【产品】-60V/-20A的P沟道功率MOSFET DI020P06PT， 功率耗散为29.7W
DIOTEC（德欧泰克）推出的商用级/工业级P沟道功率MOSFET DI020P06PT，采用节省空间的小尺寸QFN3×3（DFN3030）薄型封装；具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关时间的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为-60 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为29.7W，允许通过的漏极持续电流为-20 A（TC=25°C，RDS(on)=36 mΩ）和-18A（TC=25°C，RDS(on)=45 mΩ），漏极峰值电流为-70 A，单脉冲雪崩能量26.4 mJ。工作结温和存储温度范围-55℃~+150℃，主要应用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关、极性保护等。
图1. 产品外形、尺寸（mm）及内部结构图
主要特征
• 采用节省空间的微型封装
• 薄型
• 低导通电阻
• 快速开关时间
• 低栅极电荷
• 符合RoHS、REACH标准和冲突矿物法
机械参数
• 卷带包装：5000/13”
• 重约0.1 g
• 外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
• 焊接和组装条件：260℃/10s，MSL=1
典型应用
• 电源管理单元
• 电池供电设备
• 负载开关，极性保护
• 商业级/工业级应用
• 型号后缀-Q的器件符合AEC-Q101标准
• 型号后缀-AQ的器件AEC-Q101认证中
最大额定值
参数表（静态）
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由翊翊所思翻译自Diotec，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】N/P沟道功率MOSFET DI045N03PT和DI035P04PT，采用QFN3x3小型封装，可节省空间
Diotec推出DI045N03PT型N沟道功率MOSFET和DI035P04PT型P沟道功率MOSFET，采用QFN3x3小型封装，具有高速开关特性和低栅极电荷，可用于电源管理单元，电池供电的设备和负载开关，极性保护等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-03
【产品】-50A/-30V的P沟道功率MOSFET DI050P03PT, 采用QFN3×3封装
Diotec推出的商用级P沟道功率MOSFET DI050P03PT，采用QFN3×3封装，尺寸小，剖面低，节省空间，具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为-30 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为40 W，允许通过的漏极持续电流为-50 A（TC = 25°C ），漏极峰值电流为-200 A。工作结温和存储温度范围-55~+150︒C。
新产品 发布时间 : 2020-12-16
【产品】德欧泰克新推-35A/-20V的P沟道功率MOSFET DI035P02PT，微型封装可节省空间
Diotec新推出型号为DI035P02PT的P沟道功率MOSFET，采用QFN3x3V外壳封装，具有导通电阻低，开关速度快，栅极电荷低，微型封装，可节省空间等产品特点，适用于电源管理单元，电池供电设备，负载开关以及商业/工业级应用等。
新产品 发布时间 : 2022-08-20
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
产品 发布时间 : 2023-07-04
【产品】最大漏源电压为-20V的P沟道功率MOSFET AP2333，适用于负载开关及PWM应用
铨力半导体推出的型号为AP2333的P沟道功率MOSFET，通过了无铅认证，采用了先进沟槽技术，采用表面贴装的SOT-23封装方式，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于30mΩ（VGS=-4.5V，ID=-6A时），是负载开关或PWM应用的理想选择。
产品 发布时间 : 2021-12-22
【产品】-30V/-35A的P沟道功率MOSFET CJAB35P03，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
长晶科技推出一款采用PDFNWB3.3×3.3-8L封装的P沟道功率MOSFET——CJAB35P03，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，广泛适用于多种应用。
产品 发布时间 : 2023-05-16
【产品】-30V/-15A双P沟道功率MOSFET RU30S15H，适用于电源管理、负载开关等应用
锐骏半导体推出一款SOP-8封装的双P沟道功率MOSFET RU30S15H，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为-15A（TA=25℃），具有低导通电阻，适用于电源管理、负载开关和电池保护等应用。
产品 发布时间 : 2022-04-16
【产品】采用SOT23-6封装的P沟道功率MOSFET RU30P4C6，漏源电压最大额定值为-30V
锐骏半导体推出采用SOT23-6封装的先进P沟道功率MOSFET--RU30P4C6，其漏源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为-4A（TA=25°C），该器件采用超高密度单元设计和具有低导通电阻特性，适用于负载开关和DC/DC转换器。
产品 发布时间 : 2022-04-07
【产品】-6A，-20V的P沟道功率MOSFET AP2317A，具有出色漏源导通电阻和低栅极电荷特性
铨力半导体采用SOT-23-3封装的P沟道功率MOSFET——AP2317A，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，可在低至2.5V栅极电压下运行，属于无铅产品，适用于PWM应用、负载开关等应用。
产品 发布时间 : 2023-02-02
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论