【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006规范。
CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
CHK8101a99F HEMT晶体管的模型及其电路配置图
CHK8101a99F HEMT晶体管的主要特点：
高达6GHz的带宽
脉冲和CW的工作模式
高输出功率（Pout为20W）和高功率附加效率（PAE为60%）的GaN技术
DC偏置电压VDC高达50V
芯片尺寸1.05*1.55*0.1mm
符合RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006规范
CHK8101a99F HEMT晶体管的主要应用：
雷达
电信
射频功率
CHK8101a99F HEMT晶体管的主要电学参数
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