽禁带半导体领先企业森国科推出的1200V和1700V SiC MOS目前支持送样，部分量产中。

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深圳爱仕特科技有限公司能自主设计研发碳化硅（SiC）MOSFET。而ASC100N1700MT4是其推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。ASC100N1700MT4的漏源电压VDS为1700V，TC=25℃ 时连续漏极电流ID为100A，耗散功率PD=420W。

新产品发布时间 : 2022-03-10

德欧泰克SiC MOSFET具有1200V VDS和52A连续ID，满足直流快速充电站应用需求

直流快速充电站是电动汽车需要在尽可能短的时间内最大续航里程的理想解决方案。DIOTEC的SiC MOSFET DIF120SIC053功率MOSFET脱颖而出，使这一切成为可能。该MOSFET具1200V VDS和52A连续ID，TO-247-4L封装，并配备开尔文源触点，便于散热器安装，RDS(ON)＜53mΩ。

应用方案发布时间 : 2024-07-18