【产品】扬杰科技发布1200V/10~35A IGBT PIM新品,P2、P3封装外形可选
扬杰科技发布了其IGBT PIM新品,产品有P2、P3两款封装外形,1200V,电流10A~35A,芯片参数稳定,一致性优异,采用环保物料,符合RoHS标准,主要用于电动驱动器、交直流伺服驱动放大器和不间断电源。
产品特点
1.最大工作结温175℃;
2.低开关损耗;
3.低饱和压降,正温度系数;
4.具有超快速和软恢复特性的续流二极管;
5.高短路电流能力(10us以上);
6.饱和压降低,减少工作损耗;
7.使用DBC结构的绝缘性散热底板。
电性参数
尺寸电路
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型号- 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
Galaxy 银河微电 IGBT产品介绍及市场应用
描述- 常州银河世纪微电子股份有限公司(Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co., Ltd.)发布了一系列IGBT产品,包括单管和模块,适用于多种应用领域。产品线涵盖650V至1700V电压等级,包括工缝、逆变器、电机控制、光伏、储能、新能源汽车、充电桩、电池管理系统等。资料详细介绍了产品型号、技术参数、应用领域和性能对比。
型号- GM200HF120S4T1,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM15P]120E1T3A,GM400HF120S4T1M,BL042N10TH,GKU40N65EH3,GM240TU120Q1F2,GKU25N120ET2,GKU50N65ET,GM40FFB120C1T1,GM400HF65S4T1A,GKU40N65,GM200SG65S1T1,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKB20N65,GKU50N65EH3,GKU40N120ET2-25C,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM150FFB120C2T1M,GM600HF65S4T1,GM300HF120S4T1M,GM450ML65Q2F2,GM25PJ120E2T3A,GKU40N120NH3-25C,GM10PJ120E1T3A,GM225TU120Q2T2H,GM100HF120S2F1B,GM75HF120S2F2,GM100PI120C2T1,GKU50N120CH3,GKY50N120,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GM50PI120C1T3A,GKU15N120ET2,GM40PI120C1T3A,GKF20N65,GKU10N120T2,GM225TU120E2T2H,GKP20N65,GM40HF120S2F2A,GKU30N65,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GKU20N65,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,GM450ML65C1T2,GM600HF120C3T1M
扬杰科技IGBT模块/单管选型表
扬杰科技提供IGBT模块、IGBT单管产品,提供如下参数产品:IGBT模块:集电极-发射极电压1200V,直流集电极电流10A~450A,集电极-发射极饱和电压1.75V~3V,开启开关损耗1.53mJ~91mJ;IGBT单管:集电极-发射极电压650V~1200V,直流集电极电流10A~160A,集电极-发射极饱和电压1.25V~2.1V,开启开关损耗0.65mJ~8.62mJ。
产品型号
|
品类
|
Package
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VCES_Min(V)
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IC@TC=80℃(A)
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VCE(sat)_Typ(V)
|
Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ)
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Rth(j-c)_Max((℃/W)
|
MG100HF12LEC1
|
IGBT模块
|
C1
|
1200
|
100
|
3
|
19.4
|
0.185
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
GSK15PJ120E1 PIM-E1中的模块
描述- 本资料详细介绍了CREATEK Microelectronics生产的GSK15PJ120E1模块,这是一种高压、大电流的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块。该模块采用SPT技术,具有低损耗、高系统效率的特点,适用于电机驱动、逆变器和其他软开关应用。
型号- GSK15PJ120E1
HP15R12W1 PIM IGBT功率模块初步数据表
描述- 本资料为HP15R12W1 PIM IGBT功率模块的初步规格书,介绍了该模块的产品特性、应用领域和典型性能参数。主要包括低开关损耗、低VCE(sat)损耗、低电感设计等特点,适用于工业应用、太阳能组串逆变器、储能逆变器和UPS系统等领域。
型号- HP15R12W1
DGC40C120M2T IGBT模块40A 1200V PIM一体化封装
描述- 该资料详细介绍了DGC40C120M2T型IGBT模块的技术规格和应用。该模块采用先进的沟槽和场止技术设计,具有低栅极电荷、优异的开关速度和正温度系数的优点,适用于焊接、UPS、逆变器、交流伺服驱动放大器等领域。
型号- DGC40C120M2T
XP025PJS120CH2B2 PIM,带沟槽场截止IGBT、发射极控制二极管和NTC
描述- 本资料介绍了XP025PJS120CH2B2模块,包括其IGBT逆变器、二极管逆变器、二极管整流器和NTC热敏电阻的特性、参数和应用领域。资料详细描述了模块的电气性能、开关损耗、热阻等关键参数,并提供了典型特性曲线和电路图。
型号- XP025PJS120CH2B2
【方案】低成本4kW双轴伺服驱动优选元器件方案
描述- 本方案采用 Vincotech 公司的 flowPACK0 封装六管模块、Renesas 公司的 IGBT 单管制动、 Renesas 公司的隔离驱动及相关器件,相比于 PIM 模块方案,在满足产品性能前提下,将产品的成本降低到合理的范围,提升产品竞争力。
型号- TNY280,2SK2225-80-E,0505025.MX52LEP,SI838,SGM2036-ADJYC5G/TR,TOP268,SMBJ18CA,V23990-P865-F49-PM,D45XT80,SI8261,PS9402,SGM601,SI8931,SI8921,R7S910035,RJH60F5DPQ-A0,SMT-R0068-1.0,SI894,TFLEX HD700
【选型】六管IGBT模块MG15P12P2用于600V汽车空调风机驱动,集电极-发射极电压均为1200V
本文介绍了扬杰科技推出的六管IGBT模块MG15P12P2在600V汽车空调的风机驱动部分中的应用。该产品隔离电压高达2500V,总功耗为155W、连续集电极电流为15A,采用P2封装;低开关损耗,低饱和压降vce(sat),正温度系数。
芯际探索科技有限公司
描述- 芯际探索科技有限公司是一家专注于国产新型功率半导体元器件研发及检测与可靠性技术服务的企业。公司具备自主研发IGBT、SiC MOSFET等高可靠功率半导体器件的能力,产品应用于新能源汽车、高铁、光伏等领域。公司拥有智慧化检测实验室和元器件采测一站式技术服务平台,提供第三方检测认证服务。
MG15P12P2 IGBT模块
描述- 本资料详细介绍了MG15P12P2型IGBT模块的技术规格和应用。该模块适用于电机驱动、交流直流伺服驱动放大器和不间断电源(UPS)等领域,具有低开关损耗、高短路能力等特点。
型号- MG15P12P2
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