【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用

RC65D270E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管

RC65D270E系列650V、270mΩ氮化镓(GaN)FET是常关型器件，通过降低栅极电荷、提高开关速度和降低动态导通电阻，提供更高的效率。该系列器件适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机和工业等领域。

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CE65H270TOEI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表

该资料介绍了Corenergy公司生产的CE65H270TOEI系列650V GaN HEMT器件。这些GaN FETs具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，相比传统硅器件在效率、功率密度和系统尺寸与重量方面提供显著优势。

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2KK8006NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管

本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）两种类型的SMD器件。重点阐述了2KK8006NEDFN型号的GaN HEMT的特性，包括其电气特性、典型特性、封装尺寸等，并比较了其在提高效率、降低损耗方面的优势。

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RC65D270B氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管

RC65D270B系列650V GaN HEMT是RealChip公司生产的650V、270mΩ氮化镓场效应晶体管，具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业等领域。

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RC65D600E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管

本资料介绍了RealChip公司生产的650V GaN HEMT器件RC65D600E。该系列产品采用氮化镓（GaN）技术，具有低导通电阻、快速开关速度和较低的门极电荷等特点，适用于汽车、适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。

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2KK8007NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管

本资料介绍了650V氮化镓（GaN）HEMT晶体管2KK8007NEDFN的特性。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度，适用于快充、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。

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氮化镓技术：0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺

该资料主要介绍了GH15 GaN工艺，这是一种针对高功率、高PAE和高线性度优化的GaN HEMT工艺。GH15工艺适用于40GHz频率范围，支持工业级空间应用。该工艺采用热散发的SiC衬底，功率密度可达4.2W/mm。主要特点包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。GH15工艺适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。资料还提供了工艺的主要性能参数，如Vt、功率密度、Ids+、Gm、VdsDC、NF/Gass、Fmax、MIM密度、金属电阻和最大使用频率。

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CE65H600TOAIF氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表

该资料介绍了Corenergy公司的CE65H600TOAIF系列650V GaN HEMT器件。这些GaN FETs具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，相比传统硅(Si)器件在效率、功率密度和系统尺寸与重量方面提供显著优势。

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2KK8005NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管

本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）的特性及应用。该器件具有650V的耐压能力，低导通电阻和开关损耗，适用于快速充电器、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。

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CE65H450DNCI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表

该资料详细介绍了Corenergy公司生产的CE65H450DNCI系列650V、450mΩ氮化镓（GaN）FET器件。这些器件具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻，与传统硅器件相比，提供更高的效率、更高的功率密度和更小的系统尺寸和重量。资料中还包括了产品的电气参数、热阻、典型特性和封装尺寸等信息。

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0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺

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