【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用

时间： 2018-12-30 来源：ShinDengen

技术问答

P140LF4QNK、P105LF4QNK是SHINDENGEN（新电元）推出的N沟道功率MOSFET，均采用LF PACK封装，体积小重量轻，且符合汽车行业的两个标准：AEC-Q101和ISO/TS16949，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。

图1和图2分别为P140LF4QNK、P105LF4QNK的尺寸图，P140LF4QNK的长×宽=5mm×6.05mm，P105LF4QNK的长×宽=5mm×7.05mm，其他尺寸如图中所示。

图1 P140LF4QNK的尺寸图

图2 P105LF4QNK的尺寸图

P140LF4QNK、P105LF4QNK功率MOSFET的最大漏-源电压均为40V，最大漏极直流电流分别为140A和105A，适合低压大电流的驱动应用。这两款功率MOSFET的静态漏-源导通电阻最大值仅为1.4mΩ和2.3mΩ，导通损耗小且自身发热少，既提高了系统效率也可简化热设计。P140LF4QNK、P105LF4QNK功率MOSFET的栅源阈值电压的典型值均为3V，低控制电压简化了数字驱动控制电路的设计。沟道温度最高允许值可达175℃，可用于恶劣的工业环境中。此外P140LF4QNK的最大结壳热阻仅为0.9℃/W，有着极低的热损耗。

P140LF4QNK的开关速度较快，开启延迟时间的典型值为10ns、上升时间的典型值为20ns、关断延迟时间的典型值为99ns，下降时间的典型值为55ns。

P140LF4QNK、P105LF4QNK功率MOSFET的产品特性：

·封装尺寸小

·符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准

·能实现大电流

·导通电阻极低，可有效减少损耗，提高效率

·沟道温度允许值高达175℃，可用于高温环境

P140LF4QNK、P105LF4QNK功率MOSFET的典型应用：

·车载水泵

·EPS

·辅助电机

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枫丹白露 Lv7. 资深专家 2021-01-28

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AaronC Lv7. 资深专家 2021-01-18

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lgg Lv7. 资深专家 2021-01-16

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有容乃大 Lv9. 科学家 2019-06-24

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