【应用】1000V 0.8A整流桥ABS10应用于5V 2A手机快充电路,6.8*5.2*1.5mm大小可节约空间

2020-09-04 安邦
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此电路为典型的手机快充电路,在电路的前端,市电经过保险丝以及压敏电阻后,由整流桥将交流电转换为直流电,完成整流。本文推荐安邦半导体ABS10用于5V 2A手机快充电路。

ABS10的详细参数如下:

 

市电输入电压为220V,考虑到1.5-2倍过压,且为保证足够的产品设计余量和可靠性,选择1000V耐压的整流桥。ABS封装大小为6.8mm*5.2mm*1.5mm,属于迷你桥堆,对于体积较小的充电器电路板来说能够节约空间。


产品特性:

· 符合安规UL认证,专属UL认证logo

· 采用玻封GPP工艺芯片,可靠性好,一致性高,防止电性出现衰降情况

· 采用镭射激光打标,丝印日久如新

· 环氧树脂阻燃性好,强度高,耐高温,一次注塑成型

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安邦半道體 COMPANY PROFILE

安邦半导体是一家专注于汽车和工业市场的功率半导体设计商和制造商,提供Si和SiC材料的分立器件产品。公司成立于1996年,总部位于中国深圳,拥有深圳、台湾和硅谷的研发中心,2023年营业额达1.6亿美元。产品包括IGBT、MOSFET、二极管等,应用于电动汽车、光伏、工业电机驱动等领域。公司采用全产业链(IDM)模式,提供从设计、制造到封装的完整解决方案,并拥有严格的车规级产品管控体系。

安邦  -  MOSFET,SCR,ESD DIODE,HIGH V MOS,ESD PROTECTIONS ARRAY,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,SIC DIODES,SIC模块,功率金氧半电晶体,TVS,ZENER DIODE,ZENER DIODES,RECTIFIERS,SCHOTTKY RECTIFIERS,碳化硅二极管,开关晶体管,SEMICONDUCTOR DISCRETE DEVICE,LV MOS,稳压二极管,SIC-MOS,碳化硅高压模块,低VF SBD,ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS,SGT MOS,晶体管,整流器,整流桥,TRENCH MOS,小信号晶体管,三极管,稳压管,低压功率MOSFET,SIC MOSFET器件,ESD保护阵列,SMALL SIGNAL TRANSISTORS,齐纳二极管,LOW VF SBD,半导体分立器件,功率二极体,SIC POWER MOSFET,肖特基整流器,SIC MOS,功率MOS管,SIC SBD,ZENER,功率模块,低压MOS,SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES,SWITCHING DIODES,高压MOS,SBD SWITCH DIODE,小信号齐纳二极管,SIC碳化硅,LV SIGNAL MOSFET,高压开关功率MOS,TRANSISTOR,齐纳,HV SWITCH POWER MOS,POWER MOSFETS,TVS二极管,充/放电高压开关SIC-MOS,碳化硅高压MOSFET,整流管,SMALL SIGNAL ZENER DIODES,一般SBD,DIODE,SR MOS,低压开关功率MOS,开关二极管,阵列,屏蔽栅沟槽MOSFET,瞬态电压抑制器,快速恢复整流器,LV POWER MOSFET,SIC备用电池,POWER DIODES,SBD开关二极管,GPT SWITCH TRANSISTOR,RECTIFIER,SIC二极管,静电放电二极管,接口保护ESD阵列,POWER MODULE,ESD PROTECTION DIODE,小信号开关二极管,超快速恢复整流器,LV SWITCH POWER MOS,SMALL SIGNAL SWITCHING DIODES,HIGH EFFICIENT RECTIFIER,ESD保护二极管,SIC MODULE,沟槽式MOS,BRIDGE,肖特基势垒,AUTOMOTIVE POWER MOS管,一般型整流器,GENERAL SBD,IGBT,高级金属氧化物,TVS DIODE,BRT SWITCH TRANSISTOR,GENERAL PURPOSE RECTIFIERS,高效整流器,电桥,SCHOTTKY BARRIER,小信号肖特基二极管,开关二级管,TRIACS,可控硅,MOS,ARRAY,IC供电TVS,分立器件,MOS管,金属氧化物半导体,三合会,碳化硅-钼,低压信号MOSFET,FAST RECOVERY RECTIFIERS,碳化硅金属氧化物半导体,功能IC过电压保护 TVS,碳化硅高压肖特基二极管,二极管,SIC功率场效应晶体管,ASZM01K170P,AS3100L,ASZM016120S7,ASZM01K170T,ASZM080120P,SMBJ,ASZM100HB13N120E2,ASZM080120T,ASZM040120PA,ASZM600FB2N120HD,ASZM030120P,ASZM040120D88,SM24C,ASZM0S0120N,ASZM030120T,ASZM016120T,ASZM360FB3N120HD,ASZM025065T,ASZM060065T,AS2M480FB2N120HD,2N7002EY,BZT52C SERIES,ASZM040065T,ASZM040120T,AS2324,ASZM028120T,ASZM040120P,ASZM104065P,ASZM028120P,ASZM040065L,S2M016120P,AS2102W,ASZM040120N,BZT52C,SMBJ SERIES,ASZM160120T,ASZM160120P,SM24,ASZM032120T,ASZM032120P,PACK环境控制,电机控制器,汽车,PV,贝弗,PHEV,车载舒适系统,插电式混合动力汽车,电控系统,动力传动装置,电控,电池系统,大灯,商用电动汽车,混合电动汽车,电机,DCDC变换,HVDC,EV,纯电动汽车,CAV,直流/ DC,直流充电桩,全混电动汽车,电池,新能源电压变换系统,航空航天,新能源汽车三电系统,变速器,PHEV公司,OBC,DC/DC,FHEV,车身电子,高压BMS,汽车LED前灯,电动汽车,电动汽车电控,工业,动力电池包,PDU,牵引力,工商储能系统,BMS,骑士,BEV,电机系统,车载充电,汽车系统,HEV,工业电机驱动,汽车电子

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安邦  -  开关管,MOSFET,整流桥,N-MOS,TVS管,肖特基,P-MOS,桥堆,二极管,AI人工智能,仪器仪表,工业产品,5G通信,SOP-8安防监控,传统燃油汽车,医疗,空调,新能源汽车,汽车电子

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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

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