【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK,适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用

2018-12-30 ShinDengen
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P140LF4QNKP105LF4QNKSHINDENGEN(新电元)推出的N沟道功率MOSFET,均采用LF PACK封装,体积小重量轻,且符合汽车行业的两个标准:AEC-Q101和ISO/TS16949,适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。


图1和图2分别为P140LF4QNK、P105LF4QNK的尺寸图,P140LF4QNK的长×宽=5mm×6.05mm,P105LF4QNK的×宽=5mm×7.05mm,其他尺寸如图中所示。

图1       P140LF4QNK的尺寸图


图2     P105LF4QNK的尺寸图


P140LF4QNK、P105LF4QNK功率MOSFET的最大漏-源电压均为40V,最大漏极直流电流分别为140A和105A,适合低压大电流的驱动应用。这两款功率MOSFET的静态漏-源导通电阻最大值仅为1.4mΩ和2.3mΩ,导通损耗小且自身发热少,既提高了系统效率也可简化热设计。P140LF4QNK、P105LF4QNK功率MOSFET的栅源阈值电压的典型值均为3V,低控制电压简化了数字驱动控制电路的设计。沟道温度最高允许值可达175℃,可用于恶劣的工业环境中。此外P140LF4QNK的最大结壳热阻仅为0.9℃/W,有着极低的热损耗。


P140LF4QNK的开关速度较快,开启延迟时间的典型值为10ns、上升时间的典型值为20ns、关断延迟时间的典型值为99ns,下降时间的典型值为55ns。


P140LF4QNK、P105LF4QNK功率MOSFET的产品特性:

·封装尺寸小

·符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准

·能实现大电流

·导通电阻极低,可有效减少损耗,提高效率

·沟道温度允许值高达175℃,可用于高温环境


P140LF4QNK、P105LF4QNK功率MOSFET的典型应用:

·车载水泵

·EPS

·辅助电机

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