芯达茂微电子携IGBT系列、SiC系列等产品亮相2023慕尼黑上海电子展

时间： 2023-07-18 来源：芯达茂微电子公众号

代理服务

技术支持

批量订货

近年来，“经济下行”、“需求萎靡”一直是所有行业绕不过的两座大山，电子行业亦不例外，从“抢芯片”变成“去库存”，凛冽寒气持续至今。整个产业链上下无不在寻找破局点，深挖各个领域能够带来业务增量的机会。而在这样的节点下，2023年7月11日，慕尼黑上海电子展隆重召开，链接全球1650家优质企业，吸引数万名电子从业者们远道而来，为产业链上下游都提供了一个释放、展示和交流的平台，更是为整个电子行业的复苏吹响了加速的号角。

7月11日—13日，芯达茂微电子携IGBT系列、SiC系列等产品亮相本次盛会，展示了公司在功率器件领域的成果，吸引了众多行业知名企业客户莅临参观。

芯达茂展出的IGBT系列产品，提供兼具高性能、高可靠度等优势的电机“心脏”，强劲助力新能源、工业、交通、智能制造领域发展。

产品采用沟槽结构的场截止技术，晶圆元胞区和终端场板的特殊设计实现在大电流、大电压的环境下始终保持卓越性能与高可靠度，从根本上打破国外大厂垄断全面赋能第三代半导体国产替代。

芯达茂部分展品一览

1、IGBT单管、绝缘栅双级晶体管

应用于储能、光伏、不间断电源等领域。

2、IGBT功率整合模块

应用于变频器、电源、感应加热等领域。

3、IGBT晶圆

应用于储能、UPS、电机驱动等领域。

未来，芯达茂将继续秉承“创新致远、高效双赢”的理念，深耕半导体与功率器件领域，以国产替代为己任，向成为功率半导体行业领军企业的目标奋进。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由ll转载自芯达茂微电子公众号，原文标题为:「精彩回顾」芯达茂微电子亮相2023慕尼黑上海电子展，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

华太电子推出650V和1200V超结IGBT系列产品，已在光伏、储能等领域大批量使用

华太电子研发出650V和1200V超结1GBT系列产品。相较传统沟槽型IGBT,SUPER JUNCTION IGBT充分利用超结的优势，可有效提升器件的正向导通特性及开关特性。目前超结1GBT已在光伏、储能等领域开始大批量使用。

2024-04-10 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

出货量最多的基于SiC的 Vincotech IGBT功率模块

Vincotech公司是现如今基于碳化硅驱动的IGBT功率模块出货量最多的厂商，因此该公司知道什么时候选择哪种SiC组件最适合客户的应用，而何时另一种选项是更明智的选择。Vincotech推出的基于SiC的功率模块不仅提供更好的开关性能，还能提高效率并实现更紧凑的设计，是充电站、太阳能逆变器和不间断电源等应用的理想选择

2018-06-30 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

凌讯微电子携带新上市的IGBT，SIC二极管产品参加2024世界电源产业博览会

2024年8月8日-10日，凌讯微电子参加了2024世界电源产业博览会暨元宇宙供应链平台(原第十四届亚太国际电源产品及技术展览会)。在本届博览会，凌讯微携带新上市的IGBT,SIC二极管及各类主营产品亮相。展会上与客户共同交流探讨，助力促进产业升级，拓宽发展视野，推动电源行业进步，共创美好未来。

2024-09-30 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

东海半导体授权世强硬创，代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS

40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计，不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷，还拥有卓越的开关速度，VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。

2023-09-18 - 签约新闻代理服务技术支持批量订货

【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用

NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。

2024-06-26 - 产品代理服务技术支持批量订货

电孩炉/缝幼机等白色家电市场专用 IGBT单管

型号- HMG40N65AT,HMG75N65FT,HM30N135FA,HMG20N65F,HMG50N65FT,HM75N120FT3,HMG20N65D,HM15N120AT,HMG20N65,HM40N120FT,HM25N120AT,HMG40N65FT,HMG75N65AT,HM40N120AT,HM30N135FT

2024/11/13 - 虹美功率半导体 - 技术文档代理服务技术支持批量订货

【应用】ROHM 1200V/15A的IGBT单管用于低成本0.75-4kW通用变频器，短路时间仅10uS

低成本0.75-4kW通用变频器主要分整流、制动、逆变部分，IGBT规格一般选择1200V/15A左右，主要用在制动、逆变部分，单机7PCS。本文推荐罗姆（ROHM）1200V/15A的IGBT单管RGS30TSX2D，完全满足设计要求。

2020-12-18 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【元件】长晶科技FST3.0 IGBT新品发布＆光伏储能/逆变器/充电模块应用方案

长晶科技全新推出了FST3.0（对标国际Gen7.0）650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。新品使用最新的微沟槽栅（1.6μm Pitch）+场终止技术，提高载流子密度；芯片元胞/功率密度增大，经济性更好；针对光储类应用优化了通态损耗和开关损耗，同时又保证产品的鲁棒特性。

2024-12-04 - 产品代理服务技术支持批量订货

瑞之辰：光伏巨头入局碳化硅（SiC）促进产业整合

在当今科技产业的舞台上，碳化硅（SiC）产业呈现出一片蓬勃发展的喜人态势，吸引了众多车企、LED厂商等跨界玩家入局。而部分光伏巨头的加入，让这场没有硝烟的战局愈加激烈。作为主营碳化硅（SiC）功率器件的高科技公司，瑞之辰解读：光伏企业与SiC厂商合作，共同开发原材料和设备，产业整合将成为发展趋势。光伏与碳化硅（SiC）产业“此消彼长”通威集团、合盛硅业、高测股份、捷佳伟创、迈为股份等主流光伏厂商

2024-09-05 - 行业资讯代理服务技术支持批量订货

XD010H120AY1H3沟槽场截止技术IGBT

描述- 本资料介绍了型号为XD010H120AY1H3的 trench field-stop技术IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的特性。该器件具有1200V电压等级和10A电流能力，低开关损耗，正温度系数的VCE(sat)，无铅镀锡且符合RoHS标准。资料提供了详细的绝对最大额定值、热数据、电气特性、典型特性和封装信息。

型号- XD010H120AY1H3

2022.09 - XDM - 数据手册 - Ver1.0 代理服务技术支持批量订货