SMART Modular(世迈科技)CXL实体研讨会,与国际品牌大厂一起深入剖悉CXL产业的重要发展趋势与技术
SMART Modular(世迈科技)于2023年5月12日举办CXL实体研讨会,活动特别邀请Intel、MSI等国际品牌大厂一起深入剖悉CXL产业的重要发展趋势与技术。研讨会主题涵盖AI/5G实时产业发展分析、CXL演进与技术探讨、CXL完整解决方案、CXL内存扩展与池化等精彩内容。
研讨会的开场致词由SMART Modular(世迈科技)亚太区市场开发总监洪纲懋主持。他强调建构完整CXL生态系统循环需具备的四个要件,包括CXL平台、硬件整合、软件应用以及CXL产品开发。洪纲懋的开场致词简述了本次研讨会的主轴,带领听众进入接下来精彩的议程。
接着由SMART Modular(世迈科技)亚太区产品经理许哲铭主讲,他针对「加速次世代內存扩充新动能」这个主题,介绍CXL对內存产业的影响和发展趋势,深入剖析CXL产品特点与优势,同时详细介绍了SMART Modular CXL产品的完整规划。许哲铭的演讲不仅阐述了CXL对內存领域的创新和推动,更明确表达了做为CXL产品的倡导者SMART Modular如何在扩增內存容量与提升性能之间发挥关键作用。
摊位展示
SMART Modular(世迈科技)在现场设有展览摊位展出三大解决方案,包含:新世代CXL互联标准内存模块、次世代数据中心固态硬盘以及Zefr(Zero Failure Rate,零故障率)工业用内存模块。
SMART Modular(世迈科技)推出CXL Type 3(CXL.mem)内存模块,搭载CXL 2.0 ASIC控制器,并透过PCIe Gen 5.0 PHY高速列表接口,可在新一代CPU处理器之间进行沟通。XMM CXL模块增加缓存一致性内存,可提升服务器和数据中心的运算性能,更超越现今大多数服务器只有8信道或12信道的限制,进一步扩展大数据处理能力。
兼容CXL 2.0,提供PCIe Gen5 32GT/s传输速度
提供64GB DDR5内存容量,未来计划扩充至256GB
支持CXL 2.0规范中的可靠性、可用性和可维护性(RAS)功能
提供EDSFF E3.S 2T(2U short)外观尺寸
仅需透过兼容EDSFF边缘接口(SFF-TA-1009)提供的12V电源供电
支持sideband接口进行即时除错、管理和系统更新,实现模块的带外管理(out-of-band management)
支持额外的可靠功能以保护数据免受旁路攻击(side channel attacks)
SMART Modular(世迈科技)DC4800数据中心SSD
针对超大规模与超融合企业边缘数据中心,SMART Modular(世迈科技)推出次世代数据中心固态硬盘DC4800 PCIe NMVe SSD,符合开放运算计划(OCP)1.0规范以及高达百分之99.99999延迟性服务质量(QoS),使其可以实现高效、低能耗、稳定低延迟,符合严苛的SLA服务级别协定。
符合开放运算计划(OCP)1.0规范
提供强劲性能,采用低功耗构架
在百分之99.99999的系统请求下都能维持低延迟表现(QoS)
先进错误检测和纠正
进阶保护和加密
端对端断电数据保护
SMART Modular(世迈科技)Zefr内存模块
SMART Modular(世迈科技)Zefr(Zero Failure Rate,零故障率)是一套专业严谨的出厂前內存测试筛选流程,针对OEM出厂的内存模块,为高负载量的应用挑选出可靠的内存模块。Zefr提供200 DPPM,不良率大幅低于业界标准3000 DPPM,确保高品质以发挥系统性能。
提升投资报酬率
放大系统良率
加速洞察时间
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【元件】世迈科技全新CXL®内存扩充卡系列上市,可支持业界标准DDR5内存模块
全球专业内存与存储解决先驱者SMART Modular世迈科技宣布推出全新Compute Express Link(CXL®) 内存扩充卡(AIC)系列,可支持业界标准DDR5内存模块。这也是同类产品中首先采用CXL®协议的高密度内存模块扩充卡。SMART 4-DIMM和8-DIMM扩充卡让服务器和数据中心架构设计人员使用熟悉且容易安装的规格,扩充高达4TB内存容量。
DDR4内存模块
描述- SMART Modular Technologies提供一系列DDR4内存模块,包括VLP-DIMM、SODIMM、Mini-RDIMM、Mini-UDIMM和LRDIMM。这些模块的容量从32GB到4GB不等,配置为x4和x8,运行速度从DDR4-2400到DDR4-3200。SMART Modular对设计进行严格审查,以确保性能和可靠性。此外,还提供经济型DDR4内存。
型号- ST1027SO451825NE,ST4097RD440425SCV,SRI4097SO420825-SC,ST1027RD410825HE,ST2047UD410825SGU,STI5126SO451893SG,ST2047UD420825HD,STI4097UD420825SCU,STT1026MP411625MF,ST1027SO410825HE,ST4096SO420825MF,ST2047RD420825MF,ST2047UD410825SG,STB4097SO420825SC,STI2046SO410825MR,ST1027MR451893SG,ST4097MR420825MFU,STI1027RD451825SG,ST2047RD410825HEV,SRZ4097SO420825-SC,STI4097SO420825MF,ST2047RD420825SCV,STI5127SO451893SG,ST4097UD420825HDU,STI4097RD420825MF,ST1027RD410825SGV,ST1026SO451825SG,ST2047RD420425HEV,ST5126SO451625MR,ST2047MU420825SCV,STI2047SO410814MR,STI2046SO410825-SE,ST4097MU420825MFV,ST2047RD410825SGV,ST1027RD451825SGV,ST4097SO420825MF,STZ2047SO420825SC,ST1027RD410893SGV,ST1026SO410825SG,STI2047SO410825SG,STI2047SO420825SC,STT4096UD420825MF,STI1026SO410825MR,ST2047SO410825HE,ST2046SO410825MR,ST5127SO451825NE,ST4097RD420825MFV,ST4097RD420825HDV,STI5126UD451825SG,ST2046SO410825SG,STI1027SO410825SG,STT5126MP451625MR,ST2047RD410825SG,ST2046UD420825SC,ST1026MP411625MF,SRI2047RD420425-SE,ST4097UD420825MF,ST2047SO420825HD,ST4097SO420825SC,ST1027SO451825SG,STI4097UD420825SC,STI1026SO410825SG,ST1027MU451893NEV,ST4096UD420825MF,ST1027MU451893SGV,ST1027RD410825SG,ST2047SO410825SG,ST4096SO420825HD,ST2047MU410893SGV,ST5127SO451893SG,ST2047UD420825SC,SRI4097RD420425-SE,ST5126UD451825SG,ST2047MR410893SG,ST2047RD420825HD,ST1027MR410825SGV,ST1027RD451825SG,SRI2047SO420825-SC,SRI2047RD410825-SE,ST4097UD420825SCU,STI2046SO410825SG,ST1027SO410825SG,ST2047SO420825SC,ST4097SO420825HD,STZ5126SO451893SG,STI4097SO420825SC,ST4097UD420825SC,ST4097RD420825SC,ST2566SO421693SG,ST2047MR420825SCV,SRI8197RD440425-SC,ST1026SO410825MR,ST2047MR410825SGU,ST5126MU451825SGV,STI2047RD410825SG,ST1027UD410825SG,ST2046MP42W625MF,ST1027RD410825MRV,ST8197RD440425MFV,ST2047MR410893HE,ST4097RD440425HDV,ST4097RD420825SCV,SRI4097RD420825-SC,STT4097RD420825MF
迁移到DDR5内存模块白皮书
描述- 本文探讨了DDR5内存模块的特点和应用。DDR5内存提供低延迟、高性能、几乎无限的访问耐久性和低功耗,适用于从手持设备到复杂系统部署的各种应用。与DDR4相比,DDR5具有更高的数据速率、更大的容量、更低的功耗和增强的可靠性、可用性和服务性(RAS)功能。文章详细比较了DDR5与DDR4在性能、容量、电压、通道架构、错误检测和纠正等方面的差异,并介绍了DDR5的增强功能,如双通道架构、片上ECC、数据接收器均衡、循环冗余检查(CRC)和DQS延迟监控。此外,文章还讨论了DDR5在解决市场挑战方面的作用,如信号完整性、电源传输和布局复杂性,以及SMART Modular Technologies在DDR5内存模块发展中的作用。
DDR5内存模块
描述- DDR5内存模块旨在满足云计算、数据中心处理等应用对高效性能的需求。与DDR4相比,DDR5内存提供双倍的性能(4800至6400 MT/s)和改进的功耗效率,通过使用12V电压调节器(PMIC)和1.1 I/O电压。DDR5内存模块具有更高的带宽、更低的功耗和更高的容量,适用于高性能计算、云计算和存储、企业网络等领域。
型号- SR2G7UD5285SBV,SR6G7UD5385HM,SRI2G7UD5285SBV,SR6G7UD5388HMV,SR6G6SO5385MB,SR4G7SO5285SB,SR2G7SO5288HA,SRI2G7UD5285SB,SR6G7UD5388HM,SR4G8RD5285SBV,SR4G7SO5288SB,SR4G8RD5288HAV,SR6G7UD5385HMV,SR6G6SO5385HM,SRI4G7SO5285SB,SR3G6SO5385HM,SR6G7SO5388HM,SR4G7UD5288SB,SR4G8RD5285SB,SRI2G7SO5285SB,SR4G7UD5285SB,SR2G7UD5288SBV,SRI6G7UD5385MB,SR4G7UD5285SBV,SR2G7UD5288SB,SR6G8RD5388HMV,ST4G7SO5285SB,SR2G7UD5285SB,SRI4G7UD5285SBV,SR4G8RD5288SBV,SR4G7UD5288MDV,SR2G7SO5285SB,SR4G8RD5285HAV,SR4G6SO5288SB,SR6G7UD5385MB,SR2G6SO5285SB,SR2G7SO5288SB,SR4G7UD5288HAV,SR4G6SO5285SB,SRI4G7UD5285SB,SR4G7SO5288HA,SRI2G7SO5288HA,SR4G8RD5288MDV,SRI6G7UD5385HM,SR4G7UD5288SBV,SR2G6SO5288SB
加固型内存DDR5、DDR4和DDR3内存模块
描述- SMART提供一系列的DDR3、DDR4和DDR5坚固型内存模块,这些模块在-40°C至+85°C的温度范围内进行了100%的系统测试。SMART支持超出工业级范围的扩展温度范围(从-50°C到+105°C)。SMART严格的测试流程旨在确保这些加固型模块能够在恶劣的长寿命计算环境中可靠运行。此外,还包括防潮涂层、底部填充、抗硫电阻和安全锁定选项等额外加固内存选择。
型号- SRI4097SO420825-SC,SRI2G7SO5285-SB,STI5126UD451825SG,STI1027SO410825SG,STT5126MP451625MR,SPI1027SV351816NE,SPT2046SV310816GB,SRI2G7UD5285SB,SRI5126SO451625-SC,STI4097UD420825SCU,SRI4G6SO5285-SB,STT1026MP411625MF,SRI4G8RD5285-SB,SRI5126SO451625-SG,SRI4G7UD5288-SD,SPI5126SV325838NJ,SRI2047RD420425-SE,SRI4G7SO5285SB,STB4097SO420825SC,SRI4G7SO5288-SP,STI2046SO410825MR,SRI2G7UD5285-SB,SPI5127SV351816NE,STI1027SO451893SF,STI1027RD451825SG,STI4097UD420825SC,STI1026SO410825SG,STT2566MP421625NE,SRI6G7UD5385MB,STI4097SO420825MF,SPI1026UV351838NE,SPI5126UV351838NE,SRI4G7UD5285SBV,STI2046UD410825-SE,SRI4G7UD5288-SP,SRI2G7SO5288-SP,SRI4G7UD5285SB,SRI4097RD420425-SE,SPI2566SV325838NJ,SRI8G8RD5445-SB,STI1026SO410825-SE,STI4097RD420825MF,SRI2G7UD5288-SP,SRI2G7UD5285SBV,SRI1G6UD5165-SB,SRI2047SO420825-SC,SRI2G6UD5285-SB,SRI2047RD410825-SE,STT2566MP421625MG,SRI2G6SO5285-SB,STI4096SO420825-HD,STI4097SO420825SC,SRI1G6SO5165-SB,STI1026SO410893-SE,SRI8197RD440425-SC,STI2047SO410814MR,STI2046SO410825-SE,SRI2G7SO5285SB,STI2047RD410825SG,SPI5127ML351816NEV,SRI4G6UD5285-SB,SPI2567SO325838NJ,SRI4096SO420825-SC,STI2047SO410825SG,STI2047SO420825SC,STT4096UD420825MF,SRI4G7UD5285-SB,STI2046SO410893-SE,SPT2047SV310816GB,SPI5126SV351838NE,STI1026SO410825MR,SRI4097SO420825SA,SRI2G8RD5285-SB,SRI4G8RD5445-SB,SRI4097RD420825-SC,STT4097RD420825MF,SPI1026SV351838NE,SRI2G7UD5288-SD
DC4800|PCIe NVMe|OCP Cloud Spec 1.0新一代数据中心固态硬盘,可实现快速、冷却和一致的存储
描述- SMART Modular推出新一代数据中心SSD产品DC4800,采用PCIe Gen4 NVMe接口,旨在为数据中心提供高性能、低功耗和稳定的存储解决方案。该产品系列针对高性能需求和应用,具备卓越的读写性能、低延迟和高效的热管理,旨在满足现代数据中心对可靠性和性能的要求。
型号- DC4800
世迈科技低功耗DDR4 SODIMM内存模块为智能工厂进化赋能,传输速度超2400MT/s
本文中SMART的合作对象是一家嵌入式电脑制造商,主要提供AIoT相关应用的解决方案。SMART根据客户主要诉求举荐DDR4 SODIMM内存模块解决方案,整体功耗比DDR3低百分之二十,1.2 VDD,提供DDR4-2400MT/s以上的传输速度,适用Zefr(Zero Failure Rate,零故障率)专业严谨测试筛选流程服务。
DDR3内存模块
描述- 资料主要介绍了SMART公司生产的DDR3内存模块,包括不同类型和规格的产品,如ECC UDIMM、Non-ECC UDIMM、VLP UDIMM、Mini-UDIMM、SODIMM和SOUDIMM等。这些模块广泛应用于需要高可靠性和成本效益的领域,如医疗、交通和嵌入式系统。
型号- SP5127UV351816NEV,SP1026UV351816NEV,SP1026UV351838NE,SP1027ML351816MPU,SP2046SV310816GB,SP5127UV351838GB,SPI1027SV351816NE,SP5126SV325838NJ,SP5127SV351838NE,SPT2046SV310816GB,SP2567MU325838NJV,SP1027UD351838GB,SPI5126SV325838NJ,SP1026SV351816MP,SP5126SV351816MP,SP5126SV321616NE,SP1026SV351838MP,SP5127ML351816NEV,SP1027SV351816NE,SP2567UV325838NJ,SPI5127SV351816NE,SP1027UV351838NE,SP5127UD351838NE,SP1027UD351838NE,SP2566MP321638NE,SP5127UV351838NE,SPI5127ML351816NEV,SP2566SV325838NJ,SP5127ML351816NE,SP1026SV351838NE,SP1027UV351816NEV,SP1027ML351893NEU,SP1026SV310816GB,SPI2567SO325838NJ,SPI1026UV351838NE,SPI5126UV351838NE,SP5126SV351838NE,SP5126SV351816NE,SP2566SV321638NE,SPI5126SV351838NE,SPI2566SV325838NJ,SP5126UV351838NE,SPI1026SV351838NE,SP1286SV312638NJ,SP2567SO325838NJV
DDR5内存模块产品简介
描述- 本文介绍了DDR5内存模块的特性、应用领域和订购信息。DDR5旨在满足云计算和数据中心处理等广泛应用中对高效性能的需求,提供比DDR4更高的性能(数据速率从4.8到6.4 Gbps)和改进的电源效率。它具有双倍的突发长度(BL16)和银行数量(32),同时保持通道效率不变。
型号- ST8198RD540405-SB,ST2047UD520805SB,ST4098RD520805-SB,ST2G6UD5285-SB,ST2048RD520805-SB,ST1G6UD5165-SB,ST4098RD540405-SB,ST4G6SO5285-SB,ST4G6UD5285-SB,ST4098RD520805SB,ST2G6SO5285-SB,ST1G6SO5165-SB
DuraMemory™DDR5内存模块
描述- 本文介绍了DDR5内存模块的特点和应用。DDR5内存具有更高的性能(4800到6400 MT/s)和改进的电源效率,适用于云计算和数据中心处理等多种应用。
型号- SR2G7UD5285SBV,SR2G6UD5285-SB,SRI2G7SO5285-SB,SR4G7SO5285SB,SRZ4G8RD5445-SB,SR4G7UD5288MGV,SRI2G7UD5285SB,SRI4G6SO5285-SB,SR4G8RD5285SBV,SRI4G8RD5285-SB,SR2G6SO5285-SB,ST4G8RD5288-HA,SR8G8RD5448-MD,SR1G6SO5165-SB,SRI4G7SO5285SB,SR6G6SO5385SB,STHG8RD5645-HM,SR2G8RD5285-SB,SRI2G7UD5285-SB,SR1G6UD5165-SB,SR4G7UD5285SB,SRB8G8RD5445-SB,SR4G7SO5285-SB,SRI6G7UD5385MB,SR4G8RD5285MA,SR2G8RD5288-MD,SR2G7UD5285-SB,ST4G7SO5285SB,SRI4G7UD5285SBV,SR3G6SO5385SB,STZ8G8RD5445-HA,SR2G7SO5285SB,SR4G8RD5285HAV,SR8G8RD5445-SB,STZ8G8RD5445-MA,SR4G6SO5285SB,SRI4G7UD5285SB,SR4G7UD5288SBV,SRI8G8RD5445-SB,SR6G8RD5645-SB,ST4G8RD5445-MA,SR4G6SO5285-SB,SRZ2G8RD5285-SB,ST4G8RD5448-HA,ST3G8RD5385-HM,SRI2G7UD5285SBV,SR4G8RD5448-MD,SRI1G6UD5165-SB,ST6G8RD5645-HM,SRI2G6UD5285-SB,ST2G8RD5288-HA,ST2G8RD5285-MA,SRI2G6SO5285-SB,SR4G7UD5285-SB,SRI1G6SO5165-SB,ST8G8RD5445-HA,SRHG8RD5645-SB,SR6G7UD5385SBV,SR4G8RD5285SB,SRI2G7SO5285SB,SRI4G6UD5285-SB,SR4G7UD5285SBV,SRBG8RD544H-SB,SRB4G8RD5445-SB,SR4G8RD5285MAV,SR4G7UD5288MG,SR2G7UD5285SB,SR4G7UD5288MDV,STAG8RD544H-HA,SR4G8RD5445-SB,ST8G8RD5448-HA,SR4G8RD5285-SB,SR6G7UD5385MB,SRI4G7UD5285-SB,SR4G7UD5288-SD,SR2G6SO5285SB,SR2G7SO5285MA,SRAG8RD5846-SB,SRI2G8RD5285-SB,SRI4G8RD5445-SB,SR4G6UD5285-SB,SR2G7SO5285-SB,ST8G8RD5445-MA
MP3000|PCIe NVMe|EDSFF E1.S固态硬盘
描述- SMART Modular的MP3000 PCIe NVMe EDSFF E1.S SSD是一款专为捕捉、存储和分析大量数据而设计的解决方案。该产品采用第三代3D NAND技术,支持PCIe Gen4 x4 NVMe 1.4,具有高可靠性、安全性,适用于数据中心、人工智能、高性能计算等领域。
型号- SRE1S480GF2N2AC3,MP3000,SRE1S1920F2N2AC3,SRE1S1920F1N2AC3,SRE1S480GF1N2AC3,SRE1S960GF2N2AC3,SRE1S240GF1N2AC3,SRE1S960GF1N2AC3,SRE1S240GF2N2AC3
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