【产品】600V/4A的N沟道增强型MOSFET RMP4N60，反向传输电容低至8pF
丽正国际（Rectron）推出的RMP4N60是一款N沟道增强型MOSFET，采用了专利的半导体技术。自对准平面工艺和改进的端子技术，能够有效减少传导损耗，改善开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率型开关电路，以实现更高效率和系统小型化。
图1 产品电气符号图
图1 封装图示
产品特点：
· 反向传输电容（Crss）小
· 栅极电荷低
· 开关快
· 较高的ESD防护能力
· 较高的dv/dt耐受能力
· 经过100％雪崩能量测试
应用领域：
· 高效率开关模式电源
· 电子灯镇流器
· 不间断电源（UPS）
参数列表：
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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