【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006规范。
CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
CHK8101a99F HEMT晶体管的模型及其电路配置图
CHK8101a99F HEMT晶体管的主要特点：
高达6GHz的带宽
脉冲和CW的工作模式
高输出功率（Pout为20W）和高功率附加效率（PAE为60%）的GaN技术
DC偏置电压VDC高达50V
芯片尺寸1.05*1.55*0.1mm
符合RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006规范
CHK8101a99F HEMT晶体管的主要应用：
雷达
电信
射频功率
CHK8101a99F HEMT晶体管的主要电学参数
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UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
|
产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
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130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
RC65D270E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- RC65D270E系列650V、270mΩ氮化镓(GaN)FET是常关型器件，通过降低栅极电荷、提高开关速度和降低动态导通电阻，提供更高的效率。该系列器件适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机和工业等领域。
型号- RC65D270E SERIES,RC65D270E
CE65H270TOEI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
描述- 该资料介绍了Corenergy公司生产的CE65H270TOEI系列650V GaN HEMT器件。这些GaN FETs具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，相比传统硅器件在效率、功率密度和系统尺寸与重量方面提供显著优势。
型号- CE65H270TOEI SERIES,CE65H270TOEI
RC65D600E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了RealChip公司生产的650V GaN HEMT器件RC65D600E。该系列产品采用氮化镓（GaN）技术，具有低导通电阻、快速开关速度和较低的门极电荷等特点，适用于汽车、适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
型号- RC65D600E,RC65D600E SERIES
2KK8006NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）两种类型的SMD器件。重点阐述了2KK8006NEDFN型号的GaN HEMT的特性，包括其电气特性、典型特性、封装尺寸等，并比较了其在提高效率、降低损耗方面的优势。
型号- 2KK8006NEDFN
RC65D270B氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- RC65D270B系列650V GaN HEMT是RealChip公司生产的650V、270mΩ氮化镓场效应晶体管，具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业等领域。
型号- RC65D270B,RC65D270B SERIES
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型号- 2KK8007NEDFN
CE65H270TOAIF氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
描述- 该资料介绍了Corenergy公司的CE65H270TOAIF系列650V GaN HEMT器件。这些GaN FETs具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻的特点，提供比传统硅(Si)设备更高的效率。
型号- CE65H270TOAIF SERIES,CE65H270TOAIF
CE65H270DNCI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
描述- 该资料介绍了Corenergy公司的650V GaN HEMT（氮化镓场效应晶体管）产品CE65H270DNCI。这款器件具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，相比传统硅器件在效率上有显著提升。它适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
型号- CE65H270DNCI,CE65H270DNCI SERIES
2KK8005NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）的特性及应用。该器件具有650V的耐压能力，低导通电阻和开关损耗，适用于快速充电器、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
型号- 2KK8005NEDFN
CE65H160DNCI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
描述- 该资料介绍了Corenergy公司的650V GaN HEMT（氮化镓场效应晶体管）产品CE65H160DNCI。这款器件具有低导通电阻、快速开关速度和较低的动态导通电阻，提供比传统硅器件更高的效率。它适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
型号- CE65H160DNCI SERIES,CE65H160DNCI
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布莫让支持超微型单级/多级、微型单级/多级、超微型 TEC 封装产品定制，最小晶粒高度：0.3 mm； 最小横截面：0.2 mm； 最小节距：0.15 mm；能做到最小尺寸 1mm*1mm, 最高级数可达到 7 级。
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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