【产品】采用TO-220AB外壳封装的N沟道功率MOSFET DIT110N08，漏源导通电阻典型值可低至3.9mΩ
DIOTEC（德欧泰克）新推出型号为DIT110N08的N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB外壳封装。该器件采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性。最大额定参数方面，TA=25℃时，漏源电压为85V（VGS=0V，短接），持续栅源电压为±20V，器件耗散功率为220W（TC=25℃）。在VGS=10V，ID=50A测试条件下，漏源导通电阻典型值为3.9mΩ，最大值为4.8mΩ，器件工作结温和存储温度范围均宽至-55~150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业、工业应用等领域。
器件封装图如下所示：
主要特征
采用先进的沟道技术工艺
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩额定值
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
商业应用，工业应用
机械参数
管状/卡纸带包装：50/1000
重量约2.2g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）N/A
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
1.TA=25℃，除非另有特殊说明
2.散热区域边沿测量
3.脉冲宽度：参考SOA图
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