【选型】国产P沟道增强型MOSFET JMTP4435A，击穿电压-30V，满足开关电路应用
客户需要一款P沟道增强型MOSFET，要求为30V，20A，4.9*6mm。据此需求，本文推荐国产捷捷微电推出的JMTP4435A。该产品击穿电压（漏极打压）为-30V，连续漏极电流为-10A，封装尺寸为SOP-8，4.9*6mm，适用于开关电路应用。
P沟道增强型MOSFET与N沟道增强型MOSFET相对应，所有外加电压极性、电流方向皆相反。MOSFET在物理结构上共引出4个端子：源极（S）、栅极（G）、漏极（D）和衬底极（B）。P沟道增强型MOSFET的阈值电压VGS（th）就是开启电压Vt，P沟道增强型器件开启电压Vt为负，形成沟道的条件为VGS≤Vt或VSG≥|Vt|。PMOS工作在饱和区，需满足条件VDS≤（VGS-Vt）。
表1 JMTP4435A的主要参数
图1 JMTP4435A的封装引脚与符号
图2 JMTP4435A的特性曲线
图3 MOS管开关电路
简易的MOS管开关电路，通过Switch_signal来控制通断（未加滤波）。
Q1为增强型PMOS，源极S接输入，漏极D接输出（开路输出加上拉电阻）。若VGS < VGS(th)，此处VGS(th)为负值，PMOS导通，VD1=VS1=VCC。
Q2为增强型NMOS，漏极D接输入，源极S接输出。若VGS > VGS(th)，此处VGS(th)为正值，NMOS导通，VD2 = VS2 = 0V。
当Switch_signal为低电平，VGS=Switch_signal=0V，VD2=VCC，Q2截止，D-S（漏级-源级）之间近似开路（会有一定的漏电流）。则Q1中VG1=VS1=VCC,则VGS=0>VGS(th)，Q1截止，Vout=VD1=0V。
当Switch_signal为高电平，VGS=Switch_signal，VD2=VS2=0V，Q2导通，D-S（漏级-源级）之间近似短路（会有一定的导通压降）。则Q1中VG1=0V，VGS=-VCC<VGS(th)，则Q1导通，Vout=VD1=VS1=VCC。
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