【产品】650V碳化硅肖特基势垒二极管P6D06004T2，总电容电荷典型值为6.4nC

时间： 2022-03-26 来源：派恩杰

技术问答

P6D06004T2是派恩杰（PN Junction）推出的一款650V碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD），具有超快的开关速度、零反向恢复电流、适于高频工作和V_F具有正向温度系数等特性，能提高系统效率，降低了对散热器的要求，且开关损耗几乎为零。其反向重复峰值电压为650V（Tc=25℃），正向非重复性浪涌电流为25A（Tc=25℃，tp=10ms），器件结到壳热阻为2.4℃/W，工作结温和存储温度范围宽至-55℃~175℃，总电容电荷典型值为6.4nC（V_R=400V，I_F=4A，T_J=25℃），产品适用于消费类SMPS（开关模式电源）、PFC以及DC/DC的升压二极管或者AC/DC转换器等应用领域，其产品实物图和PIN脚如下图所示：

产品特征

超快的开关速度
零反向恢复电流
高频工作
V_F具有正向温度系数
高浪涌电流
通过100% UIS测试

产品优点

提高了系统效率
降低了对散热器的要求
开关损耗几乎为零
并联使用不会出现热失控

产品应用

消费类SMPS（开关模式电源）
PFC或DC/DC的升压二极管
AC/DC转换器

最大额定值

电气参数

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型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K

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派恩杰碳化硅二极管(SIC SBD)选型表

派恩杰推出碳化硅二极管(SIC SBD)，覆盖常规电压650-1200V，额定电流2-40A

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Current Rating(A)	QC(nC)	IFRM@25℃(A)	Forward Voltage(VF(type)(V)	I(FSM)@25℃(A)
P3D06002E2	碳化硅二极管	650V	2A	4.72nC	10A	1.5V	18A

选型表 - 派恩杰立即选型

P3D06002E2 SiC SBD 650V SiC Schottky Diode

型号- P3D06002E2

数据手册 - 派恩杰 - Ver. 1.4 - May. 2024 PDF 英文下载

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在传统的离线AC-DC通讯电源应用的PFC电路中，建议采用SiC SBD作为PFC升压二极管以提高整机效率。中电国基南方（CETC）的650V SiC SBD WS3A006065A拥有零反向恢复电流和零正向恢复电压，基本没有开关损耗，有与温度无关的开关特性，因此具有较强的温度稳定性且可有效提高系统效率。

应用方案发布时间 : 2020-05-02

SSC0865 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode 650V, 8A SiC SBD

型号- SSC0865

数据手册 - 时科 - REV.08 - 2024/4/1 PDF 英文下载

【产品】1200V/34nC的碳化硅肖特基势垒二极管SCS220KE2，采用TO-247封装

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新产品发布时间 : 2019-11-28