【产品】EPC新推150V封装兼容的氮化镓器件EPC2308，实现高功率密度应用灵活设计
宜普电源转换公司（EPC）推出150V、6mΩ的EPC2308 GaN FET，让高功率密度应用实现更高的性能和更小的解决方案，包括DC/DC转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。
EPC是增强型氮化镓功率FET（eGaN®功率 FET）和IC领域的全球领导者，新推采用更耐热的QFN封装且可立即发货的150V EPC2308氮化镓器件，用于电动工具和机器人的电机驱动器、用于工业应用的80V/100V高功率密度DC/DC转换器、用于充电器、适配器和电源供电的28V~54V同步整流器、智能手机USB快速充电器，以及太阳能优化器和微型逆变器。
EPC2308 GaN FET具有超小的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为4.9mOhm，而且QG、QGD和QOSS的参数非常小，可实现低导通和开关损耗。它采用耐热增强型QFN封装，占板面积仅为3mmx5mm，为最高功率密度应用提供极小型化的解决方案。该封装提供可湿润侧面以简化组装和检查，而且顶部外露和具超低热阻，从而可以通过散热器实现高效散热和更低的操作温度。
EPC2308与之前发布的100V、1.8mOhm EPC2302和100V、3.8mOhm EPC2306的封装兼容。
宜普电源转换公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说：“EPC2308结合了150V GaN FET的优势和易于组装、更耐热的QFN封装。设计人员可以利用封装GaN FET系列，实现用于电动汽车和无人机的更小、更轻并以电池供电的BLDC电机驱动器、更高效的80V输入DC/DC转换器、更高效的USB充电器和电源供电等应用。”
EPC90148开发板采用最大器件电压为150V、最大输出电流为12A的半桥器件EPC2308 GaN FET，旨在简化评估过程以加快产品推出市场时间。这款2”x2”（50.8mmx50.8mm）开发板专为实现最佳开关性能而设计和包含了所有关键组件，便于评估。
有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，根据您所需的特定工作条件，世强将会推荐合适的替代方案。
宜普电源转换公司（EPC）是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓场效应晶体管（eGaN场效应晶体管）及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
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电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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