【产品】-30V/-9.1A的P沟道增强型MOSFET AS7328S，封装为SOP-8
安邦（ANBON）的P沟道增强型MOSFET AS7328S，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，超低导通电阻，漏源导通电阻RDS(on)MAX为20mΩ@-10V，35mΩ@-4.5V，漏源击穿电压V(BR)DSS为-30V， 连续漏极电流 ID 为-9.1A，封装为SOP-8，可应用于电池保护，负载开关，电源管理等领域。
图1 产品外形图
图2 电路原理图
绝对最大额定值（除非另有说明，否则Ta = 25℃）
封装尺寸图
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