【产品】100V/4A，SOD-523封装超高速硅开关二极管，开关速度仅为4.0ns

时间： 2017-10-28 来源：Central（改写）

技术问答

CMOD4448是Central半导体公司推出的一款通过外延平面工艺制造的超高速硅开关二极管。在ULTRAmini？表面贴装封装中采用环氧树脂材质，且采用SOD-523封装方式，拥有较小的尺寸。它有着极快的开关速度，trr仅4.0ns，专为高速开关应用而设计。

CMOD4448反向重复峰值电压VRRM为100V，正向浪涌峰值电流IFSM可达4.0A，有较强的抗压能力，能承受较大程度的浪涌冲击。功耗PD仅250mW，有着较高的能源效率。其存储温度为-65℃~150℃，结温150℃，较大程度上满足了工业需求的环境温度。正向电流IF为250mA，正向压降VF为0.62V（IF=5.0mA），这使得二极管在较小的工作电压下即可导通，提高环境适应性。

CMOD4448的主要特征：

· 高正向浪涌峰值电流（I_FSM=4.0A）

· 高反向重复峰值电压（V_RRM=100V）

· 低功耗（P_D=250mW）

· 低正向压降（V_F=0.62V@I_F=5.0mA）

CMOD4448的主要应用：

· 反极性保护

· 电压钳位

· DC-DC转换

· 反激二极管

图一：CMOD444样品示意图

技术顾问：刘一分

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 12
| 转发至：

本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！

全部评论（12）

watson Lv7. 资深专家 2018-03-23

性能不错
Roonie Lv7. 资深专家 2018-03-21

厉害了，不错
我的名字 Lv7. 资深专家 2017-12-31

学习学习
梅西 Lv6. 高级专家 2017-12-26

好东西
用户18396822 Lv8 2017-12-10

有用

大伟 Lv5. 技术专家 2017-12-08

不错哦
Gina Lv4. 资深工程师 2017-12-07

厉害
木鱼 Lv7. 资深专家 2017-11-29

厉害
少年游 Lv7. 资深专家 2017-11-20

性能还行
海锋 Lv9. 科学家 2017-11-19

太牛了

展开更多评论

【产品】60V/200mA双路硅开关二极管BAS56，反向恢复时间6ns、适于高速开关应用

CENTRAL设计的BAS56由两个电气隔离的超高速硅开关二极管组成，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装型环氧树脂SOT-143封装。该器件专为高速开关应用而设计。该二极管最大功耗仅为350mW，在电路设计中可以减小系统负担，提高系统的安全性。工作和存储结温范围均为-65℃至150℃，符合军工级产品温度要求。

新产品发布时间 : 2018-10-26

【产品】用于高速开关的100V/250mA硅开关二极管CMPD914，反向恢复时间仅为4.0ns

Central公司推出的硅开关二极管 CMPD914，采用外延平面工艺制造，采用SOT-23封装，采用环氧树脂模塑，表面贴装封装，功率损耗为350mW，反向恢复时间较短，时间trr最大值为4.0ns。专为高速响应开关应用而设计。

新产品发布时间 : 2018-12-14

【产品】双电气隔离高速开关二极管BAW100和BAW100G系列，功率耗散为350mW

CENTRAL SEMICONDUCTOR (美国中央半导体公司)推出的 BAW100和BAW100G系列均由两个电气隔离的高速硅开关二极管组成，采用环氧树脂模压SOT-143表面贴装外壳封装，BAW100G采用无卤素设计。该器件专为高速开关应用而设计。

新产品发布时间 : 2018-10-29

【经验】利用BAV99W高速开关二极管实现液晶屏的TFT电压驱动

随着液晶屏面板和国产化，各种液晶屏的价格也大幅下降，工程师们在设计电子产品人机交互也开始大幅采用液晶屏示屏。而在对液晶屏驱动电路设计的过程中，可能有些工程师不太了解液晶屏手册上出现的几个关键电压的作用，下面主要介绍利用Diotec公司的BAV99W高速开关二极管来产生VGH、VGL电压的电路。

设计经验发布时间 : 2019-12-26

Y9918-850 High Speed Switching Diode APPROVAL SHEET

型号- Y9918-850

数据手册 - NICHTEK - V.1 - 2021.12.17 PDF 英文下载

【选型】平板电脑有线传输模块中ESD瞬态电压抑制器、TVS/齐纳阵列、高速开关二极管选型推荐

平板电脑的有线数据传输模块中，Central推荐使用的元器件类型和型号分别为ESD瞬态电压抑制器(CMATVS5V0、CMOTVS5V7、CMO5V0LC、CFTVS5V0LC、CTLTVS12)；TVS/齐纳阵列(CMKTVS5-4、CMNTVS5V0)和高速开关二极管(CFD4448、CMAD4448)，有效保证数据传输的温度可靠。

器件选型发布时间 : 2019-08-17

CMSD4448 SURFACE MOUNT HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE

型号- CMSD4448,CMSD4448 TYPE

数据手册 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - R6 - 11-December 2023 PDF 英文下载查看更多版本

1N4153 HIGH SPEED SWITCHING DIODE

型号- 1N4153

数据手册 - 灿阳科技 - Rev. 03 - May 9, 2006 PDF 英文下载查看更多版本

BAS516 High speed Switching Diode

型号- BAS516

数据手册 - 时科 - REV.08 - 2008/3/19 PDF 英文下载

CMLD4448 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH SPEED SWITCHING DIODE

型号- CMLZDA6V2 TR,CMLD6263 TR,CMLD6263S BK,CMLD6001 TR,CMLZDA3V3 TR,CMLD6263 BK,CMLD2004G BK,CMLD4448 BK,CMLD6001 BK,CMLZDA3V3 BK,CMLZDA6V2 BK,CMLSH-4 BK,CMLD4448 TR,CMLD6263S TR,CMLD4448,CMLD2004G TR,CMLSH-4 TR

数据手册 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - R6 - 15-June 2015 PDF 英文下载查看更多版本

【产品】包含两个独立的硅开关二极管的120V/250mA表面贴装高速开关二极管

CMLD4448是Central公司推出的一款高速开关二极管产品，包含两个独立的硅开关二极管，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模压成SOT-563表面贴装封装，专为高速开关应用而设计。CMLD4448的峰值重复反向电压VRRM为120V，连续正向电流为IF250mA，峰值重复正向浪涌电流IFRM为500mA，高电压、大电流使其适用于更多的开关应用。

新产品发布时间 : 2018-11-25

High Speed Switching Diode

型号- MMBD914

数据手册 - 富信 - 2022/7/16 PDF 英文下载

【产品】2836/2838系列硅高速开关二极管，低功耗电路设计不用愁

中央半导体公司推出了2836/2838两个系列的硅开关二极管，包含了共阴极和共阳极两类，反向电流仅为100nA，反向恢复时间仅4ns，因此在高速开关应用领域尤为适用。

新产品发布时间 : 2016-12-27

【产品】结电容低至2.5pF的硅高速开关二极管，符合军工级温度标准

Central推出的CPD93V-1N3600，CPD93V-1N4150，CPD93V-BAS56和CPD93V-BAX12是硅高速开关二极管裸片，适用于所有类型的商业，工业，娱乐和计算机应用。反向电压最大额定值分别为50/50/60/90V。它们的正向持续工作电流IF最大额定值分别为400/400/200/400mA。

新产品发布时间 : 2018-11-20