【产品】-60V/-20A的P沟道功率MOSFET DI020P06PT, 功率耗散为29.7W
DIOTEC(德欧泰克)推出的商用级/工业级P沟道功率MOSFET DI020P06PT,采用节省空间的小尺寸QFN3×3(DFN3030)薄型封装;具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关时间的特点。电气参数方面,漏极-源极电压为-60 V,栅极-源极电压为±20V,功率耗散为29.7W,允许通过的漏极持续电流为-20 A(TC=25°C,RDS(on)=36 mΩ)和-18A(TC=25°C,RDS(on)=45 mΩ),漏极峰值电流为-70 A,单脉冲雪崩能量26.4 mJ。工作结温和存储温度范围-55℃~+150℃,主要应用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关、极性保护等。
图1. 产品外形、尺寸(mm)及内部结构图
主要特征
• 采用节省空间的微型封装
• 薄型
• 低导通电阻
• 快速开关时间
• 低栅极电荷
• 符合RoHS、REACH标准和冲突矿物法
机械参数
• 卷带包装:5000/13”
• 重约0.1 g
• 外壳材料阻燃等级:UL 94V-0
• 焊接和组装条件:260℃/10s,MSL=1
典型应用
• 电源管理单元
• 电池供电设备
• 负载开关,极性保护
• 商业级/工业级应用
• 型号后缀-Q的器件符合AEC-Q101标准
• 型号后缀-AQ的器件AEC-Q101认证中
最大额定值
参数表(静态)
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