【产品】EPC新推150V封装兼容的氮化镓器件EPC2308，实现高功率密度应用灵活设计
宜普电源转换公司（EPC）推出150V、6mΩ的EPC2308 GaN FET，让高功率密度应用实现更高的性能和更小的解决方案，包括DC/DC转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。
EPC是增强型氮化镓功率FET（eGaN®功率 FET）和IC领域的全球领导者，新推采用更耐热的QFN封装且可立即发货的150V EPC2308氮化镓器件，用于电动工具和机器人的电机驱动器、用于工业应用的80V/100V高功率密度DC/DC转换器、用于充电器、适配器和电源供电的28V~54V同步整流器、智能手机USB快速充电器，以及太阳能优化器和微型逆变器。
EPC2308 GaN FET具有超小的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为4.9mOhm，而且QG、QGD和QOSS的参数非常小，可实现低导通和开关损耗。它采用耐热增强型QFN封装，占板面积仅为3mmx5mm，为最高功率密度应用提供极小型化的解决方案。该封装提供可湿润侧面以简化组装和检查，而且顶部外露和具超低热阻，从而可以通过散热器实现高效散热和更低的操作温度。
EPC2308与之前发布的100V、1.8mOhm EPC2302和100V、3.8mOhm EPC2306的封装兼容。
宜普电源转换公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说：“EPC2308结合了150V GaN FET的优势和易于组装、更耐热的QFN封装。设计人员可以利用封装GaN FET系列，实现用于电动汽车和无人机的更小、更轻并以电池供电的BLDC电机驱动器、更高效的80V输入DC/DC转换器、更高效的USB充电器和电源供电等应用。”
EPC90148开发板采用最大器件电压为150V、最大输出电流为12A的半桥器件EPC2308 GaN FET，旨在简化评估过程以加快产品推出市场时间。这款2”x2”（50.8mmx50.8mm）开发板专为实现最佳开关性能而设计和包含了所有关键组件，便于评估。
有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，根据您所需的特定工作条件，世强将会推荐合适的替代方案。
宜普电源转换公司（EPC）是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓场效应晶体管（eGaN场效应晶体管）及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
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EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
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EPC9178凭借紧凑、可靠、具有成本效益的GaN技术，应用于设计高效太阳能优化器，提高能源效率
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
|
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
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67
|
20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
【元件】使用EPC新款50V GaN FET设计更高功率密度的USB-C PD应用，尺寸仅为1.8 mm²
EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET，尺寸仅为1.5mm x 1.2mm，为USB-C PD应用提供了更高的功率密度。加利福尼亚州埃尔塞贡多—2024年6月—EPC是增强型氮化镓(GaN) 功率FET和IC的全球领导者，推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。该GaN FET专为满足高功率USB-C设备的不断发展需求而设计，包括消费电子、车载充电和电动出行设备。
面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介
本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
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【视频】EPC氮化镓产品在DCDC的应用，可减少损耗
Efficient Power Conversion (EPC) 作为全球领先的功率转换技术供应商，提供基于氮化镓 (GaN) 的场效应晶体管 (FET) 和集成电路 (IC)。EPC 的 GaN 基器件具有高效率、快速开关速度、小型化和低成本等优势，广泛应用于消费电子、通信、汽车和可再生能源领域。资料中详细介绍了 GaN 基 DC-DC 转换器，包括企业电源架构、功率密度、EPC9159 转换器规格、转换器概述、特色 GaN FET 以及效率与损耗测量等。此外，还讨论了 GaN FET 在提高功率密度和简化设计方面的优势。
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【元件】EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET EPC2361，采用紧凑型QFN封装（3mmx5mm）
EPC推出采用紧凑型QFN封装(3mmx5mm)的100V、1mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能MPPT等应用实现更高的功率密度。
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。
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【应用】泰高氮化镓场效应晶体管用于快充充电器，可直接PWM驱动器，不需要外部VCC
便携性设备的快充技术的发展越来越快，能有如此快的快充技术与快充产品离不开半导体材料与新型电路拓扑结构的发展。本文介绍泰高的360mΩ/650V氮化镓场效应晶体管TP44400SG在快充充电器的应用。
太阳能应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路应用简介
GaN FETs和ICs在太阳能应用中因其高效能、小尺寸、轻重量和长寿命等显著优势而被广泛采用。GaN器件适用于太阳能电池板优化器、微型逆变器、多电平逆变器等，能够提高功率密度，降低开关损耗，并实现更高的效率。与硅MOSFET相比，GaN器件具有更低的导通电阻和开关损耗，更小的尺寸，以及更高的可靠性，适用于宽范围的太阳能系统操作条件。EPC公司提供的GaN器件和解决方案，包括EPC2204、EPC2088、EPC2071等，能够满足不同功率等级和拓扑结构的需求。
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【选型】EPC氮化镓场效应晶体管用于多线激光雷达，具备小封装，开关频率可达100MHz
某用户想研制一款多线激光雷达，主要应用于交通领域，想找一款效应晶体管用来驱动激光器，经过评估我们推荐了EPC氮化镓场效应晶体管EPC2221，它具备小封装，尺寸仅为1.35x1.35mm，开关频率可达100MHz。
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授权代理品牌：电源及模块
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授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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