【产品】40V 1.3mohm N沟道SGT MOSFET AKG40N013G，耗散功率最大额定值64W

时间： 2023-03-03 来源：瑶芯微

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瑶芯微推出型号为AKG40N013G的N沟道SGT MOSFET，具有极低的导通电阻（R_DSON），同时具有出色的开关特性，特别适用于高效电源管理应用。

最大额定参数值和电气参数方面（T_A=25℃，除非另有说明），器件漏-源电压最大额定值为40V，持续漏极电流最大额定值高达176A（T_C=25℃，最大漏极电流额定值受限于器件封装)，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为64W（T_C=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于DC/DC转换器、电动工具、电机驱动器和电源管理等领域。

器件特征

N沟道SGT MOSFET，且针对其高速平滑开关特性进行了优化
出色的栅极电荷×R_DSON（FOM）特性
极低的导通电阻
符合RoHS标准
无卤器件

器件应用领域

DC/DC转换器
电动工具
电机驱动器
电源管理

最大额定值（T_A= 25℃，除非另有说明）

热阻值

Note：

1、最大漏极电流额定值受限于器件封装

2、重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制；

3、L=0.5mH，V_DD=15V，I_AS=35A，R_G=25Ω，T_J=25℃开始

4、贴装在1英寸x1英寸覆铜厚度2盎司的FR-4 PCB板；

5、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs占空比≤2%

6、几乎与工作温度无关

电气参数（T_J=25℃，除非另有说明）

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