【产品】EPC推出激光二极管驱动器开发板EPC9150，可在2.9ns脉宽内产生220A峰值激光脉冲
2021年3月，宜普电源转换公司（EPC）宣布推出200V、大电流脉冲激光二极管驱动器开发板EPC9150，可在对物体检测速度和准确性有严格要求的自动驾驶汽车的雷达系统中，用于3D地图的创建。在该开发板中，EPC2034C eGaN FET具有快速切换能力，可提供功率脉冲，以驱动激光二极管、VCSEL或LED，速度比等效MOSFET快十倍，且兼具小尺寸、低功耗及低成本等优势，从而增强了雷达系统的整体性能，包括准确性、精度和处理速度，并且降低了系统成本。
eGaN FET及集成电路可提供大电流脉冲、超窄脉宽，并且尺寸小，有助于打造价格较低的高性能雷达系统。采用了200V、12mm²的EPC2034C eGaN FET，EPC9150可以在2.9ns脉宽内产生220A峰值激光脉冲。大电流可扩大激光雷达系统的探测范围，窄脉宽有助于实现高分辨率。小尺寸、低成本的eGaN FET及集成电路非常适合汽车、工业机器人和安全应用中的雷达系统。
EPC9150发货时内附中介层载板，包含可取出的5mm×5mm正方形PCB和给不同的激光器及射频连接器使用的占板面积，以及用于测试不同负载的占板面积。中介层的使用，能让许多不同激光器或负载安装到EPC9154上，使用户能够根据适合其应用的负载要求测试性能。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 5
本文由宝丁翻译自EPC，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（5）
-
![]()
![]()
海洋之心 Lv4. 资深工程师 2021-05-07学习 -
![]()
![]()
WilberTse Lv6. 高级专家 2021-04-09学习学习! -
![]()
![]()
坚持到底 Lv4. 资深工程师 2021-04-08了解一下！！ -
![]()
![]()
用户56731903 Lv9. 科学家 2021-04-07学习一下！！！ -
![]()
![]()
dylen Lv7. 资深专家 2021-04-07学习
相关推荐
【产品】100V/150A大电流脉冲激光二极管的驱动演示电路板EPC9126HC，提升激光雷达系统整体性能
EPC的EPC9126HC开发板采用具备超快速功率转换特性的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），由于可以驱动高达150 A及可低至5 ns脉宽的脉冲大电流，因此可以提高激光雷达（LiDAR）系统所侦测的资料的质素，包括资料的准确性、精确度及制作速度。
【产品】EPC新型200V eGaN FET的性能相比传统Si MOSFET提高了一倍
EPC推出新型200V eGaN FETs（氮化镓增强型功率晶体管），相比于传统的硅功率MOSFET的性能提高了一倍。新第五代设备的尺寸仅为上一代产品的一半，栅电极和源电极之间的距离有所减小，金属层的厚度增加等诸多改进使第五代FET的性能提高了一倍。
eGaN FETs Are Low EMI Solutions!
GaN FETs can switch significantly faster than Si MOSFETs causing many system designers to ask − how does higher switching speeds impact EMI? In this blog, EPC discusses simple mitigation techniques for consideration when designing switching converter systems using eGaN® FETs and will show why GaN FETs generate less EMI than MOSFETs, despite their fast-switching speeds.
【经验】eGaN FET EPC2016C开发板EPC9126的调试技巧分享
EPC9126是EPC公司推出的针对eGaN FET EPC2016C的demo板，在调试过程中经常会碰到各种问题，本文就调试步骤做一下总结。1、确认5V电源是否正确。2、确认信号发生器PWM信号是否正确，符合要求的应该是5V幅值，占空比为50%的输入信号。3、J8端信号确认，主要是确认开发板U3/U5芯片没有损坏。
BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer
Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.
【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，普通MOS不能满足要求，需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在激光雷达上。
【经验】EPC eGaN FET和eGaN IC PCB封装设计指南
一个良好的PCB封装设计对于GaN器件的一致性和可靠性是很重要的。本文是根据数据手册为EPC器件设计正确封装的指导原则——以EPC2016C和EPC2045为例，分别从LGA和BGA封装来完成介绍。
EPC评估套件选型表
EPC提供评估板的选型：Default Configuration：IToF、Resonant Pulse DToF;VBUS (max)(V):12~160V;VINPUT(max)(V):5 V;Tpin(min)(ns):1 ns/2 ns
|
产品型号
|
品类
|
Description
|
VIN(V)
|
VOUT(V)
|
IOUT (A)
|
Featured Product
|
|
EPC9163
|
评估板
|
Synchronous, Buck or Boost, digital controller
|
Buck: 20 – 60 V
Boost: 11.3 – 16 V
|
Buck: 5 - 16 V
Boost: 20-50 V
|
140 A (Buck)
|
EPC2218
|
选型表 - EPC 立即选型
How to Design a 12V-to-60V Boost Converter with Low Temperature Rise Using eGaN FETs
This Talk EPC will examine the design of a 12V to 60V, 50W DC/DC power module with low temperature rise using eGaN FETs in the simple and low-cost synchronous boost topology.
电子商城
服务
可加工PCB层数：1-30层；板材类型：FR4板/铝基板/铜基板/刚扰结合板/FPC板/高精密板/Rogers高频板；成品尺寸：5*5mm~53*84cm；板厚：0.1~5.0mm。
最小起订量： 1 提交需求>
提供是德(Keysight)，罗德(R&S)测试测量仪器租赁服务，包括网络分析仪、无线通讯综测仪、信号发生器、频谱分析仪、信号分析仪、电源等仪器租赁服务；租赁费用按月计算，租赁价格按仪器配置而定。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论