【产品】可用于高速脉冲放大器和驱动器的具有ESD防护能力的N沟道增强型MOSFET

时间： 2017-10-28 来源：Central（世强编辑整理）

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CMPDM7002AE是Central半导体公司专为高速脉冲放大器和驱动器而设计的具有高达1800V静电（ ESD）防护能力的N沟道增强型绝缘栅极场效应管（MOSFET），其是特别版本的2N7002。

CMPDM7002AE场效应管具有低导通电阻和低栅极电荷，且功耗较低。当栅源电压为10V、漏极电流为500mA时，典型导通电阻r_DS（ON）=1.0Ω，最大导通电阻r_DS（ON）=1.4Ω；栅源电压为5.0V、漏极电流为100mA时，典型导通电阻r_DS（ON）=1.1Ω，最大导通电阻r_DS（ON）=1.8Ω；栅源电压为2.5V、漏极电流为10mA时，典型导通电阻r_DS（ON）=3.0，最大导通电阻r_DS（ON）=6.0Ω。由此可见其导通电阻较低。当漏源电压为10V、栅源电压为4.5V、漏极电流为200mA时，典型栅源电荷Q_gs=0.2nC，典型栅漏电荷Q_gd=0.14nC，由此可见其栅极电荷较低。低导通电阻和低栅极电荷可以降低导通损耗和开关损耗，减小开关时间有较高的能源效率。因此CMPDM7002AE场效应管是高速脉冲放大器和驱动器应用很好的选择。

图1：输出特性曲线

主要特点：

· 达到1800V的静电防护能力

· 350mW的功耗

· 低导通电阻：

——栅源电压为10V、漏极电流为500mA时：

典型导通电阻 =1.0Ω，最大导通电阻 =1.4Ω

——栅源电压为5.0V、漏极电流为100mA时：

典型导通电阻 =1.1Ω，最大导通电阻 =1.8Ω

——栅源电压为，2.5V、漏极电流为10mA时：

典型导通电阻 =3.0，最大导通电阻 =6.0Ω

· 低栅极电荷：

·工作电压为10V、栅源电压为4.5V、漏电流为200mA时：

典型栅源电荷 =0.2nC，典型栅漏电荷 =0.14nC

典型应用：

· 负载/电源开关

· DC-DC变换器电路

· 电源管理

图2：CMPDM7002AE产品图

技术顾问：Steven Xu

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全部评论（11）

Fiona Lv5. 技术专家 2018-07-08

学习了
哥的八盒猜想 Lv6. 高级专家 2018-04-24

高速脉冲频率上限是多少？
- 世小强回复：您好，相关技术问题可到“技术难题”频道提问，我们有专家团队为您提供专业的解答！
用户18396822 Lv8 2018-02-04

很好
天涯123456 Lv4. 资深工程师 2018-01-20

正常学习中
雾夜星空 Lv7. 资深专家 2018-01-16

使用过类似的，看看这个性能是不是更好

yz Lv5. 技术专家 2017-12-05

学习
大伟 Lv5. 技术专家 2017-12-03

这个靠谱
大飞哥 Lv8. 研究员 2017-11-16

不错，分享了
压力大 Lv7. 资深专家 2017-10-31

支持
电工电器 Lv7. 资深专家 2017-10-28

不错！

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